[理學(xué)]電子技術(shù)基礎(chǔ)-資料下載頁
2025-02-21 12:47本頁面
【正文】 用于高頻或?qū)掝l帶低輸入阻抗的場合，模擬集成電路中亦兼有電位移動的功能。 第 2章 放大電路基礎(chǔ) 167。 場效應(yīng)管及其基本放大電路 一、場效應(yīng)管 二、場效應(yīng)管放大電路靜態(tài)工作點的設(shè)置方法 三、場效應(yīng)管放大電路的動態(tài)分析 第 2章 放大電路基礎(chǔ) 一、場效應(yīng)管（以 N溝道為例） 場效應(yīng)管有三個極：源極（ s） 、柵極（ g）、漏極（ d），對應(yīng)于晶體管的 e、 b、 c；有 三個工作區(qū)域：截止區(qū)、恒流區(qū)、可變電阻區(qū)，對應(yīng)于 晶體 管的截止區(qū)、放大區(qū)、飽和區(qū)。 1. 結(jié)型場效應(yīng)管 符號 結(jié)構(gòu)示意圖 柵極 漏極 源極 導(dǎo)電溝道 單極型管 ∶ 噪聲小、抗輻射能力強、低電壓工作 第 2章 放大電路基礎(chǔ) 柵 源電壓對導(dǎo)電溝道寬度的控制作用 溝道最寬 溝道變窄 溝道消失稱為夾斷 uGS可以控制導(dǎo)電溝道的寬度。為什么 gs必須加負(fù)電壓？ UGS（ off） 第 2章 放大電路基礎(chǔ) 漏 源電壓對漏極電流的影響 uGS＞ UGS（ off） 且不變， VDD增大， iD增大。 預(yù)夾斷 uGD＝ UGS（ off） VDD的增大，幾乎全部用來克服溝道的電阻， iD幾乎不變，進(jìn)入恒流區(qū)， iD幾乎僅僅決定于 uGS。 場效應(yīng)管工作在恒流區(qū)的條件是什么？ uGDUGS（ off） uGDUGS（ off） 第 2章 放大電路基礎(chǔ) 常量?? DS)( GSD Uufi夾斷電壓 漏極飽和電流 轉(zhuǎn)移特性 場效應(yīng)管工作在恒流區(qū)，因而 uGS＞ UGS（ off） 且 uGD＜ UGS（ off） 。 uDG＞－ UGS（ off） G S ( o f f )GSDS Uuu ?＞2G S ( o f f )GSD S SD )1( UuIi ??在恒流區(qū)時第 2章 放大電路基礎(chǔ) 常量?? GS)( DSD Uufigs電壓控制 ds的等效電阻 輸出特性 常量????DSGSDm Uuig預(yù)夾斷軌跡， uGD＝ UGS（ off） 可變電阻區(qū) 恒 流 區(qū) iD幾乎僅決定于 uGS 擊 穿 區(qū) 夾斷區(qū)（截止區(qū)） 夾斷電壓 IDSS ΔiD 不同型號的管子 UGS（ off） 、 IDSS將不同。 低頻跨導(dǎo)： 第 2章 放大電路基礎(chǔ) 2. 絕緣柵型場效應(yīng)管 uGS增大，反型層（導(dǎo)電溝道）將變厚變長。當(dāng)反型層將兩個 N區(qū)相接時，形成導(dǎo)電溝道。 SiO2絕緣層 襯底 耗盡層 空穴 高摻雜 反型層 增強型管 大到一定值才開啟 第 2章 放大電路基礎(chǔ) 增強型 MOS管 uDS對 iD的影響 用場效應(yīng)管組成放大電路時應(yīng)使之工作在恒流區(qū)。 N溝道增強型 MOS管工作在恒流區(qū)的條件是什么？ iD隨 uDS的增大而增大，可變電阻區(qū) uGD＝ UGS（ th） ,預(yù)夾斷 iD幾乎僅僅受控于 uGS，恒流區(qū) 剛出現(xiàn)夾斷 uGS的增大幾乎全部用來克服夾斷區(qū)的電阻 第 2章 放大電路基礎(chǔ) 耗盡型 MOS管 耗盡型 MOS管在 uGS＞ 0、 uGS ＜ 0、 uGS ＝ 0時均可導(dǎo)通，且與結(jié)型場效應(yīng)管不同，由于 SiO2絕緣層的存在，在uGS＞ 0時仍保持 gs間電阻非常大的特點。 加正離子 小到一定值才夾斷 uGS=0時就存在導(dǎo)電溝道 第 2章 放大電路基礎(chǔ) MOS管的特性 1)增強型 MOS管 2)耗盡型 MOS管 開啟電壓 夾斷電壓 DG S( t h )GSDO2G S( t h )GSDOD2)1(iUuIUuIi時的為式中在恒流區(qū)時，???第 2章 放大電路基礎(chǔ) 利用 Multisim測試場效應(yīng)管的輸出特性 從輸出特性曲線說明場效應(yīng)管的哪些特點？ 第 2章 放大電路基礎(chǔ) 3. 場效應(yīng)管的分類 工作在恒流區(qū)時 gs、 ds間的電壓極性 ???????????????????????????)0(P)0(N)00(P)00(N)00(P)00(NDSGSDSGSDSGSDSGSDSGSDSGS＜極性任意，溝道＞極性任意，溝道耗盡型＜，＜溝道＞，＞溝道增強型絕緣柵型＜，＞溝道＞，＜溝道結(jié)型場效應(yīng)管uuuuuuuuuuuuuGS=0可工作在恒流區(qū)的場效應(yīng)管有哪幾種？ uGS＞ 0才可能工作在恒流區(qū)的場效應(yīng)管有哪幾種？ uGS＜ 0才可能工作在恒流區(qū)的場效應(yīng)管有哪幾種？ 第 2章 放大電路基礎(chǔ) 二、場效應(yīng)管靜態(tài)工作點的設(shè)置方法 根據(jù)場效應(yīng)管工作在恒流區(qū)的條件，在 gs、 ds間加極性合適的電源 dDQDDD S Q2G S ( t h)BBDODQBBG S Q)1(RIVUUVIIVU?????1. 基本共源放大電路 第 2章 放大電路基礎(chǔ) 2. 自給偏壓電路 sDQSQGQG S QsDQSQGQ 0RIUUURIUU?????? ，2G S ( o f f )G S QD S SDQ )1( UUII ?? )( sdDQDDD S Q RRIVU ???由正電源獲得負(fù)偏壓 稱為自給偏壓 哪種場效應(yīng)管能夠采用這種電路形式設(shè)置 Q點？ 第 2章 放大電路基礎(chǔ) 3. 分壓式偏置電路 sDQSQDDg2g1g1AQGQRIUVRRRUU?????2G S ( t h )G S QDODQ )1( ?? UUII)( sdDQDDD S Q RRIVU ???為什么加 Rg3?其數(shù)值應(yīng)大些小些？ 哪種場效應(yīng)管能夠采用這種電路形式設(shè)置 Q點？ 即典型的 Q點穩(wěn)定電路 第 2章 放大電路基礎(chǔ) 三、場效應(yīng)管放大電路的動態(tài)分析 DSGSDm Uuig???近似分析時可認(rèn)為其為無窮大！ 根據(jù) iD的表達(dá)式或轉(zhuǎn)移特性可求得 gm。 與晶體管的 h參數(shù)等效模型類比： 1. 場效應(yīng)管的交流等效模型 第 2章 放大電路基礎(chǔ) 2. 基本共源放大電路的動態(tài)分析 doidmgsddioRRRRgURIUUA u????????????? 若 Rd=3kΩ， Rg=5kΩ， gm=2mS，則 與共射電路比較。 ??uA?第 2章 放大電路基礎(chǔ) 3. 基本共漏放大電路的動態(tài)分析 ???????ismsmsdgssdio1RRgRgRIURIUUA u ??????若 Rs=3kΩ， gm=2mS，則 ??uA?第 2章 放大電路基礎(chǔ) 基本共漏放大電路輸出電阻的分析 msomsooooo1gRUgRUUIUR ∥????若 Rs=3kΩ， gm=2mS，則 Ro=?
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