mos管工作原理講解-資料下載頁
2024-11-25 20:00本頁面
【正文】 來描述 vGS取一定值時(shí) ， 電流 iD和電壓 vDS間的關(guān)系 ， 它反映了漏極電壓 vDS對 iD的影響 。 即 可變電阻區(qū) :柵源電壓越負(fù) ，漏源間的等效電阻越大 ，輸出特性越傾斜 。 線性放大區(qū)：飽和區(qū) ， 恒流區(qū) ， FET用作放大電路的工作區(qū) 。 擊穿區(qū)：柵源間的 PN結(jié)發(fā)生雪崩擊穿 ， 管子不能正常工作 。 41 ??? JFET有正常放大作用時(shí)，溝道處于什么狀態(tài)？ JFET的特性曲線及參數(shù) 2. 轉(zhuǎn)移特性 c o ns t .GSD DS)( ?? vvfi)0()1( GSP2PGSD S SD ???? vVVvIiVP 在一定的 vDS下， vGS對 iD的控制特性。 實(shí)驗(yàn)表明，在 VP≤VGS≤0范圍內(nèi)，即飽和區(qū)內(nèi)，有： vDS=10V 42 ① 夾斷電壓 VP (或 VGS(off))： ② 飽和漏極電流 IDSS： ③ 低頻跨導(dǎo) gm： DSGSDm Vvig??? 時(shí)）（當(dāng) ?????????? 0)1(2GSPPPGSD S Sm ????? vVVVvIg或 3. 主要參數(shù) 漏極電流約為零時(shí)的 VGS值 。 在 vDS=常數(shù)時(shí)， iD的微變量和 vGS的微變量之比 。 ④ 輸出電阻 rd： GSDDSd Vivr???在 vGS=0的情況下，當(dāng) vDS|VP|時(shí)的漏極電流。 IDSS是 JFET所能輸出的最大電流。 反映了 vDS對 iD的影響。 互導(dǎo)反映了柵源電壓對漏極電流的控制能力 。 43 3. 主要參數(shù) ⑤ 直流輸入電阻 RGS： 在漏源之間短路的條件下，柵源之間加一定電壓時(shí)的柵源直流電阻就是直流輸入電阻 RGS。 ⑧ 最大漏極功耗 PDM ⑥ 最大漏源電壓 V(BR)DS ⑦ 最大柵源電壓 V(BR)GS 發(fā)生雪崩擊穿、 iD開始急劇上升時(shí)的 vDS值。 指輸入 PN結(jié)反向電流開始急劇增加時(shí)的 vGS值。 JFET的耗散功率等于 vDS與 iD的乘積。 PDM受管子最高工作溫度的限制。 44 結(jié)型場效應(yīng)管的缺點(diǎn)： 1. 柵源極間的電阻雖然可達(dá) 107以上，但在某些場合仍嫌不夠高。 3. 柵源極間的 PN結(jié)加正向電壓時(shí)，將出現(xiàn)較大的柵極電流。 絕緣柵場效應(yīng)管可以很好地解決這些問題。 2. 在高溫下， PN結(jié)的反向電流增大，柵源極間的電阻會顯著下降。 45 各種放大器件電路性能比較 1．各種 FET特性比較 2．使用注意事項(xiàng) 見 P237表 。 見教材 P236
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