mos反向器ppt課件-閱讀頁
2025-01-29 04:25本頁面
【正文】 區(qū)： 飽和區(qū)： ? VGSVTH 晶體管截止 ? VGS?VTH，設(shè) VGS保持不變。 （ 2）當(dāng) VDS0時(shí)， IDS由 S流向 D， IDS隨 VDS變化基本呈線性關(guān)系。所以，IDS=(VGSVTH)/Rc不變，即電流 IDS基本保持不變，出現(xiàn)飽和現(xiàn)象。 總結(jié)： 4種 MOS管： （ 1） N溝增強(qiáng)： D GSN+ N+P SiSGDV d sV g =V tId sV g sVtId s(2)N溝耗盡： D GSN+ N+P SiSGDV d sV g =VtId sV g sVtId sV g =0（ 3） P溝增強(qiáng) : D GSP+ P+N SiSGDVd s ()Vg =VtId s ( )Vg s () VtId s ( )（ 4） P溝耗盡 : D GSP+ P+N SiSGDVd s ()Vg =VtId s ( )Vg s () VtId s ( )Vg =0第二部分 MOS反相器 反相器是 MOS數(shù)字集成電路中最基本的單元電路。 MOS反相器簡介： MOS反相器可分為：靜態(tài)反相器、動(dòng)態(tài)反相器。 負(fù)載元件可以是： 電阻（ E/R反相器），增強(qiáng)型 MOS（ E/E反相器），耗盡型 MOS（ E/D反相器）， P溝 MOS（ CMOS）。 由 ID1=ID2的條件可以得到輸出低電平： 22 ( )OHOLr O H TVVK V V? ?OH DD TV V V?? NMOS反相器 21[ ( ) ]2D n o x G S T H D S D SWI C V V V VL?? ? ?為了克服飽和負(fù)載反相器輸出高電平有閾值損失的缺點(diǎn)，可以把負(fù)載管 M2的柵極接一個(gè)更高的電壓 VGG，且 VGGVDD+VT，使負(fù)載管 M2由飽和區(qū)變?yōu)榫€性區(qū)。 此時(shí) ML工作狀態(tài)？ 此時(shí) ML工作狀態(tài)？（關(guān)鍵問題） 輸出達(dá)到高電平 VDD 自舉電容的大小對(duì)特性有很大影響 MB作用：使 ML柵壓不低于 VDDVTE CB作用：輸出電壓上升時(shí)， CB反偏到 ML的柵極，使 ML的柵壓 Vo升高而升高－－自舉效應(yīng) 注意： CB的大小對(duì)特性影響很大 影響自舉反相器性能的因素： 1）寄生電容 用 C0加以等效，自舉過程中 C0與 CB上的電荷總量恒定 （見 P114圖 ） 0G L G SL BV C V C? ? ??G L G SL oV V V? ? ? ? ?0BG L oBCVVCC? ? ??GLoVV????得到： 定義： ? 稱作自舉效率 VGL的升高低于VO的升高 2）反偏 PN結(jié)漏電流 由于 ME的反偏 PN結(jié)漏電流的存在， C0,CB上的電荷會(huì)不斷減少，導(dǎo)致 VGL下降，直到 ML截止，輸出電壓 Vo也逐漸降低。 耗盡負(fù)載反相器（ E/D反相器） （前面介紹過） 屬于 有比 反相器。 負(fù)載電容的構(gòu)成：下級(jí)輸入電容，本級(jí)輸出電容，連線電容。 tr=? （公式 ） 下降時(shí)間 tf：波形從它的穩(wěn)態(tài)值的 90％下降到10％所需時(shí)間。 CV理論（恒定電源電壓按比例縮?。? 是 CE理論的修正，主要特點(diǎn)是保持電源電壓不變
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