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圖設(shè)計規(guī)則ppt課件-資料下載頁

2025-01-17 16:59本頁面
  

【正文】 華僑大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點實驗室 有源區(qū)( TO) Copyright by Mo Bing Copyright by Mo Bing 華僑大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點實驗室 P+ N+ N+ P+ 有源區(qū)( TO) 版圖設(shè)計規(guī)則 P+ a a P+ N+ N+ 版圖設(shè)計規(guī)則 華僑大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點實驗室 Poly1 Copyright by Mo Bing Copyright by Mo Bing 華僑大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點實驗室 Poly1 版圖設(shè)計規(guī)則 e e f g b d b c g b a Copyright by Mo Bing 版圖設(shè)計規(guī)則 TO IM IM IM POLY2 Poly2阻擋層 d c POLY2 g POLY1 華僑大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點實驗室 a b f e Copyright by Mo Bing 華僑大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點實驗室 Poly2 版圖設(shè)計規(guī)則 c i g/h b a e d 版圖設(shè)計規(guī)則 華僑大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點實驗室 P+擴散區(qū) Copyright by Mo Bing Copyright by Mo Bing 華僑大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點實驗室 版圖設(shè)計規(guī)則 N+擴散區(qū) 使用 TO和 P+的反版,兩層光刻膠開出 N+有源窗口 Copyright by Mo Bing 華僑大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點實驗室 P+擴散區(qū) d c e 版圖設(shè)計規(guī)則 b a f 版圖設(shè)計規(guī)則 華僑大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點實驗室 接觸孔 Copyright by Mo Bing Copyright by Mo Bing 華僑大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點實驗室 版圖設(shè)計規(guī)則 PO2 PO1 Contact b c f a i d TO i PO2 e e a j 版圖設(shè)計規(guī)則 華僑大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點實驗室 金屬層 1 Copyright by Mo Bing Copyright by Mo Bing 華僑大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點實驗室 金屬層 1 注意: 1. M1的電流密度 2. M2/M3的電流密度 3. 金屬覆蓋率在 30%~50% 4. 最小孤立金屬面積 b b 版圖設(shè)計規(guī)則 a c c 版圖設(shè)計規(guī)則 華僑大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點實驗室 通孔 Copyright by Mo Bing Copyright by Mo Bing 華僑大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點實驗室 a 版圖設(shè)計規(guī)則 b d c 通孔 注意: 通孔最大電流密度 版圖設(shè)計規(guī)則 華僑大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點實驗室 金屬層 2 Copyright by Mo Bing Copyright by Mo Bing 華僑大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點實驗室 版圖設(shè)計規(guī)則 金屬層 2 b b a c c Copyright by Mo Bing 華僑大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點實驗室 版圖設(shè)計規(guī)則 數(shù)字集成電路版圖設(shè)計中主要考慮的是 保證單元能放在一起的過于細小的細節(jié),而 模擬電路中情況就不一樣了,面積在某種程 度上仍然是一個問題,但不再是壓倒一切的 問題, 在模擬版圖中主要的目標(biāo)并不是芯片 的尺寸,而是優(yōu)化電路的性能、匹配程度、 速度和各種功能方面的問題,電路的性能比 尺寸更重要。 Copyright by Mo Bing 華僑大學(xué)廈門專用集成電路系統(tǒng)重點實驗室 本章重點內(nèi)容 CMOS工藝中每層版圖在工藝制造中 的 作用 CMOS工藝制造反相器的流程,以及 與之對應(yīng)的版 圖
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