mos反向器ppt課件-資料下載頁
2025-01-14 04:25本頁面
【正文】 出 Vo=VDD B區(qū)： P管工作在線性區(qū)， N管飽和 0 i TNVV??/2TN i D DV V V??22( ) ( )D S N n G S TN N i TNI k V V k V V? ? ? ?2[ 2 ( ) ( ) ( ) ]D S P p i D D T P o D D o D DI k V V V V V V V? ? ? ? ? ? ?DSP DSNII??...oV ?C區(qū)： N管和 P管都處于 飽和區(qū) /2i DDVV?22( ) ( )D S N n G S TN N i TNI k V V k V V? ? ? ?22( ) ( )D S P p G S T P p i D D T PI k V V k V V V? ? ? ? ? ? ?D SP D SNII??當 NPkk? TN TPVV?? 可得： /2i DDVV?， D S G S T NO i T NV V VV V V????D S G S TPO D D i D D TPO i TPV V VV V V V VV V V??? ? ? ???N管飽和： P管飽和： i T N O i T PV V V V V? ? ? ?合并后有： D區(qū)： /2D D i D D T PV V V V? ? ?P管飽和， N管線性 E區(qū)： D D T P i D DV V V V? ? ?P管截止， N管線性 輸出 Vo=0 噪聲容限 低噪聲容限： NML 高噪聲容限： NMH （教材 P119） 開關特性 在 CMOS電路中，負載電容 CL的充放電時間限制了門的開關速度。 負載電容的構成：下級輸入電容，本級輸出電容，連線電容。 上升時間 tr：波形從它的穩(wěn)態(tài)值的 10％上升到90％所需時間。 tr=? （公式 ） 下降時間 tf：波形從它的穩(wěn)態(tài)值的 90％下降到10％所需時間。 tf=?（公式 ） 兩部分組成： 1）：電容電壓 Vo從 VDDVTN所需時間 2）：電容電壓 Vo從 VDDVTN下降到 與下降時間類似 功耗 分為： 1）靜態(tài)功耗 PD CMOS反相器靜態(tài)功耗幾乎為零 2）動態(tài)功耗 PS ，動態(tài)功耗又可分為： 開關的瞬態(tài)電流造成的功耗 PA 負載電容的充電放電造成的功耗 PT 靜態(tài)內部反相器的設計 靜態(tài) CMOS反相器的設計： 1）對稱波形設計準則 要求 kp=kn 2）準對稱波形設計準則 要求 kp與 kn滿足一定的比例 動態(tài)反相器 D ф D和 Ф同時為 1， M1,M2同時導通 Y的值為 M1,M2的寬長比決定的地 電平 VOL值 Ф1 Ф2 D Ф1 和 Ф2是兩個互不重迭的時鐘 Ф1叫預充時鐘 Ф2叫求值時鐘 按比例縮小理論 分為 CE理論， CV理論， QCV理論 CE理論（恒定電場理論） 基本特點：器件尺寸，電源電壓縮小為 1/α倍 襯底濃度增加為原來的 α倍。 CV理論（恒定電源電壓按比例縮?。? 是 CE理論的修正，主要特點是保持電源電壓不變。 （準恒定電源電壓理論） 也是 CE理論的修正，電源電壓及其他量按 變化 ?
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