【正文】 a17%Canadian Solar3%JA Solar5%Yingli6%Suntech7% Trina4%Other Countries andRegions66%Rest of China16%Canadian Solar1%JA Solar4%Yingli4%Suntech6% Trina3%Global Market Share of Solar Cell Shipment2022 2022圖312 國內(nèi)企業(yè)全球市場份額（資料來源：）2022年在有效說明產(chǎn)品去向的87家企業(yè)中，44家企業(yè)出口比重在80%以上，部分企業(yè)高達100%。 6 12 50 438108820224000050010001500202225003000350040002022 2022 2022 2022 2022 2022 2022 2022 2022圖313 中國太陽能電池生產(chǎn)量（MWp）（資料來源：）據(jù)調(diào)查，截止 2022 年 9 月，我國共有太陽能電池生產(chǎn)企業(yè) 123 家。企業(yè)多數(shù)位于中東部，西部企業(yè)數(shù)量相對較少。我國太陽能電池企業(yè)主要分布在江蘇、河北、浙江、山東、江西、上海等省，尤其是江浙以及河北等地發(fā)展勢頭良好。截止2022年9月，120余家電池企業(yè)計劃投資總額達1834億元，實際投資為569億元，實際投資占規(guī)劃投資的31%。 投資地域相對集中，實際投資前五位省份的投資額合計為425億元，%。其中，實際投資額最大的江蘇省，實際投資174億元，%。產(chǎn)能方面，已建成項目實際產(chǎn)能為6588MW/年。在建項目設計產(chǎn)能為8295MW/ 年，多數(shù)計劃在2022－2022年建成。120余家電池企業(yè)中，有75家企業(yè)生產(chǎn)晶硅太陽能電池，38家企業(yè)生產(chǎn)薄膜太陽能電池，晶體硅電池仍占據(jù)市場主要地位。，2022年全球安裝量 ，%。因此光伏組件價格下降了近30%，這對于投資極具吸引力。從長遠來看，在所有可再生能源技術之中，光伏技術是最理想的。 市場前景分析 產(chǎn)品競爭能力分析――技術優(yōu)勢目前，昆明冶研新材料股份有限公司經(jīng)過多年的技術積淀和經(jīng)驗的積累，在多晶硅鑄錠、單晶拉制、切片的工藝方面形成了較為明顯的優(yōu)勢。多晶硅錠由世界先進水平的多晶硅鑄錠爐生產(chǎn)，采用熱交換法定向長晶，晶粒具有柱狀結(jié)構(gòu)、尺寸大等特點。多晶硅錠的重量為450公斤左右，尺寸為840mm 840mm250mm。單晶拉制采用先進的大尺寸直拉單晶爐，一次投料量可達90~120KG 。通過采用多線切割技術，硅片厚度可以達到200um甚至更薄，產(chǎn)品合格率在95％以上。在180um及更薄程度上的硅片量產(chǎn)研究也正在進行中。硅片切割厚度的降低，可以有效節(jié)約原料。本項目通過選用先進成熟的多晶定向生長技術、大尺寸單晶拉制技術及世界領先水平的線切割生產(chǎn)技術和設備，生產(chǎn)技術上有充分保證?！獌r格優(yōu)勢本項目原料主要來自于昆明冶研新材料股份有限公司在建的一期3000噸多晶硅項目，項目預計2022年10月投產(chǎn)，屆時將為本項目提供質(zhì)量可靠、價格穩(wěn)定的多晶硅原材料，從根本上降低本項目的生產(chǎn)成本，從而保證本項目產(chǎn)品的價格優(yōu)勢?！|(zhì)量優(yōu)勢本項目原料主要來自于昆明冶研新材料股份有限公司在建的一期3000噸多晶硅項目。該項目通過引進國際先進水平的工藝包，建設起點高，立足于高純度多晶硅產(chǎn)品生產(chǎn)，產(chǎn)品質(zhì)量同比國內(nèi)同類企業(yè)較好。該原料應用于本項目后，所生產(chǎn)的多晶硅片質(zhì)量也相對較高，由此加工生產(chǎn)出來的多晶硅片與目前國內(nèi)其他企業(yè)的產(chǎn)品相比，質(zhì)量更好，轉(zhuǎn)換效率更高?！袌鰞?yōu)勢云南省及四川攀西地區(qū)和西藏地域日照充足，光伏市場發(fā)展?jié)摿薮?，昆明冶研新材料股份有限公司以超卓的遠見介入中國光伏產(chǎn)業(yè)，布局西南地域。項目建成后，昆明冶研新材料股份有限公司一方面可向西南及國內(nèi)光伏市場下游企業(yè)提供太陽能電池用多晶硅片；另一方面，必要時也可依據(jù)云南省邊境優(yōu)勢，提供產(chǎn)品出口。因此，盡管目前光伏產(chǎn)業(yè)領域中企業(yè)眾多，但綜合評價來看，本項目的建設，具有較好的綜合對比優(yōu)勢。 產(chǎn)品目標市場 本項目生產(chǎn)基本供給國內(nèi)市場，可為云南冶金集團股份有限公司下屬的其他光伏下游產(chǎn)業(yè)（太陽能電池片）或國內(nèi)其他下游企業(yè)提供原料。從總體來看，經(jīng)歷了金融危機持續(xù)影響后，光伏市場已經(jīng)逐步顯露出新一波發(fā)展的態(tài)勢。有研公司把握好這一有利時機，結(jié)合企業(yè)正在建設的多晶硅材料生產(chǎn)項目，將上下游關系緊密結(jié)合，建設太陽能光伏產(chǎn)業(yè)鏈中利潤較高的前端產(chǎn)業(yè)，充分利用現(xiàn)有的各種有利條件，形成對比優(yōu)勢，占領市場的制高點，具有較好的發(fā)展方向和市場前景。因此，本項目定位于采用相對低耗高效的生產(chǎn)方式，可以大大提高生產(chǎn)效率，降低生產(chǎn)能耗；同時，本項目的原材料的質(zhì)量具有較好的優(yōu)勢保障；多方面的有機結(jié)合，可以使本項目為下游產(chǎn)業(yè)提供的產(chǎn)品既有較高的質(zhì)量保證，又有較低的運行能耗，為下游產(chǎn)業(yè)生產(chǎn)出具有較高競爭力的終端產(chǎn)品提供良好的基礎。 產(chǎn)品大綱本項目生產(chǎn)線代表產(chǎn)品見表34。表34 生 產(chǎn) 大 綱序號 產(chǎn)品名稱 規(guī) 格 單位 產(chǎn) 量 備 注1 多晶硅片 156156 MW 4002 單晶硅片 ?8” MW 100第四章 技術與裝備 產(chǎn)品簡介光伏電池在光伏產(chǎn)業(yè)中占據(jù)主導地位，而且這種地位將隨著能源的短缺日益加強。不含多晶硅提純生產(chǎn)的光伏電池產(chǎn)業(yè)鏈如下圖示：圖 41　 光伏產(chǎn)品垂直一體化示意圖根據(jù)集團公司發(fā)展規(guī)劃，冶研公司已擁有多晶硅原材料提純生產(chǎn)基地，因此，本項目用地內(nèi)主要考慮光伏產(chǎn)業(yè)鏈中其它產(chǎn)品的生產(chǎn)，即上述產(chǎn)業(yè)鏈圖中的內(nèi)容。本項目以多晶硅片及單晶硅片為主要生產(chǎn)工藝，見上述產(chǎn)業(yè)鏈圖中的方框位置所示。本項目生產(chǎn)的最終產(chǎn)品為156156mm多晶硅片及?8”單晶硅片，其技術參數(shù)分別如下：本項目產(chǎn)品在產(chǎn)業(yè)鏈中的位置表 41　156156mm 多晶硅片技術參數(shù)項目 規(guī)格一般特性生產(chǎn)工藝 多晶：定向凝固晶向 多晶：無導電類型 P少子壽命 2μs摻雜 硼位錯、孔洞、六角網(wǎng)絡、裂紋 無電的特性電阻率范圍 －2Ωcm、2－5Ωcm、3－6Ωcm化學特性氧含量 11017At/cm3碳含量 11017At/cm3機械特性邊尺寸誤差 177。對角線誤差 177。方整度 90177。邊長公差 厚度 200177。20μmTTV 30μm彎曲 75μm外觀檢查線痕 15μm邊緣缺陷 長2mm；深 ≤2 處蝕刻 無玷污 無表 42　 ?8”單晶硅片技術參數(shù)項目 規(guī)格一般特性外形輪廓 方形圓角生產(chǎn)工藝 直拉單晶：CZ晶向 100177。導電類型 P少子壽命 ≥20μs位錯密度 ≤3000 個 /cm3電的特性項目 規(guī)格電阻率范圍 20100Ωcm化學特性氧含量 ≤110 18 At/cm3碳含量 ≤510 16 At/cm3機械特性垂直度 90o177。垂直度變化 厚度 200177。20μm彎曲 ≤35um外觀檢查線痕 15μm邊緣缺陷 長2mm；深 ≤2 處蝕刻 無玷污 無本項目將通過國內(nèi)外專業(yè)人才的引進、培訓，以及與相關企業(yè)的技術合作，采用全球領先的關鍵生產(chǎn)設備，使用厚度200微米及以下的硅片切割技術以減少硅材料的用量。項目產(chǎn)品具有技術參數(shù)先進、生產(chǎn)成本優(yōu)化，產(chǎn)品具有全球競爭力。 技術方案　生產(chǎn)方法1）工藝路線本項目主要原材料為多晶硅料。節(jié)。主要建筑物包括多晶及切片廠房、單晶廠房與切片廠房、硅料處理車間及倉庫等。硅料處理車間及倉庫位于項目用地西側(cè)，硅料在倉庫內(nèi)暫存后運至硅料處理車間進行分選、清洗、包裝，處理好的硅料分別運至硅料處理車間的東面的多晶廠房及單晶廠房，進行多晶鑄碇和單晶拉制，然后將多晶硅碇運至切片區(qū)、單晶硅棒運至切片廠房，經(jīng)截斷、切方、滾磨（單晶） 、切片、清洗及包裝后運至倉庫存入或發(fā)貨。2）生產(chǎn)技術生產(chǎn)過程包括多晶材料的鑄碇、單晶拉制、硅片切割等。本項目主要技術包括：①高純多晶硅材料到多晶鑄錠生產(chǎn)技術；②高純多晶硅材料到單晶硅棒拉制生產(chǎn)技術；③單晶硅棒、多晶鑄錠到太陽能高品質(zhì)超薄硅片的生產(chǎn)技術:①　高純多晶硅材料多晶鑄錠生產(chǎn)技術通過選用先進的生產(chǎn)設備、優(yōu)化工藝條件，降低動力消耗，節(jié)約生產(chǎn)成本，控制產(chǎn)品質(zhì)量，提高成品率；縮短工藝時間，提高生產(chǎn)效率，并對邊角料及粉料回收利用，以緩解原材料的不足，同時降低生產(chǎn)成本。②　高純多晶硅材料到單晶硅棒拉制生產(chǎn)技術通過選用先進的8”優(yōu)質(zhì)單晶爐，投料量更大，提高生產(chǎn)效率，降低能源消耗；縮短工藝時間的同時，得到較高的產(chǎn)品質(zhì)量。③　硅片技術降低鋼線直徑，減少刀縫損失；采用更細的研磨砂，節(jié)省硅材料的損失；采用砂漿自動回收循環(huán)系統(tǒng)，降低硅片加工成本和避免廢砂漿對環(huán)境的污染。3）生產(chǎn)環(huán)境控制技術—　生產(chǎn)火災類別表43 　廠房生產(chǎn)火災類別一覽表序號 建筑號 廠房名稱 生產(chǎn)火災類別 備注1 多晶硅片廠房 1 丁類2 多晶硅片廠房 2 丁類3 單晶硅棒生產(chǎn)廠房 丁類4 切片廠房 丁類5 硅材料處理廠房 丁類—　空調(diào)、通風多晶及單晶生產(chǎn)廠房生產(chǎn)區(qū)采用舒適性空調(diào)，濕度40～80%。硅片切割生產(chǎn)廠房采用舒適性空調(diào)。對多晶爐等發(fā)量熱較大的設備采用局部排風設施排除多余熱氣，對清洗等產(chǎn)生酸堿廢氣的工序考慮局部排風和廢氣處理設施?！」に嚵鞒膛c工藝描述 多晶硅片生產(chǎn)主要工藝本項目對多晶鑄錠、硅片等采用大規(guī)模生產(chǎn)方式。1）多晶硅錠的生產(chǎn)工藝—　工藝流程多晶硅錠的工藝流程圖如下：坩鍋準備 多晶料分選坩鍋噴涂 多晶料清洗坩鍋烘烤 多晶料包裝 免洗多晶料備料去坩鍋裝爐定向生長拆爐圖 42 　多晶硅碇的生產(chǎn)工藝程流圖—　工藝簡介①選料：將多晶硅、頭尾料、鍋底料按類分選。②硅料清洗：用酸腐蝕除去原料表面的雜質(zhì)，再以純水清洗。③配料：根據(jù)鑄錠多晶的電阻率要求，按重量比例配置原料，裝入經(jīng)噴涂、烘烤處理后的石英坩堝。④裝爐：將配好的原料裝入爐內(nèi)、抽真空和充氬氣。⑥定向生長：加溫將原料溶化，按控制程序進行定向生長。⑦鑄錠工藝主要使用定向凝固法：定向凝固法是將硅料放在柑塌中加以熔融，然后將柑塌從熱場中逐漸下降或從坩鍋底部通上冷源以造成一定的溫度梯度，使固液界面從坩鍋底部向上移動而形成晶錠。⑧拆爐：待爐溫冷卻后，將爐內(nèi)坩堝拿出。⑨去坩鍋：去掉硅錠外層的坩鍋。2）多晶硅片的生產(chǎn)工藝—　工藝流程多晶硅片的工藝流程圖如下：硅片清洗、甩干線鋸切片線鋸卸片硅片脫膠、取樣方碇開方樣片測試裝硅塊上線鋸去頭尾、倒角、磨邊硅塊清洗晶塊粘接圖 43 硅片生產(chǎn)工藝流程圖—　工藝簡介①方碇開方：將多晶硅方碇切成156mm156mm尺寸的硅塊。②硅塊清洗：將開方后的硅塊清洗干凈。③硅塊粘接：將硅塊粘接在專用工作臺上。④裝硅塊上線鋸：將工作臺裝到多線切片機上。⑤線鋸切片：多線切片機進行切片。⑥線鋸卸片：從多線切片機卸下已完成切片的工作臺。⑦硅片脫膠、取樣：從工作臺通過脫膠取下硅片。⑧硅片清洗、甩干：清洗硅片并進行甩干。⑨樣片測試：測試合格，包裝入庫。 單晶硅片生產(chǎn)主要工藝硅單晶按晶體生長方法的不同，分為直拉（CZ）和區(qū)熔（FZ ）兩種。由于成本和性能的原因，CZ 材料應用最廣。本項目采用的是直拉法生產(chǎn)單晶棒。單晶硅的生產(chǎn)是采用高純度多晶硅為原料，在直拉單晶爐內(nèi)將多晶硅熔化，熔融的單質(zhì)硅在凝固時硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核，如果這些晶核長成晶面取向相同的晶粒，則這些晶粒平行結(jié)合起來便結(jié)晶成單晶硅。本項目單晶硅片主要的生產(chǎn)技術包括以下幾個部分：1）加料：將多晶硅原料及摻雜劑放入石英坩堝內(nèi)，摻雜劑的種類依電阻的 N 或 P 型而定，摻雜劑種類有硼、磷、銻、砷。2）熔化：加完多晶硅原料于石英坩堝內(nèi)后，單晶爐爐門關閉并抽成真空后充入高純氬氣使之維持一定壓力范圍內(nèi)，然后打開石墨加熱器電源，加熱至熔化溫度（1420℃）以上，將多晶硅原料熔化。3）縮頸生長：當硅熔體的溫度穩(wěn)定之后，將籽晶慢慢浸入硅熔體中。由于籽晶與硅熔體場接觸時的熱應力，會使籽晶產(chǎn)生位錯，這些位錯必須利用縮頸生長使之消失掉?？s頸生長是將籽晶快速向上提升，使長出的籽晶的直徑縮小到一定大?。?6mm） ，由于位錯線與生長軸成一個交角，只要縮頸夠長，位錯便能長出晶體表面，產(chǎn)生零位錯的晶體。4）放肩生長：長完細頸之后，須降低溫度與拉速，使得晶體的直徑漸漸增大到所需的大小。5）等徑生長：長完細頸和肩部之后，借著拉速與溫度的不斷調(diào)整，可使晶棒直徑維持在正負 2mm 之間，這段直徑固定的部分即稱為等徑部分。單晶硅片取自于等徑部分。6）尾部生長：在長完等徑部分之后，如果立刻將晶棒與液面分開，那么效應力將使得晶棒出現(xiàn)位錯與滑移線。于是為了避免此問題的發(fā)生，必須將晶棒的直徑慢慢縮小，直到成一尖點而與液面分開。這一過程稱之為尾部生長。7）開爐取料：長完的晶棒被升至上爐室冷卻一段時間后取出，即完成一次生長周期。8）切斷：切除單晶硅棒的頭部、尾部及超出產(chǎn)品需求規(guī)格的部分，將單晶硅棒分段成切片設備可以處理的長度，切取試片測量單晶硅棒的電阻率含氧量。9）外徑磨削：由于單晶硅棒的外徑表面并不平整且直徑也比最終硅片所規(guī)定的直徑規(guī)格大，通過外徑滾磨可以獲得較為精確的直徑。10）切片：指將單晶硅棒切成具有精確幾何尺寸的晶片。11）