【正文】 場。提供太陽電池并網(wǎng)發(fā)電產(chǎn)品的企業(yè)在中國甚至還是空白。三、企業(yè)市場競爭態(tài)勢分析政策優(yōu)勢。本項目所涵蓋的單晶硅棒項目，不僅符合國家星火計劃重點扶持發(fā)展的信息產(chǎn)業(yè)政策精神，也符合**省“十一五”規(guī)劃的重點建設(shè)項目的政策導(dǎo)向。技術(shù)優(yōu)勢。本項目依托**研究所的最新研究成果引進(jìn)整套成熟技術(shù)，同時高薪聘用原**的高級工程師、技術(shù)員，已經(jīng)形成了具有人才梯次的高技術(shù)核心團(tuán)隊，為項目的實施及順利投產(chǎn)提供了堅實的技術(shù)保障。設(shè)備優(yōu)勢。本項目采用最先進(jìn)的JDR800型晶體生長爐，節(jié)能質(zhì)優(yōu)。區(qū)域優(yōu)勢。項目區(qū)用電和人工相對便宜，交通方便，上下游廠家眾多，已形成一定的硅產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢。第四章 建設(shè)條件分析和場址選擇一、建設(shè)項目條件分析（一）區(qū)位條件**縣城位于**省母親河——錢塘江的源頭，地處浙皖贛三省七縣交界處，是連接浙西、皖南和贛東北的要沖、**的“西大門”、重要的生態(tài)功能保護(hù)區(qū)。建縣于北宋太平興國六年即公元981年，距今有1025年歷史。縣域面積2236平方公里，轄18個鄉(xiāng)鎮(zhèn)（建制鎮(zhèn)9個）、449個行政村，總?cè)丝?4萬。**生態(tài)環(huán)境優(yōu)美，資源豐富。**屬亞熱帶季風(fēng)氣候，四季分明、溫和宜人。境內(nèi)多山，縣域版圖的85%為山地，素有“九山半水半分田”之稱。山林總面積280多萬畝，%，位居全國前列，是天然的“氧吧”，全縣地表水水質(zhì)達(dá)一類水標(biāo)準(zhǔn)，被國家環(huán)?？偩謩澏椤叭A東地區(qū)重要的生態(tài)屏障”，并于2002年3月命名為全國生態(tài)示范區(qū)。2004年被授予全國綠化模范縣。 2000年初，**縣確立并實施了“生態(tài)立縣”發(fā)展戰(zhàn)略，構(gòu)筑了生態(tài)工業(yè)、生態(tài)農(nóng)業(yè)、生態(tài)旅游業(yè)、生態(tài)城市化和生態(tài)環(huán)境保護(hù)與建設(shè)等五大框架，經(jīng)濟(jì)社會發(fā)展逐年加快。 （二）自然條件地形、地貌項目規(guī)劃區(qū)為地勢平坦，地面上無建筑物，環(huán)境優(yōu)美，無噪音及三廢污染。氣候、氣象**屬亞熱帶季風(fēng)氣候區(qū)，又處北亞熱帶南緣，四季分明，氣候溫和，雨量豐富。全年多云霧少日照，霧日年平均有83天，位于金衢地區(qū)之冠。年平均日照時數(shù)1795小時，為全省各縣的次位。多年平均降水量在1743毫米?！嬷g，℃，℃，℃，最高氣溫41. 3℃。歷年各日平均相對濕度81%，歷年平均蒸發(fā)量1366毫米，歷年平均雷暴雨天84天，歷年平均霜日62天，歷年平均冰凍日數(shù)62天。馬金溪從北而南縱貫**縣全境，馬金溪河道比降為5。92%，歷史最大洪水流量為2360立方米/秒。水文本項目地區(qū)水資源豐富，地下水質(zhì)經(jīng)化驗檢測，對混凝土無侵蝕性。地質(zhì)地震（1）工程地質(zhì)項目區(qū)域各層地質(zhì)特征分述如下：第一層為雜填土，第二層為粉土，第三層為粉砂，第四層為粗礫，第五層為卵石，第六層為強(qiáng)風(fēng)化千枚巖，第七層為中風(fēng)化千枚。地下水屬孔隙潛水類型。建設(shè)區(qū)地質(zhì)結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，根據(jù)《中國地震烈度區(qū)劃圖(1999)》，本區(qū)地震烈度小六度，建筑物可不設(shè)防。（三）社會經(jīng)濟(jì)條件2000年至2010年，**縣GDP翻了一番，農(nóng)民人均純收入增長了50%；經(jīng)濟(jì)發(fā)展的質(zhì)量進(jìn)一步提高。 “生態(tài)立縣”戰(zhàn)略實施成效 明顯：生態(tài)工業(yè)特色鮮明。編制完成有機(jī)硅、單晶硅、新型密胺塑料、木糖醇等九大工業(yè)特色產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃，成立12個重點產(chǎn)業(yè)發(fā)展工作領(lǐng)導(dǎo)小組，依托經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)、有機(jī)硅省級高新技術(shù)特色產(chǎn)業(yè)基地、硅電子產(chǎn)業(yè)基地、絕緣材料科技特色產(chǎn)業(yè)基地，以元通硅業(yè)、合成材料、國家級火炬計劃重點高新技術(shù)企業(yè)萬向硅峰等骨干企業(yè)為龍頭，與高等院校、科研院所合作新建了一批技術(shù)創(chuàng)新中心、研發(fā)中心，實施了一批廢料回收利用和清潔生產(chǎn)試點工程，工業(yè)經(jīng)濟(jì)保持較快增長，經(jīng)濟(jì)效益顯著提高，有機(jī)硅、單晶硅兩大產(chǎn)業(yè)被列入全省擬培育的全國制造中心和**市“四中心十基地”建設(shè)。五年內(nèi)，工業(yè)經(jīng)濟(jì)對財政貢獻(xiàn)率凈增了62%，主導(dǎo)產(chǎn)業(yè)銷售收入占比提高了46%。%，其中兩硅產(chǎn)業(yè)總產(chǎn)值增長47%；工業(yè)銷售產(chǎn)值增長25%，%，%。 “ 一硅飛向藍(lán)天”（單晶硅產(chǎn)量居全國第一，并廣泛應(yīng)用于神舟號系列宇宙飛船等航天航空領(lǐng)域）。**縣全面實施“生態(tài)立縣、特色興縣”兩大戰(zhàn)略，發(fā)展特色經(jīng)濟(jì)，建設(shè)特色城鎮(zhèn)，弘揚(yáng)特色文化，開展特色工作，營造特色環(huán)境，力爭到2010年基本建成生態(tài)縣，基本實現(xiàn)全面小康社會的目標(biāo)（四）基礎(chǔ)設(shè)施條件①給排水：項目區(qū)市網(wǎng)管道供水，通過廠內(nèi)環(huán)狀供水線路，供給用水點使用并滿足消防用水。排水方式可通過廠內(nèi)排水管網(wǎng)至污水處理池，經(jīng)處理至一級排放標(biāo)準(zhǔn)后直接排入市政排污管網(wǎng)。②供電：項目由**縣工業(yè)園區(qū)茶場片區(qū)10KV高壓供電，項目裝機(jī)總功率1000KW，項目安裝一臺1600KVA節(jié)能變壓器。③通訊：**縣城區(qū)通訊條件好，工業(yè)園區(qū)內(nèi)現(xiàn)已全部架設(shè)開通全國直撥程控電話、寬帶接入及移動通訊，可滿足項目固定和移動通訊要求。能滿足項目業(yè)務(wù)通訊需要。 ④信息網(wǎng)絡(luò)：可利用微機(jī)與國際互聯(lián)網(wǎng)聯(lián)接，查詢和發(fā)布教學(xué)信息，并通過國際互聯(lián)網(wǎng)與全國各省份及本省各地聯(lián)網(wǎng)，互相交換產(chǎn)品生產(chǎn)銷售信息。二、項目選址方案（一）項目選址的原則符合國家、地區(qū)和城鄉(xiāng)規(guī)劃的要求。安全原則，防洪、防震、防地質(zhì)災(zāi)害。節(jié)約項目用地，盡量不占或少占農(nóng)田。實事求是的原則，對多個場址調(diào)查研究，進(jìn)行科學(xué)分析和對比。注意環(huán)境保護(hù)，以人為本，減少對生態(tài)和環(huán)境的影響。交通和運(yùn)輸便捷。公用工程聯(lián)接方便（如各種管網(wǎng)系統(tǒng)）等。（二）選址方案的確定項目建設(shè)地址選擇在**縣工業(yè)園區(qū)內(nèi)（省級），該處自然環(huán)境、地理條件較好，基礎(chǔ)設(shè)施完備。項目的廠址安排在工業(yè)園區(qū)茶場片區(qū)（項目場址位置詳見附圖）。第五章 建設(shè)內(nèi)容和規(guī)模及產(chǎn)品方案一、確定方案的依據(jù)和原則（一）確定建設(shè)方案的一般原則符合產(chǎn)業(yè)政策。應(yīng)符合國家鼓勵發(fā)展的產(chǎn)業(yè)和產(chǎn)品方向、國家技術(shù)政策和技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，使產(chǎn)品具有較高的技術(shù)含量和市場競爭力。針對市場需求。應(yīng)以國內(nèi)外市場需求來確定項目策略和產(chǎn)品的品種、數(shù)量、質(zhì)量，并能較好地適應(yīng)市場變化。專業(yè)化協(xié)作。應(yīng)有專業(yè)化協(xié)作，以及上下游產(chǎn)業(yè)鏈、產(chǎn)品鏈的銜接。資源綜合利用。在確定項目策略和產(chǎn)品方案時應(yīng)考慮資源的綜合利用，提出主要產(chǎn)品和副產(chǎn)品的組合方案。環(huán)境保護(hù)。應(yīng)考慮環(huán)境保護(hù)的要求和可能獲得的環(huán)境容量，以及環(huán)保治理設(shè)施投資等措施?？紤]原材料燃料供應(yīng)。不僅是可行性，還要考慮數(shù)量、品質(zhì)、來源的穩(wěn)定性。適應(yīng)技術(shù)設(shè)備條件。應(yīng)滿足生產(chǎn)儲存條件。對生產(chǎn)、包裝、運(yùn)輸、儲存有特殊要求的，應(yīng)考慮滿足這些要求。（二）建設(shè)方案的確定項目總投資2800萬元人民幣。其中2500萬元固定資產(chǎn)投資一次性完成。項目規(guī)劃一年內(nèi)達(dá)到完全生產(chǎn)設(shè)計能力。項目計劃購買安裝單晶硅棒生產(chǎn)用硅晶體生產(chǎn)爐8套，清洗、監(jiān)測等設(shè)備2套，投資1600萬元人民幣。項目計劃建設(shè)廠房兩幢，管理和生活用房兩幢，倉庫一幢。建筑面積共5000平方米，投資600萬元。本項目達(dá)到設(shè)計能力的100%時，年產(chǎn)50噸單晶硅棒，產(chǎn)值1億元。二、項目主要建設(shè)內(nèi)容（一）土建工程主體工程：項目全部廠共兩幢，每幢1500平方米；倉庫一幢，面積1000平方米；食堂、辦公室、生活設(shè)施等用房1000平方米，全部一層。公輔工程：（1）電：（工業(yè)用電）；變壓器1600KV/A一臺、高壓柜一臺、低壓柜4臺。（2）水：100毫米進(jìn)水主水管。（3）道路：12米寬雙向道路，全長200米，景觀、廣場2000平方米左右。（4）綠化：行道樹、綠化帶、花壇等4000平方米左右。（5）亮化：草皮燈、路燈、景觀燈等若干。（6）信息化：局域網(wǎng)、程控交換機(jī)、智能化門鎖等。圍墻：全長400米；15臺紅外監(jiān)視探頭。（7）門衛(wèi)：全長24米包括門衛(wèi)室及12米電動門，設(shè)監(jiān)視探頭2個。（8）環(huán)保：**市環(huán)境科學(xué)研究所出具的環(huán)評報告。土地征用面積22畝。（二）設(shè)備購置主要設(shè)備選型的原則和技術(shù)要求（1）主要設(shè)備選型的原則應(yīng)與項目建設(shè)規(guī)模、產(chǎn)品方案和技術(shù)方案相適應(yīng)，滿足項目的要求，可獲得最大出力。（2）適應(yīng)產(chǎn)品品種和質(zhì)量的要求。（3）提高連續(xù)化、大型化、自動化程度，降低勞動強(qiáng)度，提高勞動生產(chǎn)率。（4）降低原材料、水、電、氣年單耗，滿足環(huán)境保護(hù)要求。（5）強(qiáng)調(diào)設(shè)備的可靠性、成熟性，保證生產(chǎn)和質(zhì)量穩(wěn)定。（6）符合政府或?qū)ｉT機(jī)構(gòu)發(fā)布的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)要求。（7）在滿足機(jī)械功能和生產(chǎn)過程的條件下，力求經(jīng)濟(jì)合理，不僅要引進(jìn)先進(jìn)設(shè)備，盡可能立足于國內(nèi)，搞好配套。（8）主要設(shè)備及輔助設(shè)備之間相互配套。項目的設(shè)備購置項目主要購置設(shè)備為單晶硅棒生產(chǎn)用JDR800型晶體生長爐8套及相應(yīng)的監(jiān)測和配套設(shè)施。設(shè)備投入資金1600萬元人民幣。 三、工程產(chǎn)品方案（一）產(chǎn)品方案 （1）產(chǎn)品品種各種規(guī)格化型號的單晶硅棒。（2）生產(chǎn)綱領(lǐng)年產(chǎn)各種規(guī)格型號的單晶硅棒50噸。（二）主要技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)和參數(shù)由于知識產(chǎn)權(quán)法規(guī)的約束，目前機(jī)密性的技術(shù)資料在業(yè)主手中，但產(chǎn)品必須滿足下列技術(shù)要求：表單晶硅棒的主要技術(shù)參數(shù)型號P型或A型晶向111100電阻率電阻率均勻性25%位錯密度無位錯OISF密度500cm2氧含量根據(jù)客戶要求碳含量1ppma主要考面取向密度根據(jù)客戶要求其中電阻率、OISF密度、以及碳含量是衡量單晶硅棒等級的關(guān)鍵參數(shù)。這些參數(shù)在單晶成型后即定型，無法在此后的加工中進(jìn)行改變。規(guī)格尺寸：本項目生產(chǎn)常用的太陽能級單晶硅棒，按其直徑分為6英寸、8英寸兩種。產(chǎn)品符合國家發(fā)布的有關(guān)技術(shù)規(guī)范要求。第六章 項目工程技術(shù)方案　一、土建工程方案選擇（一）工程方案選擇的基本要求滿足生產(chǎn)使用功能要求。確定項目的工程內(nèi)容、建筑面積和建筑結(jié)構(gòu)時，應(yīng)滿足生產(chǎn)和使用的要求。適應(yīng)已選定的場址。在已選定的場地范圍內(nèi)，合理布置建筑物、構(gòu)筑物，以及地上、地下管網(wǎng)的位置。符合工程標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范要求。建筑物、構(gòu)筑物的基礎(chǔ)，結(jié)構(gòu)和所采用的建筑材料，應(yīng)符合政府部門或者專門機(jī)構(gòu)發(fā)布的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范要求，確保工程質(zhì)量。經(jīng)濟(jì)合理。工程方案在滿足使用功能、確保質(zhì)量的提前下，力求降低造價，節(jié)約建設(shè)資金。本項目屬技術(shù)改造項目，應(yīng)合理利用現(xiàn)場地、設(shè)施，并力求新增的設(shè)施與原有設(shè)施相協(xié)調(diào)。（二）方案設(shè)計依據(jù)《建筑結(jié)構(gòu)荷載規(guī)范》（GB50009—2001）《混凝土結(jié)構(gòu)設(shè)計規(guī)范》（GB500010—2002）《建筑地基基礎(chǔ)設(shè)計規(guī)范》（GB50007—2002）《建筑結(jié)構(gòu)設(shè)計統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)》（GBJ68—84）《給水排水工程結(jié)構(gòu)設(shè)計規(guī)范》（GBJ69—84）《建筑設(shè)計防火規(guī)范》（GBJ16—2001）《供配電系統(tǒng)設(shè)計規(guī)范》（GB50052—95）《建筑安裝工程安全技術(shù)規(guī)范》建設(shè)部（1993）《工業(yè)企業(yè)噪聲控制設(shè)計規(guī)范》（GBJ8785）《通用電設(shè)備配電設(shè)計規(guī)范》（GB50055—93）（三）土建工程設(shè)計方案 廠房：項目工程擬建2幢標(biāo)準(zhǔn)化廠房。鋼混全框架結(jié)構(gòu)，鋼構(gòu)屋面。倉庫和生活管理用房兩幢，采用磚混結(jié)構(gòu)，瓦屋面。公輔工程（1）廠區(qū)道路：按二級混凝土路面結(jié)構(gòu)規(guī)范建設(shè)。（2）水、電、氣的管網(wǎng)連接：按技術(shù)規(guī)范要求施工。（3）其他：根據(jù)建設(shè)內(nèi)容和投資情況按規(guī)范要求施工二、設(shè)備安裝工程技術(shù)方案（一）方案設(shè)計依據(jù)《機(jī)械設(shè)備安裝工程施工及驗收規(guī)范》GB5023198《電氣工程安裝及電氣設(shè)備直接檢驗標(biāo)準(zhǔn)》GB5015091化工部《工業(yè)安裝工程檢驗評定統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)》（1996）建設(shè)部《建筑安裝工程安全技術(shù)規(guī)范》（1993）《通用電設(shè)備配電設(shè)計規(guī)范》（GB50055—93）（二）安裝工程設(shè)計方案的原則和要求按《規(guī)范》要求，組織設(shè)備安裝施工，對安裝工程應(yīng)經(jīng)招投標(biāo)摘優(yōu)錄用施工隊伍，文明施工，按時保質(zhì)、保量安裝好機(jī)械設(shè)備。設(shè)備安裝就位，應(yīng)符合設(shè)備安裝工程施工及驗收規(guī)范要求，然后組織試運(yùn)行生產(chǎn)，把安全第一，保證質(zhì)量放在重要地位。安裝注意事項及檢測手段：A、嚴(yán)格按照操作規(guī)程施工，正確穿戴好勞保用品。B、檢測手段包括試車前、運(yùn)轉(zhuǎn)時檢測及運(yùn)轉(zhuǎn)一段時間后再進(jìn)行復(fù)查等手段。三、項目主要技術(shù)工序和工藝路線工藝技術(shù)來源單晶硅棒依托**研究所的最新研究成果，引進(jìn)整套成熟技術(shù)。工藝技術(shù)的先進(jìn)性單晶硅制備（拉單晶）是在專用設(shè)備——單晶爐內(nèi)進(jìn)行，單晶爐內(nèi)配備適合晶體生長的高純石墨熱系統(tǒng)。將硅原材料放在石英堝內(nèi)用石墨制成的加熱器通入低電壓大電流而產(chǎn)生的高溫將熔點在1420℃的硅材料熔化后，由計算機(jī)等設(shè)備控制熔融狀態(tài)的硅液面溫充在1420℃臨界點上，由一個單晶體的籽晶與液面接觸、熔融后而緩慢的提升，使硅液體在籽晶的引領(lǐng)下按預(yù)先設(shè)定的晶格、晶向和外形緩慢結(jié)晶出單晶體的硅單晶，完成單晶制備。整個工藝流程：工藝流程說明：①硅料。單晶硅生產(chǎn)過程中使用的硅料，均為成品（無需再進(jìn)行腐蝕、酸洗等處理；其中部分硅料由企業(yè)自身腐蝕、酸洗得到，其余均由外單位進(jìn)行腐蝕加工）即可投爐加工。②配比裝爐、拉晶、冷爐拆爐。即將成品硅料根據(jù)要求與相應(yīng)的母合金（主要是P、Be等元素含量多一點的硅片，加入量約為硅料加入量的百萬分之一）進(jìn)行混合裝入單晶爐內(nèi)拉晶（控制溫度約為1420℃，時間約為30～40h/批，每批生產(chǎn)量約為20kg/爐；拉晶過程中單晶爐內(nèi)采用液氬作為保護(hù)氣體；該過程主要是利用高溫使高純硅在單晶爐內(nèi)熔融并使原子進(jìn)行有序排列，待有序排列完畢后由單晶爐上方拉晶成柱狀硅棒）；硅棒生長完畢后對單晶爐進(jìn)行冷卻，之后將硅棒從單晶爐內(nèi)卸下，以便后道加工處理。③測試、分段。利用各類檢測設(shè)備對成規(guī)則柱狀硅棒進(jìn)行電阻率、氧、碳等成分進(jìn)行測試，經(jīng)測試合格后（測試不合格的硅棒則送單晶爐或結(jié)晶爐作回爐重新拉晶處理）送入切斷機(jī)內(nèi)進(jìn)行分段處理（一般直徑為125mm，長度以30～40cm不等）便得到成品硅棒，分段的目的主要是使硅棒能夠順利進(jìn)入切片機(jī)內(nèi)進(jìn)行切片處理；分段過程采用自來水對設(shè)備進(jìn)行冷卻，經(jīng)冷卻后排入廠區(qū)內(nèi)污水處理設(shè)施。原料消耗本項目原輔材料消耗按年產(chǎn)50t單晶硅計算，本項目的主要原材料是硅料及輔助材料。為了節(jié)省成本，可部份摻用廢硅料（頭尾料和鍋底料等不可直接利用的原料），經(jīng)過酸洗腐蝕工藝后使用。原輔材料供應(yīng)見表4－1。表7