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年產(chǎn)200噸電子級多晶硅項目可行性研究報告-資料下載頁

2024-09-01 21:55本頁面

【導讀】集體企業(yè)—始建于1973年的城陽鎮(zhèn)農(nóng)修廠改制而成的民營企業(yè)。便利,地理位置優(yōu)越,現(xiàn)為國家中一型企業(yè),國際質(zhì)量體系認證企業(yè),信鐵塔造、安裝;建筑機械;農(nóng)用機械;礦用儀器制造、銷售等。企業(yè)總資產(chǎn),2020年全年總產(chǎn)值達到,銷售。收入,利稅5421萬元。主要產(chǎn)品有10~50OKV輸電線路鐵塔、廣。列入輸電鐵塔一級合格供應商名單。公司技術力量雄厚,人才儲備充足。擁有機械制造和鋼結(jié)構工程專。公司多年來始終堅持,“科學技術是第一生產(chǎn)力”的發(fā)展戰(zhàn)??蛻魹殛P注焦點,不斷提煉核心企業(yè)精神―“建興精神”。硅材料是第一大電子功能材料。我國多晶硅原料80%以上依賴進口,和太陽能光伏電池材料陷入了受制于外國的尷尬、被動局面。大大帶動多晶硅需求的增加。項目建成后,將推動電子信息產(chǎn)業(yè)和新能源產(chǎn)業(yè)在莒縣。的發(fā)展,為我國經(jīng)濟建設起到促進作用。律、法規(guī)及節(jié)能標準對該項目的合理用能進行評估。極配合,在此表示感謝!報告書中不足之處在所難免,敬請批評指正。

  

【正文】 出低沸物,送往原料罐,塔釜出中間 年產(chǎn) 200 噸多晶硅項目 節(jié)能評估報告 25 產(chǎn)品(如 三氯氫硅 、四氯化硅等)進入精餾四塔,精餾四塔塔頂出精餾產(chǎn)品送往還原工序,塔釜出高沸物送往原料罐。 回收料經(jīng)回收一、二、三塔三塔連續(xù)提純,控制一定的溫度、壓力、回流比,回收精餾一塔塔頂出低沸物,送往原料罐,塔釜出中間產(chǎn)品(如三氯氫硅 、四氯化硅等)進入回收精餾二塔,回收精餾二塔塔頂出三氯氫硅精餾產(chǎn)品,送往還原工序,塔釜出料送往回收精餾三塔,塔頂出四氯化硅,塔底出高沸物外賣。 該工序能耗主要為導熱油吸收的還原爐余熱和電力。 干法尾氣回收 :還原尾氣干法回收主要包 括鼓泡淋洗、加壓冷凝、吸收脫吸、活性炭吸附等四個主要工藝過程,其基本原理如下: 鼓泡淋洗:利用四氯化硅在一定溫度下對還原尾氣中組分溶解度的不同,通過鼓泡淋洗塔對還原尾氣淋洗,溶解度大的三氯氫硅、四氯化硅絕大部分被溶解吸收,溶解度小的氫氣、氯化氫、二氯二氫硅便分離出來。 加壓冷凝:從鼓泡淋洗塔出來的不溶性氣體,里面含有少量的三氯氫硅、四氯化硅,若在常壓下把其冷凝出來需要很低的冷卻溫度和大量能量,采取加壓冷凝的方法,三氯氫硅、四氯化硅可在較高的溫度下按照相平衡的規(guī)律幾乎全部冷凝下來,從而大量降低能源消耗。 吸收 脫吸:吸收脫吸是分離氣體混合物的一種重要方法,吸收過程實際上是氣相組分在液相中溶解的過程,反之,溶質(zhì)從液相轉(zhuǎn)入氣相,即為脫吸過程。加壓冷凝后的不凝氣體主要是氫氣、氯化氫、二氯二氫硅,采用四氯化硅作為吸收劑,其中大量的氯化氫、二氯二氫硅在加壓低溫條件下被四氯化硅溶解吸收,氫氣分離出來。而被四氯化硅溶解吸收的氯化氫、二氯二氫硅在脫吸塔中控制一定的溫度、壓力條件下,二氯二氫硅以液態(tài)、氯化氫以氣態(tài)分別從四氯化硅中分離出來。 年產(chǎn) 200 噸多晶硅項目 節(jié)能評估報告 26 活性炭吸附脫附:從吸收脫吸系統(tǒng)中分離出來的氫氣中含有微量的氯化氫、氯硅烷等,通過活性炭吸附器 吸附,氯化氫、氯硅烷等大分子物質(zhì)首先被吸附下來,從而凈化了氫氣。時間可以通過程序控制,吸附飽和后的活性炭進行脫附再生,控制一定的溫度并通氫氣吹趕,被活性炭吸附的氯化氫、氯硅烷等可以脫附出來,從而實現(xiàn)了活性炭吸附器的重復利用。 來自還原車間的尾氣(包括氫氣、氯化氫、二氯二氫硅、三氯氫硅、四氯化硅),經(jīng)過鼓泡氣氣換熱器冷卻后,進入鼓泡淋洗塔,用氯硅烷循環(huán)屏蔽泵數(shù)佛那個的低溫氯硅烷鼓泡淋洗,還原尾氣中大部分四氯化硅、三氯氫硅絕大部分被溶解吸收后,返回氯硅烷貯罐供氯硅烷循環(huán)屏蔽泵使用,富裕氯硅烷通過氯硅烷輸送泵送往 干法精餾工序。 鼓泡淋洗塔中不被吸收的氣體,經(jīng)過還原尾氣壓縮機壓縮,壓力由常壓升至 ,經(jīng)過壓縮氣 吸收氣換熱器、壓縮氣過冷氣冷卻后,冷凝下來的氯硅烷返回氯硅烷貯罐,不凝低溫氣體進入吸收塔,其中絕大部分氯化氫、三氯氫硅、四氯化硅在吸收塔內(nèi)被低溫四氯化硅(貧液)吸收下來,吸收了氯硅烷、氯化氫的四氯化硅成為富液,進入富液貯罐。通過富液屏蔽泵輸送,富液經(jīng)過三級貧富液換熱器、二級貧富液換熱器、一級貧富液換熱器與貧液換熱升溫后,進入脫吸塔,控制一定溫度(塔釜 144℃)和壓力(塔頂 ),氯化氫以氣體進 入緩沖罐,返回三氯氫硅合成系統(tǒng)重新利用,二氯二氫硅以液態(tài)進入緩沖罐,然后進行處理和外賣。脫吸后的四氯化硅稱之為貧液,溫度為 144℃,經(jīng)過貧液水冷器、一級貧富液換熱器、二級貧富液換熱器、三級貧富液換熱器、貧液過冷器降溫至 50℃,進入吸收塔重新利用。 吸收塔內(nèi)不被吸收的氣體主要是氫氣,其中含有微量的氯硅烷、氯化氫,為進一步凈化氫氣,采用活性炭吸附器吸附氫氣中的雜質(zhì);三個活性 年產(chǎn) 200 噸多晶硅項目 節(jié)能評估報告 27 炭吸附器通過時間程序控制,分別進行吸附、再生、降溫。在吸附過程中,活性炭吸附下氫氣中微量的氯硅烷、氯化氫雜質(zhì),通過帶式過濾器過濾掉碳粉后, 送到 100立方純氫儲罐,供還原等工序使用。再生過程對吸附飽和的活性炭吸附器加熱、通氫氣吹趕,氯硅烷、氯化氫隨氫氣經(jīng)過過濾器過濾掉炭粉后重新返回鼓泡淋洗塔鼓泡淋洗。降溫過程是對再生后高溫( 190℃)活性炭吸附器通冷導熱油進行降溫。 該工序能耗主要為 導熱油吸收的還原爐余熱和電力。 多晶 硅還原 : 電解 氫氣 或干法回收的高純 氫氣, 經(jīng)導熱油換熱器加熱至 700℃后,在氣體分布板后與經(jīng)提純凈 化后的三氯氫硅 在混合罐內(nèi)均勻鼓泡,三氯氫硅蒸發(fā),氫氣與 三氯氫硅 混合,此時控制混合罐壓力 ,溫度 20℃,并控制氫氣與 三氯氫硅 氣體 摩爾比為 10: 1,混合氣體出混合罐后在氣 氣換熱器內(nèi)與 550℃的還原尾氣進行熱交換,升溫至 400℃左右后進入還原爐,在 1050℃的硅芯發(fā)熱體表面發(fā)生還原反應, 氣體中所含的硅將在熱硅棒上還原沉積 生長多晶硅, 直至熱硅棒的直徑達到要求為止。反應后尾氣經(jīng)過氣 氣換熱器后進入干法回收系統(tǒng)。 在還原爐內(nèi)混合氣體在硅芯發(fā)熱體表面經(jīng)過約 12 天的生長周期長成合乎要求的熱硅棒。熱硅棒經(jīng)冷卻后即多晶硅棒,每爐次的多晶硅棒經(jīng)過取樣檢測后,按照不同用戶的要求進行切割、滾磨、破碎、清洗、烘干等加工處理后,最后進行真空包裝。 該工序能耗 為電力,同時輸出導熱油吸收的余熱用于其他供需加熱。 年產(chǎn) 200 噸多晶硅項目 節(jié)能評估報告 28 主要 生產(chǎn)工藝簡圖 工藝 的技術特點 干法還原尾氣回收: 1955 年,西門子公司成功開發(fā)了利用氫氣還原三氯硅烷( SiHCl3)在硅芯發(fā)熱體上沉積硅的工藝技術,并于 1957年開始了工業(yè)規(guī)模的生產(chǎn),這就是通常所說的西門子法。 西門子法中還原尾氣采用濕法回收工藝, 由于“濕法回收”中采用水洗來除去氫氣中氯化氫、氯硅烷,在損失氯化氫、氯硅烷同時,增加了廢水的處理量,并且水分及水中、空氣 中的雜質(zhì)進入到氫氣中,污染了氫氣,必須另外采用氫氣純化干燥裝置將其純 化干燥后才能重新返回系統(tǒng)利用。濕法回收工藝消耗大、收率低,從而增加了整個多晶硅生產(chǎn)成本。 因此 在 西門子法工藝的基礎上,通過增加還原尾氣干法回收系統(tǒng)、 SiCl4氫化工藝,實現(xiàn)了閉路循環(huán),于是形成了改良西門子法 —— 閉環(huán)式 SiHCl3氫還原法。 采用干法回收工藝,還原尾氣中的各組分幾乎可以 100%分離回收, 由 于 整 個系統(tǒng)是閉路循環(huán),不 引 入新的污染源 , 故回收各組分品質(zhì)穩(wěn)定, 可直 接返回系統(tǒng)重新利用,從而提 高 了收率 , 減少了消 耗。采用改良西門子法,其特點為閉路循環(huán)系 年產(chǎn) 200 噸多晶硅項目 節(jié)能評估報告 29 統(tǒng),采用節(jié)能型大還原爐、干法回收等技術,產(chǎn)品質(zhì)量高,原輔材料及 電力消耗大為降低,每生產(chǎn) 1公斤多晶硅的單耗與國內(nèi)目前水平相比,各項單耗都大幅度降低。 還原爐導熱油冷卻:由于多晶硅生產(chǎn)過程中各種物料要反復經(jīng)過多次加熱、冷卻過程,如對生產(chǎn)中余熱資源進行合理利用,則可以大大降低能耗。還原爐能耗占生產(chǎn)能耗 60%,因此對還原爐余熱進行利用是余熱利用的主要環(huán)節(jié),還原爐用導熱油冷卻后,吸收還原爐熱量的導熱油用于加熱氫氣,以及進入精餾塔等加熱物料,實現(xiàn)了余熱回收利用, 根據(jù)實際的運行經(jīng)驗,還原過程的 50%的余熱得到再次利用,使得單位電耗大幅度下降,同時 由于 還將使全廠的用水量下降大約 60%。 設備能效指標核算 供電系統(tǒng) 該項目生產(chǎn)裝置為連續(xù)性生產(chǎn),屬易燃易爆的生產(chǎn)場所,為保證用電安全,用電負荷為一、二級負荷,由兩個獨立電源供電,當一個電源故障,另一個電源可滿足生產(chǎn)一、二級負荷的要求。 項目供電采用二路 110kV 架空線路供電,廠內(nèi)建 110kv/10kV 變電站一座 和 10kv/ 變電所 三座 對生產(chǎn)供電。 在變壓器選型方面, 選用 S1016000kVA( 110kV),和 S111250kVA( 10kV), 還原爐變壓器選用 單臺配電容量為 2270kVA 多 晶硅專用調(diào)壓變壓器 , 該變壓器能夠合理調(diào)整 多晶硅還原工序隨結(jié)晶過程帶來的電阻變化引起的加熱熱功率變化,保證了結(jié)晶 溫度 , 解決了多晶硅生產(chǎn)中物耗高、能耗高、成本高、污染嚴重及難實現(xiàn)規(guī)模生產(chǎn)問題 。 在變壓器選型方面符 年產(chǎn) 200 噸多晶硅項目 節(jié)能評估報告 30 合節(jié)能要求。 在無功補償方面, 10kV側(cè)采用還原爐電氣系統(tǒng)配套的無功補償裝置,使補償后功率因數(shù)不小于 。符合國家節(jié)能要求。 干法回收 設備 干法回收設備主要 由 換熱裝置、吸收裝置、儲存裝置和輸送設備 組成。吸收裝置主要有 鼓泡淋洗塔、吸收塔、脫吸塔、活性炭吸附器 、 高效氫氣過濾器 等;換 熱裝置主要有 鼓泡氣氣換熱器、鼓泡塔氯硅烷換熱器、壓縮氣吸收氣換熱器、壓縮氣過冷器、貧液水冷器、一級、二級貧富液換熱器、貧液過冷器、脫吸塔頂冷凝器、脫吸塔再沸器、導熱油水換熱器 等;儲存裝置有 還原尾氣緩沖罐、氯硅烷儲罐、富液儲罐、二氯二氫硅儲罐、吸收塔出口緩沖罐、吸附后純氫儲罐 等;輸送設備有 氯硅烷循環(huán)屏蔽泵 、 富液循環(huán)屏蔽泵 、 冷油循環(huán)屏蔽泵 等。為提高吸收效率,在鼓泡洗淋塔還采用尾氣壓縮機提高尾氣壓力提高吸收效果。 通過采用以上設備,干法回收系統(tǒng) 達到了 氫氣回收率 100%、 氯硅烷回收率 100%、 氯化氫回收率 100%, 充分回收了尾氣中的氫氣和氯硅烷,并進行了重復利用,同時減少了廢棄的排放,既降低了物耗能耗,用減少了對環(huán)境的污染。 多晶硅還原設備 ( 1) 大型節(jié)能還原爐 : 12 對棒大型節(jié)電還原爐生產(chǎn)多晶硅直徑可達Φ 150mm,硅芯長度 可達 ,單臺年產(chǎn)量為 40t,符合大規(guī)模生產(chǎn)的要求。 年產(chǎn) 200 噸多晶硅項目 節(jié)能評估報告 31 ( 2) 導熱油循環(huán)冷卻技術 :還原爐中高溫硅棒表面向爐壁輻射的熱, 由還原爐夾套循環(huán)的導熱油帶出來,高溫熱油經(jīng)不同途徑釋放熱能后,再回到還原爐夾套,循環(huán)往復,可回收還原過程 50%以上的副產(chǎn)熱能,保證了硅棒產(chǎn)品直徑誤差不超過數(shù)毫米。由 12 對棒大直徑還原爐與導熱油循環(huán)冷卻技術構成的系統(tǒng),使多晶硅產(chǎn)品直接電耗由傳統(tǒng)西門子工藝的 450kW h~500kWh/ kgSi 降 250kW h/ kgSi 以下。 多晶硅還原設備采用 12 對棒大型節(jié)能還原爐,同時采用導熱油循環(huán)冷卻裝置,提高了產(chǎn)品質(zhì)量和產(chǎn)量,合理利用了還原爐余熱,減少了電耗,提高了電能利用率。 控制系統(tǒng) 項目采用 DCS全數(shù)字集散控制系統(tǒng)。該系統(tǒng)通過對 生產(chǎn) 負荷、 溫度、壓力、流量等運行參數(shù)的監(jiān) 測,自動控制調(diào)整 運行工況 。 保證了生產(chǎn)裝置的安全操作、平穩(wěn)運行,可大大提高產(chǎn)品質(zhì) 量和產(chǎn)量 。 該系統(tǒng)是目前先進的自動化控制系統(tǒng),實現(xiàn)了對設備的自動控制,同時可以進行一機多控操作,實行微機控制,具有較高的穩(wěn)定性。 絕熱 結(jié)構 項目絕熱材料 DN≥ 350 采用復合硅酸鹽卷氈外包鍍鋅鐵皮, DN≤ 350采用防水型復合硅酸鹽管殼外包鍍鋅鐵皮 。保冷材料選用改性聚丙烯酰胺發(fā)泡外包鍍鋅鐵皮。保溫和保冷材料的選取以及外防護材料的選取符合節(jié)能要求。 其他設備 制冷機組選型為 jjzvLGF234Dz 全自動經(jīng)濟器氟螺桿式壓縮機組 ; 制氫
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