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現(xiàn)代分析測試技術(shù)se-資料下載頁

2025-05-10 10:09本頁面
  

【正文】 變化的 ESEM圖像 場發(fā)射掃描電子顯微鏡技術(shù)指標(biāo) ?分辨率 — 加速電壓 30kV; ?分辨率 — 加速電壓 1kV; ?當(dāng)代掃描電鏡更新?lián)Q代的主流 — 促使 高分辨掃描電子顯微術(shù) 和 低能掃描電子顯微術(shù) 得到很大發(fā)展; 場發(fā)射掃描電鏡主要發(fā)展 ?進(jìn)一步 提高電子束照明源的工作穩(wěn)定性 ,減小其閃爍噪音:以 ZrO/W(100)單晶作肖特基式陰極的場致發(fā)射電子槍,可以保證在 1800K的工作溫度下電子發(fā)射穩(wěn)定。 ?進(jìn)一步提高在 低加速電壓下對大試樣觀察和分析的分辨率 :在半浸沒型物鏡設(shè)計的基礎(chǔ)上同時 采用光闌角控制透鏡和動力學(xué)補(bǔ)償物鏡球差 的電子學(xué)方法等技術(shù)措施;在檢測器前輔加一對加速電極和一對阻止電極, 提高對二次電子的檢測效率: 德國 Mira型掃描電鏡:被檢物最大尺寸可為 直徑 700mm, 高 600mm, 長 1400mm,最大重量可達(dá) 300公斤,真空室長 1400,寬 1100和高 1200mm。 分辨本領(lǐng) 4nm, 加速電壓 ~ 20kV。 計算機(jī)智能控制、非破壞性檢測; 應(yīng)用: 工業(yè)產(chǎn)品質(zhì)量管理,微機(jī)加工和工藝品的檢查、考古研究等。
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