73隨機存儲器ram-資料下載頁
2024-09-30 09:41本頁面
【導讀】《數(shù)字電子技術》?！粼赗AM工作時可以隨時從任何一個指定地址讀出數(shù)。據，也可以隨時將數(shù)據寫入任何一個指定的存儲單。主要利用靜態(tài)觸發(fā)器的自保功能存儲特性。*雙極型RAM存儲單元：TTL、ECL、IIL. 主要利用MOS管柵極電容的存儲電荷的原理。*四管動態(tài)、三管動態(tài)（早期）。外圍控制電路簡單、讀出信號大，但不利于集成；半導體存儲器典型示例及分析。示例1——移動U盤：。示例4——BIOS：EPROM. 示例5——CMOS：SRAM. 計算機系統(tǒng)中存儲器示例及對比小結。類型具體示例所屬類型判斷依據。閃存卡ROM讀/寫操作靈活性及速度、掉電數(shù)據不易失。內存條RAM掉電數(shù)據易失。硬盤/移動硬盤、軟。盤、磁帶機非半導體存儲器依據磁粒子的極性讀/寫。光盤非半導體存儲器用激光束讀/寫
【正文】 及速度、 掉電數(shù)據不易失 U盤 ROM(E2PROM、Flash) 讀 /寫操作靈活性及速度、掉電數(shù)據不易失 閃存卡 ROM(Flash) 讀 /寫操作靈活性及速度、 掉電數(shù)據不易失 CMOS RAM(SRAM) 掉電數(shù)據易失 Cache RAM(SRAM) 掉電數(shù)據易失 內存條 RAM(DRAM) 掉電數(shù)據易失 外部存儲器 硬盤 /移動硬盤、軟盤、磁帶機 非半導體存儲器 依據磁粒子的極性讀 /寫 光盤 非半導體存儲器 用激光束讀 /寫
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