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材料成型基本原理ppt課件-資料下載頁(yè)

2025-01-14 21:29本頁(yè)面
  

【正文】 冷卻速度及濃度 過(guò)冷度大時(shí) ,生長(zhǎng)速度快,界面的原子層數(shù)較多, 容易形成粗糙面結(jié)構(gòu) 。小晶面界面,過(guò)冷度 ΔT增大到一定程度時(shí),可能轉(zhuǎn)變?yōu)榉切【?。過(guò)冷度對(duì)不同物質(zhì)存在不同的臨界值, ? 越大的物質(zhì),變?yōu)榇植? 面的臨界過(guò)冷度也就越大。 如:白磷在低長(zhǎng)大速度時(shí)(小過(guò)冷度 ΔT)為小晶面界面,在長(zhǎng)大速度增大到一定時(shí),卻轉(zhuǎn)變?yōu)榉切【妗? 合金的濃度有時(shí)也影響固 液界面的性質(zhì)。 普通高等教育 “ 十一五 ” 國(guó)家級(jí)規(guī)劃教材 《 材料成形基本原理 》 二、晶體長(zhǎng)大方式 上述固 液界面的性質(zhì)(粗糙面還是光滑面),決定了晶體長(zhǎng)大方式的差異。 連續(xù)長(zhǎng)大 臺(tái)階方式長(zhǎng)大(側(cè)面長(zhǎng)大) 普通高等教育 “ 十一五 ” 國(guó)家級(jí)規(guī)劃教材 《 材料成形基本原理 》 連續(xù)長(zhǎng)大 粗糙面的界面結(jié)構(gòu),許多位置均可為原子著落,液相擴(kuò)散來(lái)的原子很容易被接納與晶體連接起來(lái)。由于前面討論的熱力學(xué)因素,生長(zhǎng)過(guò)程中仍可維持粗糙面的界面結(jié)構(gòu)。只要原子沉積供應(yīng)不成問(wèn)題,可以不斷地進(jìn)行 “ 連續(xù)長(zhǎng)大 ” 。 其 生長(zhǎng)方向?yàn)榻缑娴姆ň€方向 ,即垂直于界面生長(zhǎng)。 普通高等教育 “ 十一五 ” 國(guó)家級(jí)規(guī)劃教材 《 材料成形基本原理 》 臺(tái)階方式長(zhǎng)大(側(cè)面長(zhǎng)大) 光滑界面在原子尺度界面是光滑的,單個(gè)原子與晶面的結(jié)合較弱,容易脫離。只有依靠在界面上出現(xiàn)臺(tái)階,然后從液相擴(kuò)散來(lái)的原子沉積在臺(tái)階邊緣,依靠臺(tái)階向側(cè)面長(zhǎng)大。故又稱 “ 側(cè)面長(zhǎng)大 ” 。 普通高等教育 “ 十一五 ” 國(guó)家級(jí)規(guī)劃教材 《 材料成形基本原理 》 “ 側(cè)面長(zhǎng)大 ” 方式的三種機(jī)制 ( 1) 二維晶核機(jī)制 :臺(tái)階在界面鋪滿后即消失,要進(jìn)一步長(zhǎng)大仍須 再產(chǎn)生二維晶核; ( 2) 螺旋位錯(cuò)機(jī)制 :這種螺旋位錯(cuò)臺(tái)階在生長(zhǎng)過(guò)程中不會(huì)消失; ( 3) 孿晶面機(jī)制 :長(zhǎng)大過(guò)程中溝槽可保持下去,長(zhǎng)大不斷地進(jìn)行。 普通高等教育 “ 十一五 ” 國(guó)家級(jí)規(guī)劃教材 《 材料成形基本原理 》 三、 晶體長(zhǎng)大速度 連續(xù)長(zhǎng)大 二維晶核臺(tái)階長(zhǎng)大 螺旋位錯(cuò)臺(tái)階長(zhǎng)大 21mkmTRTHDR????????????????kTbR e xp22 ?233 kTR ??? ?普通高等教育 “ 十一五 ” 國(guó)家級(jí)規(guī)劃教材 《 材料成形基本原理 》 異質(zhì)形核后的界面能變化為: 異質(zhì)形核后體積自由能變化為 : 異質(zhì)形核引起的自由能變化為: ΔG he =ΔG( V) +ΔG(S) 由: 即可得到非均質(zhì)形核時(shí)的 r* 、 ΔG* 的表達(dá)式。 )c o sc o s32( 32 ???? ??LSr=SVVS VGrGVVVG ?????????? ??????3c osc os32 33 ???)=(0)c osc os32(23 c osc os323 332 =??????? ???????????? ????LSSVhe rVGrdrGdLSLCCS rrrSG ????????? 22222 s i n)c os1(2s i n)( ?????? 普通高等教育 “ 十一五 ” 國(guó)家級(jí)規(guī)劃教材 《 材料成形基本原理 》 ? 與 θ的關(guān)系圖形 當(dāng) θ= 0186。 時(shí), ΔGhe = 0,此時(shí)在無(wú)過(guò)冷情況下即可形核。 當(dāng) θ= 180186。 時(shí), ΔGhe = ΔGho 一般 θ遠(yuǎn)小于 180186。, ΔGhe 遠(yuǎn)小于 ΔGho θ ( 176。 ) f (θ) 10 30 50 70 90 110 130 150 170
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