【總結(jié)】....生產(chǎn)實(shí)習(xí)課程名稱模擬集成電路設(shè)計(jì)實(shí)習(xí)學(xué)生學(xué)院___材料與能源學(xué)院_專業(yè)班級____10微電子2班________學(xué)號3110007483學(xué)生姓名____何俊鑫_____
2025-06-30 05:59
【總結(jié)】Spectre/Virtuoso/Calibre工具使用介紹實(shí)驗(yàn)地點(diǎn):信息科學(xué)實(shí)驗(yàn)中心研究生實(shí)驗(yàn)訓(xùn)練基地馮立松汪瀚2023/3/241共88頁模擬集成電路的設(shè)計(jì)流程(spectre)(virtuoso)(DRCLVS)(calibre)(cal
2025-03-05 06:15
【總結(jié)】CMOS模擬集成電路設(shè)計(jì)穩(wěn)定性和頻率補(bǔ)償2022/2/9提綱2提綱?1、概述?2、多極點(diǎn)系統(tǒng)?3、相位裕度?4、頻率補(bǔ)償?5、兩級運(yùn)放的補(bǔ)償2022/2/9概述31、概述?反饋系統(tǒng)存在潛在不穩(wěn)定性?振蕩條件(巴克豪森判據(jù))1、在ω1下,圍繞環(huán)路的相
2025-01-12 16:52
【總結(jié)】第3章模擬集成電路的非線性應(yīng)用對數(shù)器和指數(shù)器乘法器及其應(yīng)用二極管檢波器和絕對值變換器限幅器電壓比較器及其應(yīng)用對數(shù)器和指數(shù)器對數(shù)器指數(shù)器集成化的對數(shù)器和指數(shù)器對數(shù)器和指數(shù)器對數(shù)器是實(shí)現(xiàn)輸出電壓與輸入電壓成對數(shù)關(guān)系的非線性模擬電路。
2025-04-29 12:07
【總結(jié)】CMOS集成電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)-數(shù)字集成電路基礎(chǔ)對邏輯門的基本要求1)魯棒性(用靜態(tài)或穩(wěn)態(tài)行為來表示)靜態(tài)特性常常用電壓傳輸特性(VTC)來表示即輸出與輸入的關(guān)系),傳輸特性上具有一些重要的特征點(diǎn)。邏輯門的功能會因制造過程的差異而偏離設(shè)計(jì)的期望值。(2)噪聲容限:芯片內(nèi)外的噪聲會使電路的響應(yīng)偏離設(shè)計(jì)的期望值(電感、電容耦合,電源
2025-01-09 01:07
【總結(jié)】Spectre/Virtuoso/Calibre工具使用介紹2023/3/241共88頁模擬集成電路的設(shè)計(jì)流程(spectre)(virtuoso)(DRCLVS)(calibre)(calibre)(spectre)(gdsii)全定制2023/3/
【總結(jié)】集成電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)第六章集成電路器件及SPICE模型華南理工大學(xué)電子與信息學(xué)院廣州集成電路設(shè)計(jì)中心殷瑞祥教授2無源器件結(jié)構(gòu)及模型二極管電流方程及SPICE模型雙極晶體管電流方程及SPICE模型結(jié)型場效應(yīng)管JFET模型MESFET模型MOS管電流方程及SPICE模
2025-04-30 18:17
【總結(jié)】CMOS集成電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)-MOS器件MOS器件多晶硅GSD氧化層LeffLdrawnN+N+P型襯底LDWNMOS管的簡化結(jié)構(gòu)制作在P型襯底上(P-Substrate,也稱bulk或body,為了區(qū)別于源極S,襯底以B來表示),兩個(gè)重?fù)诫sN區(qū)形成源區(qū)和漏區(qū),
2025-01-12 16:50
【總結(jié)】第一章CMOS集成電路工藝基礎(chǔ)1、半導(dǎo)體材料:N型半導(dǎo)體:N-NN+P型半導(dǎo)體:P-PP+2、CMOS集成電路工藝氧化工藝攙雜工藝淀積工藝鈍化工藝光刻和腐蝕工藝
2025-05-11 01:31
【總結(jié)】模擬集成電路設(shè)計(jì)訓(xùn)練報(bào)告題目:用運(yùn)算放大器實(shí)現(xiàn)的振蕩器院系:信息學(xué)院電子工程系專業(yè):集成電路設(shè)計(jì)與集成系統(tǒng)學(xué)號:姓名:……指導(dǎo)教師:…..模擬集成電路設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)2目錄一、實(shí)驗(yàn)環(huán)境..........................................
2025-08-17 12:07
【總結(jié)】金屬-氧化物-半導(dǎo)體(MOS)場效應(yīng)管結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)*砷化鎵金屬-半導(dǎo)體場效應(yīng)管各種放大器件電路性能比較MOSFET放大電路P溝道耗盡型P溝道P溝道N溝道增強(qiáng)型N溝道N溝道(耗盡型)FET場效應(yīng)管JFET結(jié)型MOSFET絕緣柵型(IGFET)場效應(yīng)管的分類:(電場效應(yīng),單
2025-02-21 10:49
2025-07-15 18:10
【總結(jié)】Chapter51第5章模擬集成電路及應(yīng)用Chapter52主要內(nèi)容?集成運(yùn)算放大器簡介?集成運(yùn)算放大器的線性應(yīng)用?集成運(yùn)算放大器的非線性應(yīng)用Chapter53集成電路:采用半導(dǎo)體制造工藝,在一小塊硅單晶片上制作的具有特定功能的電子線路?!锛呻娐返幕靖拍罘诸悾耗M集成電路與數(shù)字集成電路。
2025-01-19 12:01
【總結(jié)】1、與其它類型的晶體管相比,MOS器件的尺寸很容易按____比例____縮小,CMOS電路被證明具有_較低__的制造成本。2、放大應(yīng)用時(shí),通常使MOS管工作在_飽和_區(qū),電流受柵源過驅(qū)動電壓控制,我們定義_跨導(dǎo)_來表示電壓轉(zhuǎn)換電流的能力。3、λ為溝長調(diào)制效應(yīng)系數(shù),對于較長的溝道,λ值____較小___(較大、較小)。4、源跟隨器主要應(yīng)用是起到___電壓緩沖器___的作用。5、
2025-03-25 03:48
【總結(jié)】第二章CMOS數(shù)字集成電路引言集成電路的主要生產(chǎn)工藝?晶片準(zhǔn)備?制版?光刻工藝?氧化工藝?淀積?腐蝕
2025-05-05 12:05