[工學(xué)]第4章2無刷直流電機傳感器及驅(qū)動-資料下載頁
2025-02-16 22:43本頁面
【正文】 可為 分立元件 的 ， 但目前的趨勢是采用 專用集成驅(qū)動電路 。 雙列直插式集成電路及將光耦隔離電路也集成在內(nèi)的混合集成電路 。 為達到參數(shù)最佳配合 ， 首選所用器件生產(chǎn)廠家專門開發(fā)的集成驅(qū)動電路 。 分類 54 （ 2） 典型全控型器件的驅(qū)動電路 GTO GTO的 開通控制 與普通晶閘管相似 。 GTO關(guān)斷控制 需施加負門極電流 。 GTO門極電壓電流波形 O t t O u G i G 1) 電流驅(qū)動型器件的驅(qū)動電路 正的門極電流 5V的負偏壓 GTO驅(qū)動電路通常包括開通驅(qū)動電路 、 關(guān)斷驅(qū)動電路 和 門極反偏電路三部分 ， 可分為 脈沖變壓器耦合式 和 直接耦合式 兩種類型 。 55 （ 2） 典型全控型器件的驅(qū)動電路 直接耦合式驅(qū)動電路可避免電路內(nèi)部的相互干擾和寄生振蕩 ， 可得到較陡的脈沖前沿 。 目前應(yīng)用較廣 ， 但其功耗大 ， 效率較低 。 典型的直接耦合式 GTO驅(qū)動電路 56 （ 2） 典型全控型器件的驅(qū)動電路 開通驅(qū)動電流應(yīng)使 GTR處于準(zhǔn)飽和導(dǎo)通狀態(tài) ， 使之不進入放大區(qū)和深飽和區(qū) 。 關(guān)斷 GTR時 ， 施加一定的負基極電流有利于減小關(guān)斷時間和關(guān)斷損耗 。 關(guān)斷后同樣應(yīng)在基射極之間施加一定幅值 （ 6V左右 ） 的負偏壓 。 t O i b 理想的 GTR基極驅(qū)動電流波形 GTR 57 （ 2） 典型全控型器件的驅(qū)動電路 GTR的一種驅(qū)動電路 ， 包括電氣隔離和晶體管放大電路兩部分 。 VD1AVVS0 V+ 10V+ 15VV1VD2VD3VD4V3V2V4V5V6R1R2R3R4R5C1C2GTR的一種驅(qū)動電路 驅(qū)動 GTR的集成驅(qū)動電路中， THOMSON公司的 UAA4002和三菱公司的 M57215BL較為常見。 58 （ 2） 典型全控型器件的驅(qū)動電路 電力 MOSFET和 IGBT是電壓驅(qū)動型器件 。 為快速建立驅(qū)動電壓 ， 要求驅(qū)動電路輸出電阻小 。 使 MOSFET開通的驅(qū)動電壓一般 10~15V， 使 IGBT開通的驅(qū)動電壓一般 15 ~ 20V。 關(guān)斷時施加一定幅值的負驅(qū)動電壓 （ 一般取 5 ~ 15V）有利于減小關(guān)斷時間和關(guān)斷損耗 。 在柵極串入一只低值電阻可以減小寄生振蕩 。 2) 電壓驅(qū)動型器件的驅(qū)動電路 59 （ 2） 典型全控型器件的驅(qū)動電路 a) 電力 MOSFET的一種驅(qū)動電路： 電氣隔離 和 晶體管放大電路 兩部分 電力 MOSFET的一種驅(qū)動電路 專為驅(qū)動電力 MOSFET 而設(shè)計的混合集成電路有三菱公司的M57918L， 其輸入信號電流幅值為 16mA， 輸出最大脈沖電流為 +2A和 3A， 輸出驅(qū)動電壓 +15V和 10V。 60 （ 2） 典型全控型器件的驅(qū)動電路 b) IGBT的驅(qū)動 M57962L型 IGBT驅(qū)動器的原理和接線圖 常用的有三菱公司的 M579系列 （ 如 M57962L和 M57959L）和富士公司的 EXB系列 （ 如 EXB8 EXB84 EXB850和EXB851） 。 多采用專用的混合集成驅(qū)動器。 61 小結(jié) 1. 位置傳感器的種類及原理 2. “ 方波運行 ” 和 “ 正弦波運行 ” 采用的位置傳感器的不同 3. 典型的功率驅(qū)動電路拓撲 4. 功率驅(qū)動電路的作用
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