后清洗生產(chǎn)培訓(xùn)ppt課件(參考版)
2025-01-13 16:11本頁(yè)面
【正文】 濕法刻蝕相對(duì)等離子刻蝕的缺點(diǎn) ? 硅片水平運(yùn)行，機(jī)碎高：（等離子刻蝕去 PSG槽式浸泡甩干，硅片受沖擊小）； ? 下料吸筆易污染硅片：（等離子刻蝕去 PSG后甩干）； ? 傳動(dòng)滾軸易變形：（ PP材質(zhì)且水平放置易變形）； ? 成本高：（化學(xué)品刻蝕代替等離子刻蝕成本增加）。 吹干風(fēng)刀 濕法刻蝕相對(duì)等離子刻蝕的優(yōu)點(diǎn) 非擴(kuò)散面 PN結(jié)刻蝕時(shí)被去除（原等離子刻蝕背面 PN結(jié)依靠絲印被鋁漿時(shí)，鋁還原硅片使 N形硅變?yōu)?P形硅，但所產(chǎn)生的 P形硅電勢(shì)不強(qiáng)）； ? 硅片潔凈度提高（無(wú)等離子刻蝕的尾氣污染）； ? 節(jié)水（ rena使用循環(huán)水沖洗硅片，耗水約 8T/h。 上水刀 下水刀 風(fēng)刀 HF bath 氫氟酸槽采用 5%HF溶液噴淋浸泡，上下各四道水刀沖洗硅片兩面后，風(fēng)刀吹去硅片上面殘液． 氫氟酸循環(huán)噴淋使反應(yīng)充分 HF bath去PSG 硅片完全浸泡在溶液里 氫氟酸槽溶液流向圖（槽截面） 過(guò)濾器 泵 硅片運(yùn)行平面 氫氟酸液流動(dòng)方向 內(nèi)槽液面 外槽液面 F 噴淋頭 Rinse 3 三號(hào)洗槽采用循環(huán)水噴淋（水源為純水噴霧落進(jìn)槽內(nèi)水） ，上下各兩道水刀沖洗硅片兩面后，上下各一道純水噴霧器清洗硅片兩面（流量 400l／ h）． 循環(huán)水沖洗 DIWater噴霧器最后沖洗，水落進(jìn)槽底，重復(fù)利用。 Rinse 1 一號(hào)洗槽采用循環(huán)水噴淋，上下各兩道水刀沖洗硅片兩面后，風(fēng)刀吹去硅片上面殘液（水源為 rinse 2溢流水）。刻蝕槽是通過(guò)液體的張力將刻蝕液吸附于硅片上，但硅片間間隙過(guò)小，液體就會(huì)浸
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