[理學(xué)]第3次磁介質(zhì)安培定理-資料下載頁
2024-12-08 01:03本頁面
【正文】 帶電粒子在電場和磁場中所受的力 電場力 eF q E?磁場力（洛倫茲力） mF q B??vBqEqF ???? ??? v運動電荷在電場和磁場中受的力 x yzo?v?B?mFq二 帶電粒子在磁場中運動舉例 RmBq200vv ?qBmR 0v?B?? ?0vqBmRT π2π20??v mqBTf π21 ??1 回旋半徑和回旋頻率 2 磁聚焦 （洛倫茲力不做功） ???v v vθs invv ??洛倫茲力 mF q B??v 與 不垂直 B?v?c os θ?vv mRqB?? vqBmT π2?c os ( 2 π / ( ) )d m qB???v T v螺距 磁聚焦 在均勻磁場中點 A 發(fā)射一束初速度相差不大的帶電粒子，它們的 與 之間的夾角 不同，但都較小，這些粒子沿半徑不同的螺旋線運動，因螺距近似相等，相交于屏上同一點，此現(xiàn)象稱為磁聚焦 。 ?0v?B? 應(yīng)用 電子光學(xué)，電子顯微鏡等 。 1 質(zhì)譜儀 P264 RmBq2vv ??vRBqm ??70 72 73 74 76 鍺的質(zhì)譜 三 帶電粒子在電場和磁場中運動舉例 質(zhì)譜儀的示意圖 v1S3S2S2P1PBB?2 回旋加速器 P265 1932年勞倫斯研制第一臺回旋加速器的 D型室。 此加速器可將質(zhì)子和氘核加速到 1 MeV的能量，為此 1939年勞倫斯獲諾貝爾物理學(xué)獎。 3 霍耳效應(yīng) BqqE dH v?BE dH v?BbU dH v? nqdIBU ?H nqR 1H ?霍耳系數(shù) dB?I bHUdIBRUHH ?霍耳電壓 + qdv?+ + + + + eF?mFbdqn dv?SqnI dv?I + + + + P 型半導(dǎo)體 + HUB?mF?dv?霍耳效應(yīng)的應(yīng)用 （ 2） 測量磁場 dIBRUHH ?霍耳電壓 （ 1） 判斷半導(dǎo)體的類型 mF?+ + + N 型半導(dǎo)體 HU B?I + dv?HHHU d UBKR I I? ? ?本次作業(yè) : 83 4 4 4 50
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