薄膜材料物理--第三章金屬薄膜的導(dǎo)電(1)-資料下載頁
2025-01-07 07:51本頁面
【正文】 ? ? ?b（實際上 k≥ ，上述結(jié)論也能給出滿意的結(jié)果） 而 k，而是網(wǎng)狀薄膜． 可見，表面光滑程序改善以后，薄膜的電導(dǎo)率變大。 對于部分漫反射的情況，用同樣方法推導(dǎo)有： 在 k1有： 第七講 第三章 金屬薄膜的導(dǎo)電 當(dāng)表面光滑程度達到傳導(dǎo)電子的波長（約 ） 數(shù)量級以后，漫反射才顯著減少．例如 : 襯底用：在超高真空中就劈裂的云母片 在基片上先沉積一層 Bi2O3薄膜 對于薄膜兩個表面的反射情況不同 p qzozd??? ??參 數(shù)參 數(shù)31?? ??b（ 2pq ）16k（ z=； z=d,q參數(shù)） 在 k1時，有： 第七講 第三章 金屬薄膜的導(dǎo)電 然而，對于部分漫反射情況占多數(shù)，其薄膜電阻率為： 31 ( 1 )8b pk????? ? ????? k d b??021 ,bbmvnq??? 308 ()3mvnh??而塊狀材料的電阻率為： 33223 1 3 1 1( ) 1 ( 1 ) ( )8 ( ) 8 3 8 ( )bF b F b shh pm v q d m v q??? ? ? ? ???? ? ? ? ?????所以有： 第七講 第三章 金屬薄膜的導(dǎo)電 83 ( 1 )sdp? ??為表面散射電子的平均自由程，其值為 馬提生定則：塊狀材料的電阻率等于聲子，雜質(zhì)， 缺陷（位錯，空位，填隙，應(yīng)變） 和晶界所引起的電阻率之和，所以有： 式中 s?323 1 1 1 1( )8 ( ) bF p m f ihm v q?? ? ? ? ?? ? ? ?聲 子 雜 質(zhì) 缺 陷 晶 界第七講 第三章 金屬薄膜的導(dǎo)電 所以，金屬薄膜（連續(xù)）的電阻率為： 323 1 1 1 1 1()8 ( ) = bF p m f i sp m f i shm v q?? ? ? ? ? ?? ? ? ? ?? ? ? ? ?? ? ? ?聲 子 雜 質(zhì) 缺 陷 晶 界 表 面 散 射 if???? ? ???晶 界缺 陷 （ 退 火 晶 粒 長 大 ， 晶 界 減 小 ）退 火對薄膜退火， 第七講 第三章 金屬薄膜的導(dǎo)電 1 1 1 1 1T C R =RFdd R p ll bd T T T b T d T???? ? ?? ? ? ?? ? ? ? R =Flbd?167。 35外因?qū)B續(xù)薄膜電導(dǎo)的影響 連續(xù)薄膜的電阻率溫度系數(shù) TCR Fdl
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