【正文】 在成分設(shè)計上 , 一維納米材料的發(fā)展趨勢是 : 由“簡單體系”向“ 復(fù)合體系”發(fā)展 , 包括摻雜、有機與無機的復(fù)合及有生命與無生命的復(fù)合等。 或稱 anodic aluminum oxide, 簡稱 AAO) 薄膜、徑跡蝕刻 ( tracketch) 聚合物薄膜、有序介孔硅基材料 ( 如 MCM41) 以及沸石分子篩等等。 ? SLS 生長的機理有點類似于 VLS 機制。 ( b) SiSiGe 超晶格納米線 。氣相法中的主要機制有 : 氣 液 固 ( Vapor— LiquidSolid, 簡稱 VLS) 生長機制、氣 — 固 (VaporSolid, 簡稱 VS) 生長機制。 VLS 機制 ? 在所有的氣相方法中 , 應(yīng)用 VLS 機制的許多方法在制備大量單晶一維納米結(jié)構(gòu)中應(yīng)該說是最成功的。 ( c) InAsInP 超晶格納米線。與 VLS 機制的區(qū)別僅在于 , 在 VLS 機制生長過程中 , 所需的原材料由氣相提供 。 ?模板法合成納米線一般具有以下幾個顯著的特點 : 適用于多種材料體系、多種制備方法、可以合成單分散的納米線、可以合成有序微陣列體系、通過改變模板的幾何尺寸或沉積過程參數(shù)合成出納米點、納米線及納米管 。在結(jié)構(gòu)設(shè)計上 , 由“ 單一結(jié)構(gòu)”向“復(fù)合結(jié)構(gòu)”發(fā)展 , 包括納米線異質(zhì)結(jié)、超晶格結(jié)構(gòu)納米線、多層芯殼結(jié)構(gòu)納米線 ( 包括納米線的表面修飾 ) 及枝晶結(jié)構(gòu)或網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)納米線等。 材料設(shè)計 ? 在材料設(shè)計方面 , 包括兩方面內(nèi)容 : 成分設(shè)計與結(jié)構(gòu)設(shè)計。 一維納米孔道材料模板 ?具有一維納米孔道材料的模板 , 已報道的有 : 多孔陽極氧化鋁 ( porous anodic alumina,簡稱 PAA。但這種方法可以在低溫下就獲得結(jié)晶度較好的納米線 , 非常有前景。 圖 3 ： ( a) 碳納米管與 Si 納米線的異質(zhì)結(jié) 。 一 氣相法 ?在合成一維納米結(jié)構(gòu) ( 如納米晶須、納米棒和納米線等 ) 時 , 氣相合成可能是用得最多的方法。 VLS 機制要求必須有催化劑的存在 , 在適宜的溫度下 , 催化劑能與生長材料的組元互熔形成液態(tài)的共熔物 , 生長材料的組元不斷地從氣相中獲得 , 當(dāng)液態(tài)中溶質(zhì)組元達到過飽和后 , 晶須將沿著固 液界面的擇優(yōu)方向析出。 ?另外 , 值得一提的是 , 最近 , 在利用 VLS 機制生長一維納米結(jié)構(gòu)的研究中 , 一些低熔點金屬作催化劑倍受關(guān)注 , 如 Sn 、In 、 Ga 等。 而