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【正文】 米）及 18英寸（ 450 毫米）等。 直徑越大的圓片，所能刻制的集成電路越多，芯片的成本也就越低 。但大尺寸晶片對(duì)材料 和技術(shù)的要求也越高。單晶硅按晶體生長方法的不同，分為直拉法（ CZ）、區(qū)熔法（ FZ）和外延法。直拉法、區(qū)熔法生長單晶硅棒材，外延法生長單晶硅薄膜。直拉法生長的單晶硅主要用于半導(dǎo)體集成電路、二極管、外延片襯底、太陽能電池。目前晶體直徑可控制在Φ 3～ 8 英寸。區(qū)熔法單晶主要用于高壓大功率可控整流器件領(lǐng)域，廣泛用于大功率輸變電、電力機(jī)車、整流、變頻、機(jī)電一體化、節(jié)能燈、電視機(jī)等系列產(chǎn)品。目前晶體直徑可控制在Φ 3～ 6 英寸。外延片主要用于集成電路領(lǐng)域。 由于成本和性能的原因，直拉法（ CZ）單晶硅材料應(yīng)用最廣。在 IC工業(yè)中所用的材料主要是 CZ拋光片和外延片。存儲(chǔ)器電路通常使用 CZ 拋光片，因成本較低。邏輯電路一般使用價(jià)格較高的外延片，因其在 IC制造中有更好的適用性并具有消除 Latch－ up 的能力。 年產(chǎn) 200t 單晶硅及 1200 萬片 單晶 硅 切 片生產(chǎn)線項(xiàng)目 可行性報(bào)告書 4 單晶硅也稱 硅 單晶 ，是電子信息材料中最基礎(chǔ)性材料，屬半導(dǎo)體材料類。單晶硅已滲透到國民經(jīng)濟(jì)和國防科技中各個(gè)領(lǐng)域，當(dāng)今全球超過 2021億美元的電子通信半導(dǎo)體市場中 95%以上的半導(dǎo)體器件及 99%以上的集成電路用硅。 高純的單晶硅棒是單晶硅太陽電池的原料，硅純度要求 ％。單晶硅太陽電池是當(dāng)前開發(fā)得最快的一種太陽電池，它的構(gòu)和 生產(chǎn)工藝已定型，產(chǎn)品已廣泛用于空間和地面。為了降低生產(chǎn)成本，現(xiàn)在地面應(yīng)用的太陽電池等采用太陽能級(jí)的單晶硅棒，材料性能指標(biāo)有所放寬。有的也可使用半導(dǎo)體器件加工的頭尾料和廢次單晶硅材料，經(jīng)過復(fù)拉制成太陽電池專用的單晶硅棒。 單晶硅是轉(zhuǎn)化太陽能、電能的主要材料。在日常生活里，單晶硅可以說無處不在，電視、電腦、冰箱、電話、汽車等等，處處離不開單晶硅材料；在高科技領(lǐng)域，航天飛機(jī)、宇宙飛船、人造衛(wèi)星的制造，單晶硅同樣是必不可少的原材料。 在科學(xué)技術(shù)飛速發(fā)展的今天，利用單晶硅所生產(chǎn)的太陽能電池可以直接把太陽能轉(zhuǎn)化 為光能，實(shí)現(xiàn)了邁向綠色能源革命的開始。現(xiàn)在，國外的太陽能光伏電站已經(jīng)到了理論成熟階段，正在向?qū)嶋H應(yīng)用階段過渡，太陽能單晶硅的利用將普及到全世界范圍，市場需求量不言而喻。 可行性研究依據(jù)及范圍 研究依據(jù) (1)*****有限公司 委托 知名 工程設(shè)計(jì)研究院進(jìn)行該項(xiàng)目可行性研究的合同。 年產(chǎn) 200t 單晶硅及 1200 萬片 單晶 硅 切 片生產(chǎn)線項(xiàng)目 可行性報(bào)告書 5 (2)*****有限公司 提供的有關(guān)基礎(chǔ)資料。其中包括 :企業(yè)基本情況、項(xiàng)目工藝流程、引進(jìn)及國產(chǎn)設(shè)備情況、財(cái)務(wù)核算依據(jù)、項(xiàng)目建設(shè)地基本情況等。 (3)國家 信息產(chǎn)業(yè) 相關(guān)政策。 研究范圍 根據(jù)上述 文件要求，本報(bào)告對(duì) ****有限公司年產(chǎn) 200t 單晶硅及 1200萬片單晶硅切片 生產(chǎn)線項(xiàng)目 進(jìn)行分析研究，內(nèi)容包括產(chǎn)品方案、生產(chǎn)規(guī)模、市場需求、工程技術(shù)方案、環(huán)境保護(hù)、投資估算和資金籌措、經(jīng)濟(jì)效益分析等。 項(xiàng)目的 目標(biāo)和主要內(nèi)容 項(xiàng)目的 目標(biāo) 項(xiàng)目將形成 年產(chǎn) 200t 單晶硅及 1200 萬片單晶硅切片 的生產(chǎn)規(guī)模。達(dá)產(chǎn)后，年銷售收入 66000 萬元；增值稅 2247 萬元，所得稅 1742 萬元，利潤總額為 6970 萬元。 項(xiàng)目的主要內(nèi)容 (1)項(xiàng)目將根據(jù)年產(chǎn) 200t 單晶硅及 1200萬片單晶硅切片 的 生產(chǎn)規(guī)模，利用已有廠房 及 公用輔助設(shè)施，引進(jìn)具有國際先進(jìn)水平的 切片機(jī) 、切方機(jī)及 硅片檢測設(shè)備 ；購置 熱場、碳?xì)?、石英坩鍋、直拉式單晶爐、單晶硅帶鋸床 等國產(chǎn)設(shè)備 。 (2)廠區(qū)內(nèi)供電、供水等公用配套設(shè)施和生活設(shè)施 的改造及建設(shè) 。 (3)貫徹環(huán)境保護(hù)“三同時(shí)”、職業(yè)安全衛(wèi)生和節(jié)能原則 。 總投資及資金來源 年產(chǎn) 200t 單晶硅及 1200 萬片 單晶 硅 切 片生產(chǎn)線項(xiàng)目 可行性報(bào)告書 6 固定資產(chǎn)總投資 ： 本次投資固定資產(chǎn)總額為 10500 萬元，其中； 設(shè)備及安裝工程 : 9559 萬元 （ 540 萬美元） ； 建設(shè)期利息 120 萬元； 其他費(fèi)用 :821 萬元。 項(xiàng)目總投資： 13000 萬元 (含鋪底流動(dòng)資金 2500 萬元 )。 流動(dòng)資金： 8000 萬元 (含鋪底流動(dòng)資金 2500萬元 )。 資金來源： 固定資產(chǎn)投資由企業(yè)自籌 6000 萬元， 或 銀行貸款 4500 萬元。流動(dòng)資金銀行貸款 5500 萬元，企業(yè)自籌 2500萬元。 研究的主要結(jié)果 經(jīng)可行性研究其結(jié)論性結(jié)果為： (1)在國務(wù)院批轉(zhuǎn)國家發(fā)改委《產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整指導(dǎo)目錄 (2021年本 )》鼓勵(lì)類第 二十四 條中 信息產(chǎn)業(yè) 第 38條為： 6英寸及以上單晶硅、多晶硅及晶片制造 。充分說明本項(xiàng)目是國家產(chǎn)業(yè)政策重點(diǎn)支持和鼓勵(lì)發(fā)展的。 (2)本項(xiàng)目擬引進(jìn)的切片機(jī) 、切方機(jī) 及硅片檢測設(shè)備技術(shù)先進(jìn)、自動(dòng)化程度高、 監(jiān)測手段完備，是目前國際上最先進(jìn)的 單晶硅 片制造設(shè)備。國產(chǎn)設(shè)備選用也以先進(jìn)、高效、環(huán)保、節(jié)能為原則。 (3)項(xiàng)目 產(chǎn)品 單晶硅 片 是光伏產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵材料，國內(nèi)外市場潛力巨大 。 (4)本項(xiàng)目將根據(jù) 年產(chǎn) 200t 單晶硅及 1200 萬片單晶硅切片 的 生產(chǎn)規(guī)模 ， 利用已有廠房 進(jìn)行工藝設(shè)備布置，使工藝流程合理、物流通暢 ，可做到上馬快，見效快。 (5)項(xiàng)目重視環(huán)境保護(hù)，擬投入適量資金建造環(huán)保設(shè)施對(duì)三廢進(jìn)行處理，經(jīng)處理后的廢水、廢氣將達(dá)到排放標(biāo)準(zhǔn) 。 項(xiàng)目勞動(dòng)安全衛(wèi)生、消防等年產(chǎn) 200t 單晶硅及 1200 萬片 單晶 硅 切 片生產(chǎn)線項(xiàng)目 可行性報(bào)告書 7 問題將通過恰當(dāng)措施得以妥善解決 。 (6)項(xiàng)目總投資為 13000萬 元，其中固定資產(chǎn)投資 10500 萬元，鋪底流動(dòng)資金 2500 萬元 。 達(dá)產(chǎn)后將形成 年產(chǎn) 200t單晶硅及 1200萬片單晶硅切片的生產(chǎn)能力 。 (7)項(xiàng)目建設(shè)期 12 個(gè)月 ， 達(dá)產(chǎn)后，年新增銷售收入 66000 萬元，增值稅為 2247 萬元，銷售稅金及附加為 180 萬元，利潤總額為 6970 萬元 。 (8)項(xiàng)目實(shí)施后，企業(yè)實(shí)力將顯著增強(qiáng)，經(jīng)濟(jì)分析表明： 內(nèi)部收益率為： % (所得稅后 ) 投資回收期為： (所得稅后 ) 投資利潤率為： % 投資利稅率為： % 由上可見，無論是從產(chǎn)品還是市場來看，本項(xiàng)目設(shè)備 較先進(jìn) ， 其產(chǎn)品技術(shù)含量 較 高、企業(yè)利潤率高、市場銷售良好、盈利能力強(qiáng)，具有良好的社會(huì)效益及一定的抗風(fēng)險(xiǎn)能力，因而項(xiàng)目是可行的 。 年產(chǎn) 200t 單晶硅及 1200 萬片 單晶 硅 切 片生產(chǎn)線項(xiàng)目 可行性報(bào)告書 8 主要技術(shù)經(jīng)濟(jì)指標(biāo)表 主要數(shù)據(jù) 生產(chǎn)綱領(lǐng) 年產(chǎn) 200t單晶硅及 1200萬片單晶硅切片 產(chǎn)品方案 年產(chǎn) 200t單晶硅及 1200萬片單晶硅切片 原輔材料 多晶硅料 192t 免清洗單晶硅料 288t 其他輔料 1378t 新增主要生產(chǎn)設(shè)備 697臺(tái)套 公用工程 用水量 20 104噸 /a 用電量 3200 萬 度 /a 人員 (新增 ) 300 人 全年生產(chǎn)天數(shù) 300 天 項(xiàng)目 實(shí)施地 建筑面積 (m178。) 30236 固定資產(chǎn)投資 (萬元 ) 10500 銷售收入及稅金 銷售收入 (萬元 ) 66000 增值稅 (萬元 ) 2247 銷售稅金附加 (萬元 ) 180 利潤總額 (萬元 ) 6970 所得稅 (萬元 ) 1742 財(cái)務(wù)評(píng)價(jià) 全部投資財(cái)務(wù)內(nèi)部收益率 (稅后 ) % 投資利潤率 % 投資利稅率 % 投資回收期 (稅后 ) 年 年產(chǎn) 200t 單晶硅及 1200 萬片 單晶 硅 切 片生產(chǎn)線項(xiàng)目 可行性報(bào)告書 9 第二章 企業(yè)基本情況 企業(yè)概況 ****有限公司 于 2021 年 5 月， 由 *****有限公司及 ****有限公司共同出資成立。公司 位于 *****工業(yè)區(qū) 。公司注冊(cè)資本 3800萬元，總投資 13000萬元，是一家集研發(fā)、生產(chǎn)、銷售為一體的高新技術(shù)硅材料生產(chǎn)加工企業(yè)，主要從事單晶硅棒、單晶硅片的研究、制造、銷售和服務(wù)。 *****有限公司 聘請(qǐng)國內(nèi)最早從事半導(dǎo)體材料生產(chǎn)的國家級(jí)研究所著名專家，并 且引進(jìn)了一支專業(yè)技術(shù)隊(duì)伍 ， 公司現(xiàn)有員工 100 余人。公司 擬引進(jìn)瑞士、日本 等國 的切片機(jī)、切方機(jī)及 硅片檢測設(shè)備 11臺(tái)套，購置國產(chǎn)單晶爐、單晶硅帶鋸床等生產(chǎn)檢測設(shè)備 686 臺(tái)套，實(shí)施單晶硅 及晶片 生產(chǎn)項(xiàng)目。 項(xiàng)目 達(dá) 產(chǎn)后，產(chǎn)品產(chǎn)量為： 8英寸 單晶硅 200t/a（切割能力約 1200萬片 /a）。 *****有限公司 *****有限公司于 2021 年開始投產(chǎn)，現(xiàn)擁有 ****名 職 工，多條生產(chǎn)流水線。公司占地面積 80000平方米，建筑面積 35000平方米，固定資產(chǎn) 7000年產(chǎn) 200t 單晶硅及 1200 萬片 單晶 硅 切 片生產(chǎn)線項(xiàng)目 可行性報(bào)告書 10 多萬元 ， 2021 年度 *****有限 公司 總產(chǎn)值為 億元。 公司主要生產(chǎn) *****等 產(chǎn)品 ，年產(chǎn) 量數(shù)件產(chǎn)品 ，產(chǎn)品遠(yuǎn)銷日本、歐洲、美國等國家和地區(qū)，公司配備各類進(jìn)口設(shè)備 ****套，配套了專用的 *****設(shè)備及 *****系統(tǒng)，并形成了以 *****產(chǎn)品 的生產(chǎn)、后期加工為特色的一條龍服務(wù)。 公司一向貫徹“務(wù)實(shí)創(chuàng)新、信譽(yù)至上”的宗旨， 本著客戶至上的理念，不斷加強(qiáng)管理，改良設(shè)備，提高生產(chǎn)技術(shù)，以高標(biāo)準(zhǔn)、嚴(yán)要求把好各項(xiàng)質(zhì)量關(guān)口，始終把客戶的滿意率作為我們最終目標(biāo)。 *****有限公司 *****有限公司 ,注冊(cè)地址為 *****。公 司現(xiàn)有 設(shè)備 *****臺(tái)，職工 *****人，年產(chǎn) *****萬件，生產(chǎn)總值 *****萬元，實(shí)現(xiàn)利稅 *****萬元。 企業(yè)承辦條件及優(yōu)勢(shì) 企業(yè)承辦本項(xiàng)目的優(yōu)勢(shì)主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面： (1)主要股東方是 *****地區(qū)的成功企業(yè)家，能很好地組織社會(huì)資源和自然資源，運(yùn)用成功的企業(yè)管理經(jīng)驗(yàn)為企業(yè)新業(yè)務(wù)項(xiàng)目的運(yùn)營提供可靠的支持和保證，為地方經(jīng)濟(jì)的發(fā)展添采。 (2)節(jié)能減排、資源環(huán)保是國家的百年大計(jì)，有 *****地方政府對(duì)項(xiàng)目的鼎立支持和關(guān)愛，為企業(yè)項(xiàng)目把握方向。 (3)技術(shù)人才優(yōu)勢(shì) *****有限公司聘請(qǐng)國內(nèi) 最早從事半導(dǎo)體材料生產(chǎn)的國家級(jí)研究所著名專家，并且引進(jìn)了一支專業(yè)技術(shù)隊(duì)伍，使公司在 單晶硅棒、單晶硅片的研究、制造 等方面均有一定的優(yōu)勢(shì)；引進(jìn)人才在 單晶硅棒、單晶硅片 規(guī)模年產(chǎn) 200t 單晶硅及 1200 萬片 單晶 硅 切 片生產(chǎn)線項(xiàng)目 可行性報(bào)告書 11 生產(chǎn)的生產(chǎn)線建設(shè)、設(shè)備采購、工藝流程、成本控制、原材料采購 及產(chǎn)品銷售 等方面均擁有成熟的經(jīng)驗(yàn)，產(chǎn)品的利潤率較高。因此， *****有限公司實(shí)施本項(xiàng)目，技術(shù)有保證、市場前境廣闊。 第三章 市場預(yù)測和產(chǎn)品方案 國內(nèi)外太陽能光伏組件市場概況 國外光伏組件概況 (1)太陽能光伏發(fā)電 世界光伏組件在過去 15 年快速增長 ， 21世紀(jì)初 ，發(fā) 展更加迅速，最近三年平均年增長率超過 20%。 2021年光伏組件生產(chǎn)達(dá)到 1282MW。在產(chǎn)業(yè)方面，各國一直通過擴(kuò)大規(guī)模、提高自動(dòng)化程度，改進(jìn)技術(shù)水平、開拓市場等措施降低成本，并取得了巨大進(jìn)展。商品化電池效率從 1013%提高到%。單條生產(chǎn)線生產(chǎn)規(guī)模從 15MW/年發(fā)展到 535MW/年，并正在向 50MW 甚至 100MW擴(kuò)大；光伏組件的生產(chǎn)成本降到 3 美元 /瓦以下。 (2)21 世紀(jì)世界光伏發(fā)電的發(fā)展將具有以下特點(diǎn)： ①產(chǎn)業(yè)將繼續(xù)以高增長速率發(fā)展。多年來光伏產(chǎn)業(yè)一直是世界增長速度最高和最穩(wěn)定的領(lǐng)域之一 。預(yù)測今后 10 年光伏組件的生產(chǎn)將以 2030%甚至更高的遞增速度發(fā)展。光伏發(fā)電的未來前景已經(jīng)被愈來愈多的國家政府和金融界 (如世界銀行 )所認(rèn)識(shí)。許多發(fā)達(dá)國家和地區(qū)紛紛制定光伏發(fā)展規(guī)劃，如到 2021年，美國計(jì)劃累計(jì)安裝 (含百萬屋頂計(jì)劃 )；歐盟計(jì)劃安裝 (可再生能源白皮書 )；日本計(jì)劃累計(jì)安裝 5GW(NEDO日本新陽光計(jì)劃 )，預(yù)計(jì)其他發(fā)展中國家 (估計(jì)約 10%)，預(yù)計(jì)世界總累計(jì)安裝1415GW。到下世紀(jì)中葉，光伏發(fā)電成為人類的基礎(chǔ)能源之一。 年產(chǎn) 200t 單晶硅及 1200 萬片 單晶 硅 切 片生產(chǎn)線項(xiàng)目 可行性報(bào)告書 12 世界光伏市場和產(chǎn)業(yè)在政策法規(guī)和各種措施的強(qiáng)力推 動(dòng)下呈快速、增速發(fā)展。 △ 最近 10年的平均年增長率為 % (從 1996年的 105MW增加到 2021年的 1282MW)。 △ 最近 5年的年平均增長率為 ％ (從 2021年的 261MW增加到 2021年的 1282MW)。 ②隨著太陽能光伏組件的成本逐漸下降，光伏發(fā)電系統(tǒng)安裝成本每年以 5%速率降低。降低成本可通過擴(kuò)大規(guī)模、提高自動(dòng)化程度和技術(shù)水平、提高電池效率等技術(shù)途徑實(shí)現(xiàn)。因此今后太陽電池組件成本逐漸降低是必然的趨勢(shì)。 ③光伏產(chǎn)業(yè)向百兆瓦級(jí)規(guī)模和更高技術(shù)水平發(fā)展。目前光伏組件的生產(chǎn)規(guī)模在 5— 20MW/年。許多公司在計(jì)劃擴(kuò)建和新建年產(chǎn) 50— 100MW級(jí)光伏組件生產(chǎn)廠。同時(shí)自動(dòng)化程度、技術(shù)水平也將大大提高、電池效率將由現(xiàn)在的水平 (單晶硅 15%17%，多晶硅 13%15%)向更高水平 (單晶硅 18%20%，多晶硅 16%18%)發(fā)展。 ④太陽能光