73隨機(jī)存儲器ram-資料下載頁
2025-09-21 09:41本頁面
【導(dǎo)讀】《數(shù)字電子技術(shù)》?！粼赗AM工作時可以隨時從任何一個指定地址讀出數(shù)。據(jù)，也可以隨時將數(shù)據(jù)寫入任何一個指定的存儲單。主要利用靜態(tài)觸發(fā)器的自保功能存儲特性。*雙極型RAM存儲單元：TTL、ECL、IIL. 主要利用MOS管柵極電容的存儲電荷的原理。*四管動態(tài)、三管動態(tài)（早期）。外圍控制電路簡單、讀出信號大，但不利于集成；半導(dǎo)體存儲器典型示例及分析。示例1——移動U盤：。示例4——BIOS：EPROM. 示例5——CMOS：SRAM. 計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中存儲器示例及對比小結(jié)。類型具體示例所屬類型判斷依據(jù)。閃存卡ROM讀/寫操作靈活性及速度、掉電數(shù)據(jù)不易失。內(nèi)存條RAM掉電數(shù)據(jù)易失。硬盤/移動硬盤、軟。盤、磁帶機(jī)非半導(dǎo)體存儲器依據(jù)磁粒子的極性讀/寫。光盤非半導(dǎo)體存儲器用激光束讀/寫
【正文】 及速度、 掉電數(shù)據(jù)不易失 U盤 ROM(E2PROM、Flash) 讀 /寫操作靈活性及速度、掉電數(shù)據(jù)不易失 閃存卡 ROM(Flash) 讀 /寫操作靈活性及速度、 掉電數(shù)據(jù)不易失 CMOS RAM(SRAM) 掉電數(shù)據(jù)易失 Cache RAM(SRAM) 掉電數(shù)據(jù)易失 內(nèi)存條 RAM(DRAM) 掉電數(shù)據(jù)易失 外部存儲器 硬盤 /移動硬盤、軟盤、磁帶機(jī) 非半導(dǎo)體存儲器 依據(jù)磁粒子的極性讀 /寫 光盤 非半導(dǎo)體存儲器 用激光束讀 /寫
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