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后清洗生產(chǎn)培訓(xùn)ppt課件-資料下載頁

2025-01-10 16:11本頁面
  

【正文】 3溢流水) 。 上水刀 下水刀 風(fēng)刀 HF bath 氫氟酸槽采用 5%HF溶液噴淋浸泡,上下各四道水刀沖洗硅片兩面后,風(fēng)刀吹去硅片上面殘液. 氫氟酸循環(huán)噴淋使反應(yīng)充分 HF bath去PSG 硅片完全浸泡在溶液里 氫氟酸槽溶液流向圖(槽截面) 過濾器 泵 硅片運行平面 氫氟酸液流動方向 內(nèi)槽液面 外槽液面 F 噴淋頭 Rinse 3 三號洗槽采用循環(huán)水噴淋(水源為純水噴霧落進槽內(nèi)水) ,上下各兩道水刀沖洗硅片兩面后,上下各一道純水噴霧器清洗硅片兩面(流量 400l/ h). 循環(huán)水沖洗 DIWater噴霧器最后沖洗,水落進槽底,重復(fù)利用。 Dryer 2 二號干燥槽采用壓縮空氣吹干,上下各兩道風(fēng)刀使用馬達帶動來回拉動,吹干硅片。 吹干風(fēng)刀 濕法刻蝕相對等離子刻蝕的優(yōu)點 非擴散面 PN結(jié)刻蝕時被去除(原等離子刻蝕背面 PN結(jié)依靠絲印被鋁漿時,鋁還原硅片使 N形硅變?yōu)?P形硅,但所產(chǎn)生的 P形硅電勢不強); ? 硅片潔凈度提高(無等離子刻蝕的尾氣污染); ? 節(jié)水( rena使用循環(huán)水沖洗硅片,耗水約 8T/h。等離子刻蝕去 PSG用槽浸泡,用水量大) 。 濕法刻蝕相對等離子刻蝕的缺點 ? 硅片水平運行,機碎高:(等離子刻蝕去 PSG槽式浸泡甩干,硅片受沖擊?。? ? 下料吸筆易污染硅片:(等離子刻蝕去 PSG后甩干); ? 傳動滾軸易變形:( PP材質(zhì)且水平放置易變形); ? 成本高:(化學(xué)品刻蝕代替等離子刻蝕成本增加)。 THANK
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