【總結】....生產(chǎn)實習課程名稱模擬集成電路設計實習學生學院___材料與能源學院_專業(yè)班級____10微電子2班________學號3110007483學生姓名____何俊鑫_____
2025-06-30 05:59
【總結】Spectre/Virtuoso/Calibre工具使用介紹實驗地點:信息科學實驗中心研究生實驗訓練基地馮立松汪瀚2023/3/241共88頁模擬集成電路的設計流程(spectre)(virtuoso)(DRCLVS)(calibre)(cal
2025-03-05 06:15
【總結】CMOS模擬集成電路設計穩(wěn)定性和頻率補償2022/2/9提綱2提綱?1、概述?2、多極點系統(tǒng)?3、相位裕度?4、頻率補償?5、兩級運放的補償2022/2/9概述31、概述?反饋系統(tǒng)存在潛在不穩(wěn)定性?振蕩條件(巴克豪森判據(jù))1、在ω1下,圍繞環(huán)路的相
2025-01-12 16:52
【總結】第3章模擬集成電路的非線性應用對數(shù)器和指數(shù)器乘法器及其應用二極管檢波器和絕對值變換器限幅器電壓比較器及其應用對數(shù)器和指數(shù)器對數(shù)器指數(shù)器集成化的對數(shù)器和指數(shù)器對數(shù)器和指數(shù)器對數(shù)器是實現(xiàn)輸出電壓與輸入電壓成對數(shù)關系的非線性模擬電路。
2025-04-29 12:07
【總結】CMOS集成電路設計基礎-數(shù)字集成電路基礎對邏輯門的基本要求1)魯棒性(用靜態(tài)或穩(wěn)態(tài)行為來表示)靜態(tài)特性常常用電壓傳輸特性(VTC)來表示即輸出與輸入的關系),傳輸特性上具有一些重要的特征點。邏輯門的功能會因制造過程的差異而偏離設計的期望值。(2)噪聲容限:芯片內(nèi)外的噪聲會使電路的響應偏離設計的期望值(電感、電容耦合,電源
2025-01-09 01:07
【總結】Spectre/Virtuoso/Calibre工具使用介紹2023/3/241共88頁模擬集成電路的設計流程(spectre)(virtuoso)(DRCLVS)(calibre)(calibre)(spectre)(gdsii)全定制2023/3/
【總結】集成電路設計基礎第六章集成電路器件及SPICE模型華南理工大學電子與信息學院廣州集成電路設計中心殷瑞祥教授2無源器件結構及模型二極管電流方程及SPICE模型雙極晶體管電流方程及SPICE模型結型場效應管JFET模型MESFET模型MOS管電流方程及SPICE模
2025-04-30 18:17
【總結】CMOS集成電路設計基礎-MOS器件MOS器件多晶硅GSD氧化層LeffLdrawnN+N+P型襯底LDWNMOS管的簡化結構制作在P型襯底上(P-Substrate,也稱bulk或body,為了區(qū)別于源極S,襯底以B來表示),兩個重摻雜N區(qū)形成源區(qū)和漏區(qū),
2025-01-12 16:50
【總結】第一章CMOS集成電路工藝基礎1、半導體材料:N型半導體:N-NN+P型半導體:P-PP+2、CMOS集成電路工藝氧化工藝攙雜工藝淀積工藝鈍化工藝光刻和腐蝕工藝
2025-05-11 01:31
【總結】模擬集成電路設計訓練報告題目:用運算放大器實現(xiàn)的振蕩器院系:信息學院電子工程系專業(yè):集成電路設計與集成系統(tǒng)學號:姓名:……指導教師:…..模擬集成電路設計實驗2目錄一、實驗環(huán)境..........................................
2025-08-17 12:07
【總結】金屬-氧化物-半導體(MOS)場效應管結型場效應管(JFET)*砷化鎵金屬-半導體場效應管各種放大器件電路性能比較MOSFET放大電路P溝道耗盡型P溝道P溝道N溝道增強型N溝道N溝道(耗盡型)FET場效應管JFET結型MOSFET絕緣柵型(IGFET)場效應管的分類:(電場效應,單
2025-02-21 10:49
2025-07-15 18:10
【總結】Chapter51第5章模擬集成電路及應用Chapter52主要內(nèi)容?集成運算放大器簡介?集成運算放大器的線性應用?集成運算放大器的非線性應用Chapter53集成電路:采用半導體制造工藝,在一小塊硅單晶片上制作的具有特定功能的電子線路?!锛呻娐返幕靖拍罘诸悾耗M集成電路與數(shù)字集成電路。
2025-01-19 12:01
【總結】1、與其它類型的晶體管相比,MOS器件的尺寸很容易按____比例____縮小,CMOS電路被證明具有_較低__的制造成本。2、放大應用時,通常使MOS管工作在_飽和_區(qū),電流受柵源過驅(qū)動電壓控制,我們定義_跨導_來表示電壓轉(zhuǎn)換電流的能力。3、λ為溝長調(diào)制效應系數(shù),對于較長的溝道,λ值____較小___(較大、較?。?。4、源跟隨器主要應用是起到___電壓緩沖器___的作用。5、
2025-03-25 03:48
【總結】第二章CMOS數(shù)字集成電路引言集成電路的主要生產(chǎn)工藝?晶片準備?制版?光刻工藝?氧化工藝?淀積?腐蝕
2025-05-05 12:05