【正文】 a17%Canadian Solar3%JA Solar5%Yingli6%Suntech7% Trina4%Other Countries andRegions66%Rest of China16%Canadian Solar1%JA Solar4%Yingli4%Suntech6% Trina3%Global Market Share of Solar Cell Shipment2022 2022圖312 國(guó)內(nèi)企業(yè)全球市場(chǎng)份額（資料來(lái)源：）2022年在有效說(shuō)明產(chǎn)品去向的87家企業(yè)中，44家企業(yè)出口比重在80%以上，部分企業(yè)高達(dá)100%。 6 12 50 438108820224000050010001500202225003000350040002022 2022 2022 2022 2022 2022 2022 2022 2022圖313 中國(guó)太陽(yáng)能電池生產(chǎn)量（MWp）（資料來(lái)源：）據(jù)調(diào)查，截止 2022 年 9 月，我國(guó)共有太陽(yáng)能電池生產(chǎn)企業(yè) 123 家。企業(yè)多數(shù)位于中東部，西部企業(yè)數(shù)量相對(duì)較少。我國(guó)太陽(yáng)能電池企業(yè)主要分布在江蘇、河北、浙江、山東、江西、上海等省，尤其是江浙以及河北等地發(fā)展勢(shì)頭良好。截止2022年9月，120余家電池企業(yè)計(jì)劃投資總額達(dá)1834億元，實(shí)際投資為569億元，實(shí)際投資占規(guī)劃投資的31%。 投資地域相對(duì)集中，實(shí)際投資前五位省份的投資額合計(jì)為425億元，%。其中，實(shí)際投資額最大的江蘇省，實(shí)際投資174億元，%。產(chǎn)能方面，已建成項(xiàng)目實(shí)際產(chǎn)能為6588MW/年。在建項(xiàng)目設(shè)計(jì)產(chǎn)能為8295MW/ 年，多數(shù)計(jì)劃在2022－2022年建成。120余家電池企業(yè)中，有75家企業(yè)生產(chǎn)晶硅太陽(yáng)能電池，38家企業(yè)生產(chǎn)薄膜太陽(yáng)能電池，晶體硅電池仍占據(jù)市場(chǎng)主要地位。，2022年全球安裝量 ，%。因此光伏組件價(jià)格下降了近30%，這對(duì)于投資極具吸引力。從長(zhǎng)遠(yuǎn)來(lái)看，在所有可再生能源技術(shù)之中，光伏技術(shù)是最理想的。 市場(chǎng)前景分析 產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)能力分析――技術(shù)優(yōu)勢(shì)目前，昆明冶研新材料股份有限公司經(jīng)過(guò)多年的技術(shù)積淀和經(jīng)驗(yàn)的積累，在多晶硅鑄錠、單晶拉制、切片的工藝方面形成了較為明顯的優(yōu)勢(shì)。多晶硅錠由世界先進(jìn)水平的多晶硅鑄錠爐生產(chǎn)，采用熱交換法定向長(zhǎng)晶，晶粒具有柱狀結(jié)構(gòu)、尺寸大等特點(diǎn)。多晶硅錠的重量為450公斤左右，尺寸為840mm 840mm250mm。單晶拉制采用先進(jìn)的大尺寸直拉單晶爐，一次投料量可達(dá)90~120KG 。通過(guò)采用多線切割技術(shù)，硅片厚度可以達(dá)到200um甚至更薄，產(chǎn)品合格率在95％以上。在180um及更薄程度上的硅片量產(chǎn)研究也正在進(jìn)行中。硅片切割厚度的降低，可以有效節(jié)約原料。本項(xiàng)目通過(guò)選用先進(jìn)成熟的多晶定向生長(zhǎng)技術(shù)、大尺寸單晶拉制技術(shù)及世界領(lǐng)先水平的線切割生產(chǎn)技術(shù)和設(shè)備，生產(chǎn)技術(shù)上有充分保證?！獌r(jià)格優(yōu)勢(shì)本項(xiàng)目原料主要來(lái)自于昆明冶研新材料股份有限公司在建的一期3000噸多晶硅項(xiàng)目，項(xiàng)目預(yù)計(jì)2022年10月投產(chǎn)，屆時(shí)將為本項(xiàng)目提供質(zhì)量可靠、價(jià)格穩(wěn)定的多晶硅原材料，從根本上降低本項(xiàng)目的生產(chǎn)成本，從而保證本項(xiàng)目產(chǎn)品的價(jià)格優(yōu)勢(shì)?！|(zhì)量?jī)?yōu)勢(shì)本項(xiàng)目原料主要來(lái)自于昆明冶研新材料股份有限公司在建的一期3000噸多晶硅項(xiàng)目。該項(xiàng)目通過(guò)引進(jìn)國(guó)際先進(jìn)水平的工藝包，建設(shè)起點(diǎn)高，立足于高純度多晶硅產(chǎn)品生產(chǎn)，產(chǎn)品質(zhì)量同比國(guó)內(nèi)同類企業(yè)較好。該原料應(yīng)用于本項(xiàng)目后，所生產(chǎn)的多晶硅片質(zhì)量也相對(duì)較高，由此加工生產(chǎn)出來(lái)的多晶硅片與目前國(guó)內(nèi)其他企業(yè)的產(chǎn)品相比，質(zhì)量更好，轉(zhuǎn)換效率更高?！袌?chǎng)優(yōu)勢(shì)云南省及四川攀西地區(qū)和西藏地域日照充足，光伏市場(chǎng)發(fā)展?jié)摿薮?，昆明冶研新材料股份有限公司以超卓的遠(yuǎn)見(jiàn)介入中國(guó)光伏產(chǎn)業(yè)，布局西南地域。項(xiàng)目建成后，昆明冶研新材料股份有限公司一方面可向西南及國(guó)內(nèi)光伏市場(chǎng)下游企業(yè)提供太陽(yáng)能電池用多晶硅片；另一方面，必要時(shí)也可依據(jù)云南省邊境優(yōu)勢(shì)，提供產(chǎn)品出口。因此，盡管目前光伏產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域中企業(yè)眾多，但綜合評(píng)價(jià)來(lái)看，本項(xiàng)目的建設(shè)，具有較好的綜合對(duì)比優(yōu)勢(shì)。 產(chǎn)品目標(biāo)市場(chǎng) 本項(xiàng)目生產(chǎn)基本供給國(guó)內(nèi)市場(chǎng)，可為云南冶金集團(tuán)股份有限公司下屬的其他光伏下游產(chǎn)業(yè)（太陽(yáng)能電池片）或國(guó)內(nèi)其他下游企業(yè)提供原料。從總體來(lái)看，經(jīng)歷了金融危機(jī)持續(xù)影響后，光伏市場(chǎng)已經(jīng)逐步顯露出新一波發(fā)展的態(tài)勢(shì)。有研公司把握好這一有利時(shí)機(jī)，結(jié)合企業(yè)正在建設(shè)的多晶硅材料生產(chǎn)項(xiàng)目，將上下游關(guān)系緊密結(jié)合，建設(shè)太陽(yáng)能光伏產(chǎn)業(yè)鏈中利潤(rùn)較高的前端產(chǎn)業(yè)，充分利用現(xiàn)有的各種有利條件，形成對(duì)比優(yōu)勢(shì)，占領(lǐng)市場(chǎng)的制高點(diǎn)，具有較好的發(fā)展方向和市場(chǎng)前景。因此，本項(xiàng)目定位于采用相對(duì)低耗高效的生產(chǎn)方式，可以大大提高生產(chǎn)效率，降低生產(chǎn)能耗；同時(shí)，本項(xiàng)目的原材料的質(zhì)量具有較好的優(yōu)勢(shì)保障；多方面的有機(jī)結(jié)合，可以使本項(xiàng)目為下游產(chǎn)業(yè)提供的產(chǎn)品既有較高的質(zhì)量保證，又有較低的運(yùn)行能耗，為下游產(chǎn)業(yè)生產(chǎn)出具有較高競(jìng)爭(zhēng)力的終端產(chǎn)品提供良好的基礎(chǔ)。 產(chǎn)品大綱本項(xiàng)目生產(chǎn)線代表產(chǎn)品見(jiàn)表34。表34 生 產(chǎn) 大 綱序號(hào) 產(chǎn)品名稱 規(guī) 格 單位 產(chǎn) 量 備 注1 多晶硅片 156156 MW 4002 單晶硅片 ?8” MW 100第四章 技術(shù)與裝備 產(chǎn)品簡(jiǎn)介光伏電池在光伏產(chǎn)業(yè)中占據(jù)主導(dǎo)地位，而且這種地位將隨著能源的短缺日益加強(qiáng)。不含多晶硅提純生產(chǎn)的光伏電池產(chǎn)業(yè)鏈如下圖示：圖 41　 光伏產(chǎn)品垂直一體化示意圖根據(jù)集團(tuán)公司發(fā)展規(guī)劃，冶研公司已擁有多晶硅原材料提純生產(chǎn)基地，因此，本項(xiàng)目用地內(nèi)主要考慮光伏產(chǎn)業(yè)鏈中其它產(chǎn)品的生產(chǎn)，即上述產(chǎn)業(yè)鏈圖中的內(nèi)容。本項(xiàng)目以多晶硅片及單晶硅片為主要生產(chǎn)工藝，見(jiàn)上述產(chǎn)業(yè)鏈圖中的方框位置所示。本項(xiàng)目生產(chǎn)的最終產(chǎn)品為156156mm多晶硅片及?8”單晶硅片，其技術(shù)參數(shù)分別如下：本項(xiàng)目產(chǎn)品在產(chǎn)業(yè)鏈中的位置表 41　156156mm 多晶硅片技術(shù)參數(shù)項(xiàng)目 規(guī)格一般特性生產(chǎn)工藝 多晶：定向凝固晶向 多晶：無(wú)導(dǎo)電類型 P少子壽命 2μs摻雜 硼位錯(cuò)、孔洞、六角網(wǎng)絡(luò)、裂紋 無(wú)電的特性電阻率范圍 －2Ωcm、2－5Ωcm、3－6Ωcm化學(xué)特性氧含量 11017At/cm3碳含量 11017At/cm3機(jī)械特性邊尺寸誤差 177。對(duì)角線誤差 177。方整度 90177。邊長(zhǎng)公差 厚度 200177。20μmTTV 30μm彎曲 75μm外觀檢查線痕 15μm邊緣缺陷 長(zhǎng)2mm；深 ≤2 處蝕刻 無(wú)玷污 無(wú)表 42　 ?8”單晶硅片技術(shù)參數(shù)項(xiàng)目 規(guī)格一般特性外形輪廓 方形圓角生產(chǎn)工藝 直拉單晶：CZ晶向 100177。導(dǎo)電類型 P少子壽命 ≥20μs位錯(cuò)密度 ≤3000 個(gè) /cm3電的特性項(xiàng)目 規(guī)格電阻率范圍 20100Ωcm化學(xué)特性氧含量 ≤110 18 At/cm3碳含量 ≤510 16 At/cm3機(jī)械特性垂直度 90o177。垂直度變化 厚度 200177。20μm彎曲 ≤35um外觀檢查線痕 15μm邊緣缺陷 長(zhǎng)2mm；深 ≤2 處蝕刻 無(wú)玷污 無(wú)本項(xiàng)目將通過(guò)國(guó)內(nèi)外專業(yè)人才的引進(jìn)、培訓(xùn)，以及與相關(guān)企業(yè)的技術(shù)合作，采用全球領(lǐng)先的關(guān)鍵生產(chǎn)設(shè)備，使用厚度200微米及以下的硅片切割技術(shù)以減少硅材料的用量。項(xiàng)目產(chǎn)品具有技術(shù)參數(shù)先進(jìn)、生產(chǎn)成本優(yōu)化，產(chǎn)品具有全球競(jìng)爭(zhēng)力。 技術(shù)方案　生產(chǎn)方法1）工藝路線本項(xiàng)目主要原材料為多晶硅料。節(jié)。主要建筑物包括多晶及切片廠房、單晶廠房與切片廠房、硅料處理車間及倉(cāng)庫(kù)等。硅料處理車間及倉(cāng)庫(kù)位于項(xiàng)目用地西側(cè)，硅料在倉(cāng)庫(kù)內(nèi)暫存后運(yùn)至硅料處理車間進(jìn)行分選、清洗、包裝，處理好的硅料分別運(yùn)至硅料處理車間的東面的多晶廠房及單晶廠房，進(jìn)行多晶鑄碇和單晶拉制，然后將多晶硅碇運(yùn)至切片區(qū)、單晶硅棒運(yùn)至切片廠房，經(jīng)截?cái)唷⑶蟹?、滾磨（單晶） 、切片、清洗及包裝后運(yùn)至倉(cāng)庫(kù)存入或發(fā)貨。2）生產(chǎn)技術(shù)生產(chǎn)過(guò)程包括多晶材料的鑄碇、單晶拉制、硅片切割等。本項(xiàng)目主要技術(shù)包括：①高純多晶硅材料到多晶鑄錠生產(chǎn)技術(shù)；②高純多晶硅材料到單晶硅棒拉制生產(chǎn)技術(shù)；③單晶硅棒、多晶鑄錠到太陽(yáng)能高品質(zhì)超薄硅片的生產(chǎn)技術(shù):①　高純多晶硅材料多晶鑄錠生產(chǎn)技術(shù)通過(guò)選用先進(jìn)的生產(chǎn)設(shè)備、優(yōu)化工藝條件，降低動(dòng)力消耗，節(jié)約生產(chǎn)成本，控制產(chǎn)品質(zhì)量，提高成品率；縮短工藝時(shí)間，提高生產(chǎn)效率，并對(duì)邊角料及粉料回收利用，以緩解原材料的不足，同時(shí)降低生產(chǎn)成本。②　高純多晶硅材料到單晶硅棒拉制生產(chǎn)技術(shù)通過(guò)選用先進(jìn)的8”優(yōu)質(zhì)單晶爐，投料量更大，提高生產(chǎn)效率，降低能源消耗；縮短工藝時(shí)間的同時(shí)，得到較高的產(chǎn)品質(zhì)量。③　硅片技術(shù)降低鋼線直徑，減少刀縫損失；采用更細(xì)的研磨砂，節(jié)省硅材料的損失；采用砂漿自動(dòng)回收循環(huán)系統(tǒng)，降低硅片加工成本和避免廢砂漿對(duì)環(huán)境的污染。3）生產(chǎn)環(huán)境控制技術(shù)—　生產(chǎn)火災(zāi)類別表43 　廠房生產(chǎn)火災(zāi)類別一覽表序號(hào) 建筑號(hào) 廠房名稱 生產(chǎn)火災(zāi)類別 備注1 多晶硅片廠房 1 丁類2 多晶硅片廠房 2 丁類3 單晶硅棒生產(chǎn)廠房 丁類4 切片廠房 丁類5 硅材料處理廠房 丁類—　空調(diào)、通風(fēng)多晶及單晶生產(chǎn)廠房生產(chǎn)區(qū)采用舒適性空調(diào)，濕度40～80%。硅片切割生產(chǎn)廠房采用舒適性空調(diào)。對(duì)多晶爐等發(fā)量熱較大的設(shè)備采用局部排風(fēng)設(shè)施排除多余熱氣，對(duì)清洗等產(chǎn)生酸堿廢氣的工序考慮局部排風(fēng)和廢氣處理設(shè)施?！」に嚵鞒膛c工藝描述 多晶硅片生產(chǎn)主要工藝本項(xiàng)目對(duì)多晶鑄錠、硅片等采用大規(guī)模生產(chǎn)方式。1）多晶硅錠的生產(chǎn)工藝—　工藝流程多晶硅錠的工藝流程圖如下：坩鍋準(zhǔn)備 多晶料分選坩鍋噴涂 多晶料清洗坩鍋烘烤 多晶料包裝 免洗多晶料備料去坩鍋裝爐定向生長(zhǎng)拆爐圖 42 　多晶硅碇的生產(chǎn)工藝程流圖—　工藝簡(jiǎn)介①選料：將多晶硅、頭尾料、鍋底料按類分選。②硅料清洗：用酸腐蝕除去原料表面的雜質(zhì)，再以純水清洗。③配料：根據(jù)鑄錠多晶的電阻率要求，按重量比例配置原料，裝入經(jīng)噴涂、烘烤處理后的石英坩堝。④裝爐：將配好的原料裝入爐內(nèi)、抽真空和充氬氣。⑥定向生長(zhǎng)：加溫將原料溶化，按控制程序進(jìn)行定向生長(zhǎng)。⑦鑄錠工藝主要使用定向凝固法：定向凝固法是將硅料放在柑塌中加以熔融，然后將柑塌從熱場(chǎng)中逐漸下降或從坩鍋底部通上冷源以造成一定的溫度梯度，使固液界面從坩鍋底部向上移動(dòng)而形成晶錠。⑧拆爐：待爐溫冷卻后，將爐內(nèi)坩堝拿出。⑨去坩鍋：去掉硅錠外層的坩鍋。2）多晶硅片的生產(chǎn)工藝—　工藝流程多晶硅片的工藝流程圖如下：硅片清洗、甩干線鋸切片線鋸卸片硅片脫膠、取樣方碇開(kāi)方樣片測(cè)試裝硅塊上線鋸去頭尾、倒角、磨邊硅塊清洗晶塊粘接圖 43 硅片生產(chǎn)工藝流程圖—　工藝簡(jiǎn)介①方碇開(kāi)方：將多晶硅方碇切成156mm156mm尺寸的硅塊。②硅塊清洗：將開(kāi)方后的硅塊清洗干凈。③硅塊粘接：將硅塊粘接在專用工作臺(tái)上。④裝硅塊上線鋸：將工作臺(tái)裝到多線切片機(jī)上。⑤線鋸切片：多線切片機(jī)進(jìn)行切片。⑥線鋸卸片：從多線切片機(jī)卸下已完成切片的工作臺(tái)。⑦硅片脫膠、取樣：從工作臺(tái)通過(guò)脫膠取下硅片。⑧硅片清洗、甩干：清洗硅片并進(jìn)行甩干。⑨樣片測(cè)試：測(cè)試合格，包裝入庫(kù)。 單晶硅片生產(chǎn)主要工藝硅單晶按晶體生長(zhǎng)方法的不同，分為直拉（CZ）和區(qū)熔（FZ ）兩種。由于成本和性能的原因，CZ 材料應(yīng)用最廣。本項(xiàng)目采用的是直拉法生產(chǎn)單晶棒。單晶硅的生產(chǎn)是采用高純度多晶硅為原料，在直拉單晶爐內(nèi)將多晶硅熔化，熔融的單質(zhì)硅在凝固時(shí)硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核，如果這些晶核長(zhǎng)成晶面取向相同的晶粒，則這些晶粒平行結(jié)合起來(lái)便結(jié)晶成單晶硅。本項(xiàng)目單晶硅片主要的生產(chǎn)技術(shù)包括以下幾個(gè)部分：1）加料：將多晶硅原料及摻雜劑放入石英坩堝內(nèi)，摻雜劑的種類依電阻的 N 或 P 型而定，摻雜劑種類有硼、磷、銻、砷。2）熔化：加完多晶硅原料于石英坩堝內(nèi)后，單晶爐爐門關(guān)閉并抽成真空后充入高純氬氣使之維持一定壓力范圍內(nèi)，然后打開(kāi)石墨加熱器電源，加熱至熔化溫度（1420℃）以上，將多晶硅原料熔化。3）縮頸生長(zhǎng)：當(dāng)硅熔體的溫度穩(wěn)定之后，將籽晶慢慢浸入硅熔體中。由于籽晶與硅熔體場(chǎng)接觸時(shí)的熱應(yīng)力，會(huì)使籽晶產(chǎn)生位錯(cuò)，這些位錯(cuò)必須利用縮頸生長(zhǎng)使之消失掉。縮頸生長(zhǎng)是將籽晶快速向上提升，使長(zhǎng)出的籽晶的直徑縮小到一定大小（46mm） ，由于位錯(cuò)線與生長(zhǎng)軸成一個(gè)交角，只要縮頸夠長(zhǎng)，位錯(cuò)便能長(zhǎng)出晶體表面，產(chǎn)生零位錯(cuò)的晶體。4）放肩生長(zhǎng)：長(zhǎng)完細(xì)頸之后，須降低溫度與拉速，使得晶體的直徑漸漸增大到所需的大小。5）等徑生長(zhǎng)：長(zhǎng)完細(xì)頸和肩部之后，借著拉速與溫度的不斷調(diào)整，可使晶棒直徑維持在正負(fù) 2mm 之間，這段直徑固定的部分即稱為等徑部分。單晶硅片取自于等徑部分。6）尾部生長(zhǎng)：在長(zhǎng)完等徑部分之后，如果立刻將晶棒與液面分開(kāi)，那么效應(yīng)力將使得晶棒出現(xiàn)位錯(cuò)與滑移線。于是為了避免此問(wèn)題的發(fā)生，必須將晶棒的直徑慢慢縮小，直到成一尖點(diǎn)而與液面分開(kāi)。這一過(guò)程稱之為尾部生長(zhǎng)。7）開(kāi)爐取料：長(zhǎng)完的晶棒被升至上爐室冷卻一段時(shí)間后取出，即完成一次生長(zhǎng)周期。8）切斷：切除單晶硅棒的頭部、尾部及超出產(chǎn)品需求規(guī)格的部分，將單晶硅棒分段成切片設(shè)備可以處理的長(zhǎng)度，切取試片測(cè)量單晶硅棒的電阻率含氧量。9）外徑磨削：由于單晶硅棒的外徑表面并不平整且直徑也比最終硅片所規(guī)定的直徑規(guī)格大，通過(guò)外徑滾磨可以獲得較為精確的直徑。10）切片：指將單晶硅棒切成具有精確幾何尺寸的晶片。11）