千赫mosfet感應(yīng)加熱電源的電路設(shè)計(jì)-資料下載頁(yè)
2025-01-16 10:34本頁(yè)面
【正文】 減半了。因此，利用修正后的儲(chǔ)能電路，MOSFET開(kāi)關(guān)容量的使用率就提高了30%，并且漏極電流的波形也可以預(yù)測(cè)，將變的更好。電路布局的優(yōu)化問(wèn)題已減少，因?yàn)槁╇娏鞑ㄐ稳Q于集總電路元件，而不是導(dǎo)致寄生電感。該單位的設(shè)計(jì)也簡(jiǎn)化了，因?yàn)镸OSFET的電流波形，等等，都更適合進(jìn)行分析。Ls的估計(jì)可以從MOSFET漏源兩端到工作線圈兩端的基本組成元件的工作電壓比。Ls可以是波形是在儲(chǔ)能電路的最低并聯(lián)諧振頻率取得的。通過(guò)監(jiān)視母線電流的最小值，可以得到這個(gè)諧振頻率。修正后的儲(chǔ)能電路存在兩個(gè)并聯(lián)諧振頻率，如圖8所示，務(wù)必要注意較小的那個(gè)頻率值。 在這個(gè)頻率條件下，Ls的電抗值要比4CDS的電抗值要低，例如,在140kHz時(shí)。在忽略Ls的情況下，通過(guò)使用電腦，修改后的振蕩電路（9）準(zhǔn)許導(dǎo)納軌跡的問(wèn)題已經(jīng)得到解決，較低的并聯(lián)諧振頻率被認(rèn)為是140KHz。 這幾乎與實(shí)驗(yàn)結(jié)果完全相同（見(jiàn)圖9。），從而支持在圖8提出使用的電路模型。在圖9（d）可以看出電感L“維持高次諧波的電壓。對(duì)于高次諧波成分，電容CT是一個(gè)低阻抗，因而在高次諧波電壓情況下，電容CT相對(duì)于電感L“的影響作用非常小，如圖示9（e）。以這種方式減少振蕩的缺點(diǎn)有：第一，MOSFET的總漏源電容不再是微不足道，而是構(gòu)成的儲(chǔ)能電路的一部分。流經(jīng)4 CDs(IcM)的環(huán)流元件是有MOSFET器件實(shí)現(xiàn)的，如果tDB被認(rèn)為是可以忽略的，那么它的均方根的值可以有以下公式計(jì)算：?jiǎn)蝹€(gè)MOSFET管的電流峰值計(jì)算公式為：，作為修改后的儲(chǔ)能電路反饋電流， A，與實(shí)驗(yàn)值相一致（見(jiàn)圖9（b））。這種方法的第二個(gè)缺點(diǎn)是在L 的額外損耗，雖然工作中使用了電腦Spice軟件包對(duì)電路L和LT在工件中的耦合情況進(jìn)行軟件仿真分析研究，這個(gè)不足對(duì)高Q線圈和緊密耦合到負(fù)載的工作線圈的影響是非常小的。修改后的振蕩電路已成功地用于商業(yè)應(yīng)用，如蓋密封，閥門(mén)電極退火和化學(xué)分離工廠。目前工業(yè)感應(yīng)加熱電源中，寄生電感是不可缺少，由寄生電感的切換電流造成的振蕩問(wèn)題，已經(jīng)在上面詳細(xì)的進(jìn)行了闡述。通過(guò)使用濾波器來(lái)抑制振蕩的方法也在上面詳細(xì)的說(shuō)明了，傅里葉函數(shù)變換分析一直作為這種含有濾波器電路結(jié)構(gòu)原理分析的常用方法。已獲得的實(shí)際波形顯示了過(guò)濾器的在這一方面的積極效果。清楚地表明，這些波形的振蕩已被消除，并且是通過(guò)高效率和有效的方式來(lái)實(shí)現(xiàn)的。參考文獻(xiàn)
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