hdi微孔技術(shù)研究程-資料下載頁
2025-05-10 15:54本頁面
【正文】 線延 線延時(shí)間 TD: ( ns : nanosecond 毫微米 )說明信號(hào)的傳遞速度與互連長度相關(guān) TD=L εr (12in/ns)=82ns/in L εr HDI基材的低介電常數(shù)有利于減少線延 .在常規(guī)的 FR4板中 ,玻璃纖維的介電常數(shù) 大約為 ,環(huán)氧樹脂介電常數(shù)大約為 ,根據(jù)玻璃和環(huán)氧混合的原則 ,FR4的介電常數(shù) 在 . 附表 :常用 HDI介質(zhì)的介電常數(shù) 材料 介電常數(shù) 材料 介電常數(shù) 光致成像介質(zhì)環(huán)氧樹脂 環(huán)氧樹脂 RCC 環(huán)氧丙烯酸酯 FR4(玻玻布 ) ~ )環(huán)氧芳香族酰亞胺 (Alivh) Dupont聚酰亞胺薄膜 膨脹性 PTFE GoreTex Microlam(聚四氟乙烯 ) Drclad (IBM)(玻璃布 ) 雙馬來酰胺三嗪樹脂 (BT)(玻璃布 ) 氰酸酯 (Eglass) 六、參考文件及專用名詞 參考書籍 …… 印制電路信息 雜志 2021…3 amp。 IPC4104 :high density interconnection,高密度互聯(lián) 專用名詞 : Interconnection Technology Research Institute : :padwithinpad :microvia :target pad : BallGrid Array : Chip Scale Packaging : Surface Laminar Circuit : Autorouters : Plasma Etched Redistribution Layers :Copper Vapor Laser :YAG(Neodymium doped yttriumaluminumgar)釹 :釔鋁石榴石 .YAG激光受激 光介質(zhì)晶體。 :YLF(Neodymium doped yttriumlithiumfluoride)釹 :釔鋰氟化物 .YLF激光受激光 介質(zhì)晶體。 :Design for Manufacturability 可制造性設(shè)計(jì) (photochemical ablation)有機(jī)物被除去 ,其中分子內(nèi)的鍵被高能量的光 子擊斷 . (photothermal ablation)由于受熱或氣化造成有機(jī)材料被除去的過程 . (Telecentric lens):一種特別設(shè)計(jì)的透鏡 ,其輸出光束永遠(yuǎn)與工件表面垂直 . (Excimer laser):由氟化氬 ,氯化氙等二聚物氣體產(chǎn)生等離子體發(fā)出的紫 外激光 . :由一氧化碳 ,二氧化碳 ,氦氣 ,氮?dú)獾然旌蠚怏w產(chǎn)生的等離子體發(fā)出的激光 , 首通訊輸出在紅外光譜段 ,波長位于 9300納米與 10600納米之間 . :YAG:頻率成倍 (兩倍或三倍 )增長的 YAG激光 ,波長為 355納米或 266納米 ,在紫 外光譜區(qū) . 20. YAG激光 (YAG laser):初級(jí)輸出在紅外光區(qū) ,波長為 1064納米 ,由 Nd:YAG固態(tài)晶體 產(chǎn)生 .
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