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內(nèi)蒙古民族大學(xué)無(wú)機(jī)化學(xué)吉大武大版-第18章氫和稀有氣體-資料下載頁(yè)

2025-01-13 07:04本頁(yè)面
  

【正文】 F XeF4 + 4Hg → Xe + 2Hg2F2 XeF4(s) + Pt(s) → Xe(g) + PtF4(s) ② 都與水反應(yīng) : XeF2 + H2O → Xe + 2HF + 1/2 O2 (在稀酸中緩慢 ,在稀堿中快速放出 Xe↑) XeF4 與水歧化 : 6XeF4 + 12H2O → 4Xe + 24HF + 3O2 + 2XeO3 XeF6 與水猛烈反應(yīng) : 不完全水解 : XeF6 + H2O → XeOF4 + 2HF 完全水解 : XeF6 + 3H2O → XeO3 + 6HF ③ 均為氧化劑或氟化劑 1968 年第一次制得 BrO4? NaBrO3 + XeF2 + H2O == NaBrO4 + 2HF + Xe XeF6 + 3C6H6 → 3C6H5F + 3HF + Xe XeF2 + IF5 → Xe + IF7 XeF4 + 2SF4 → Xe + 2SF6 2XeF6 + SiO2 → 2XeOF4 + SiF4 (盛氙化物的容器不能是石英器皿 ) 2. Xe的含氧化合物 : XeO XeO4 及氙酸鹽與高氙酸鹽 : XeOF4 XeOF6 XeF4( XeF6) XeO3 XeO64 XeO4 HXeO4 H+ OH OH H2O O3 C、 H2SO4 b. 性質(zhì): ① XeO3:白色 , 易潮解 , 易爆炸固體 , 易溶于水 ,濃度高達(dá) 4mol/dm3, 水溶液不導(dǎo)電 , 表明 XeO3以分子狀態(tài)存在 。 ② 強(qiáng)氧化性: 6HCl + XeO3 → Cl2↑ + Xe + 3H2O 5XeO3 + 6Mn2+ + 9H2O → 5Xe + 6MnO4 + 18H+ 2XeO3+2Ba(OH)2 → Ba2XeO6↓+ Xe + O2 + 2H2O 高氙酸鋇沉淀 XeO3+ M(OH)2→M2XeO6↓: Na4XeO68H2O↓ MOH → M4XeO6 ↓ : Na4XeO66H2O↓ :K4XeO62H2O↓ XeO3 + 4NaOH + O3 → Na4XeO6↓+ O2 + 2H2O 3. 稀有氣體化合物的結(jié)構(gòu) 對(duì)稀有氣體化合物的結(jié)構(gòu) , 前面不同的理論解釋互相間存在一定的矛盾 , 因而稀有氣體化合物的結(jié)構(gòu)目前還未完全解決 , 但各種方法對(duì)簡(jiǎn)單的化合物處理結(jié)果是基本一致的 。 ( 1) 雜化軌道法: 稀有氣體為 8e 結(jié)構(gòu) , 不易得失電子 , 不易形成共 價(jià)鍵 , 但它當(dāng)與電負(fù)性大的原子作用時(shí) , 有可能使 np 電子激發(fā)到 nd 軌道 , 出現(xiàn)單電子而成鍵 。 SP3d雜化 XeF2: 5s: 5p: 5d: 3個(gè)孤對(duì)電子,直線型 SP3d2雜化 XeF4: 5s: 5p: 5d: 2個(gè)孤對(duì)電子 平面正方形 SP3d3雜化 XeF6: 5s: 5p: 5d: 1個(gè)孤對(duì)電子,變形八面體: 6個(gè) F 指向八面體的6個(gè)頂點(diǎn),一個(gè)孤電子對(duì)指向一個(gè)棱邊的中點(diǎn)或一個(gè)面的中心。 ( 2) 價(jià)層電子對(duì)互斥理論 ( VSEPR法 ) 價(jià)層電 成鍵電 孤對(duì)電 電子對(duì) 分子 子對(duì)數(shù) 子對(duì)數(shù) 子對(duì)數(shù) 構(gòu)型 構(gòu)型 XeF2 5 2 3 三角雙錐 直線型 XeF4 6 4 2 正八面體 平面正方形 XeF6 7 6 1 五角雙錐 變形八面體 可見(jiàn) VSEPR法與雜化軌道理論處理結(jié)果相近 。 ( 3) 分子軌道法 以 XeF2為例: Xe用 5px軌道上的 2個(gè)電子與 2個(gè) F原 子的 2px軌道上的各一個(gè)電子組成三中心四電子 σ鍵 。 此離域鍵有效的將 Xe 和 F 結(jié)合在一起 。 如圖: 三個(gè)原子軌道組成三個(gè) σ軌道 , 形成三中心四電子 б型離域鍵 。 由于形成 σ鍵 , 故為直線型 。 5px 2px Xe XeF2 2F 成鍵 非鍵 反鍵 XeF2分子軌道能級(jí)圖 作業(yè) : P618619 1 1 14。 第 18章 氫和稀有氣體
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