納米材料制備方法ppt課件-在線瀏覽
2025-05-09 05:54本頁面
【正文】 ?最具有代表性的工作有楊培東 ( ) 小組的 Ge 納米線在 Au 催化作用下的VLS 機制生長過程的原位觀察 ,以及用噴涂成圖案的 Au 作催化劑制備出的單晶 ZnO 納米棒陣列組成的納米激光器 ( 見圖 2) 。 Lieber 小組利用 VLS 機制生長出了碳納米管與 Si 納米線的異質(zhì)結(jié) ( 圖 3( a) ) 。 瑞典大學(xué)的 Bjrk等人也用 Au作催化劑成功地利用 VLS機制生長出了InAsInP 超晶格納米線 ( 圖 3( c) ) 。 ( b) SiSiGe 超晶格納米線 。 ?另外 , 值得一提的是 , 最近 , 在利用 VLS 機制生長一維納米結(jié)構(gòu)的研究中 , 一些低熔點金屬作催化劑倍受關(guān)注 , 如 Sn 、In 、 Ga 等。在 VS 過程中 , 可以通過熱蒸發(fā)、化學(xué)還原或氣相反應(yīng)等方法產(chǎn)生氣相 , 隨后該氣相被傳輸?shù)降蜏貐^(qū)并沉積在基底上。 ?研究發(fā)現(xiàn) , 在 VS 生長機制中 , 氣相的過飽和度決定著晶體生長的主要形貌?，F(xiàn)在 , 用 VS 機制來生長納米線、納米管及納米帶等已是非常普遍的方法。 Yang 等采用VS 機制與碳熱還原法合成了 ZnO、 MgO等納米線 。用 VS 機制還可以一次性制備多種芯殼結(jié)構(gòu)納米線 , 如 CdSe( 芯 )?? SiO2 ( 殼 ),FeCoNi( 芯 )?? SiO2 ( 殼 ) 等。這種方法生長的納米線為多晶或近單晶結(jié)構(gòu) , 納米線的尺寸分布范圍較寬。 ? SLS 生長的機理有點類似于 VLS 機制。 而在 SLS 機制生長過程中 , 所需的原料是從溶液中提供的。 圖 5 溶液 液相 固相 ( SLS) 法生長過程示意圖 基于包敷作用的液相法 ? 根據(jù)晶體生長動力學(xué)的觀點 , 晶體形態(tài)取決于各晶面生長速度 , 快速生長的晶面 ( 界面能較高 ) 逐漸隱沒 , 晶體表面逐漸為慢生長面 ( 界面能較低 ) 所覆蓋 。Sun 等人利用聚乙烯吡咯烷酮 ( PVP) 作為包敷劑制備出晶態(tài) Ag 納米線 。在該制備過程中 , 金屬前驅(qū)物和還原劑如胺的混合溶液放入一個高壓釜中 , 然后在一定的壓力和溫度下實現(xiàn)納米絲的生長。至今其生長過程機理尚不清楚。 b e t a 。理論上來說 , 利用這種方法可以制備出任意材料的納米線。 或稱 anodic aluminum oxide, 簡稱 AAO) 薄膜、徑跡蝕刻 ( tracketch) 聚合物薄膜、有序介孔硅基材料 ( 如 MCM41) 以及沸石分子篩等等。 ?采用多孔模板 , 結(jié)合電化學(xué)沉積、溶膠凝膠、化學(xué)沉積、氣相沉積、金屬氧化
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