【正文】 外，還可觀察到有白煙生成，因為一氧化氮遇到空氣迅速變?yōu)槎趸?，二氧化到可以和水反?yīng)得到硝酸，硝酸可以和氨氣反應(yīng)生成NH4NO3(或硝酸銨)；（2）三硅酸鎂中和胃酸（HCl）的化學方程式為：Mg2Si3O8nH2O＋4HCl=3H2SiO3＋2MgCl2＋(n－1)H2O，根據(jù)化學方程式， Mg2Si3O8nH2O的物質(zhì)的量是x，得：=，解得x=，所以MgSi3O8?nH2O的摩爾質(zhì)量是(260+18n) g/mol =368g/mol，Mg2Si3O8的摩爾質(zhì)量為260g/mol，所以18n=108，即n=6。14．某同學設(shè)計如圖裝置，探究非金屬性質(zhì)變化規(guī)律．(1)已知硅酸(H2SiO3)是一種難溶于水的弱酸，呈白色．現(xiàn)有硝酸、碳酸鈣、澄清石灰水、硅酸鈉溶液，選擇試劑并用如圖裝置證明N、C、Si的非金屬性強弱順序．①A中試劑為________；B中試劑為__________________．②C中反應(yīng)的離子方程式為________．③該實驗方案中明顯不合理之處是________．(2)利用上圖裝置證明氯氣的氧化性強于碘單質(zhì)的氧化性．①A 中裝濃鹽酸，B 中裝入高錳酸鉀粉末，C 中試劑為______________；．a(chǎn)．碘水 b．碘化鉀溶液 c．碘的四氯化碳溶液 d．碘酸鉀溶液②C 中反應(yīng)的離子方程式為________．③該實驗裝置有明顯不足，改進的方法是________．(3)如果C 中裝氫硫酸(H2S 溶液)，A 中裝濃鹽酸，B 中裝高錳酸鉀粉末，反應(yīng)開始后觀察到的現(xiàn)象是 C 中產(chǎn)生淡黃色沉淀，C 中反應(yīng)的化學方程式_________________，該實驗________；(填“能”或“不能”)證明氯的非金屬性比硫強?！敬鸢浮肯跛? 碳酸鈣 CO2+SiO32﹣+H2O＝H2SiO3↓+CO32﹣ 硝酸易揮發(fā)，硝酸進入 C 中與硅酸鈉反應(yīng)生成硅酸 b 2I﹣+Cl2═I2+2Cl﹣ 增加裝有氫氧化鈉溶液的尾氣吸收裝置 Cl2+H2S═S↓+2HCl 能 【解析】【分析】(1)根據(jù)強酸制弱酸的規(guī)律結(jié)合硝酸溶液、碳酸鈣、澄清石灰水、硅酸鈉溶液，選擇試劑用題中裝置證明：酸性：HNO3H2CO3H2SiO3；(2)利用題中裝置證明氯氣氧化性強于碘單質(zhì)的氧化性，C中發(fā)生的是氯氣和碘離子的反應(yīng)，生成碘單質(zhì)，碘單質(zhì)遇淀粉變藍；生成的氯氣有毒需要尾氣吸收處理；(3)A中裝濃鹽酸，B中裝高錳酸鉀反應(yīng)生成氯氣具有氧化性，通入氫硫酸溶液，反應(yīng)開始后觀察到的現(xiàn)象是C中產(chǎn)生淡黃色沉淀，說明氯氣氧化硫化氫為硫單質(zhì)；氧化劑的氧化性大于氧化產(chǎn)物的氧化性，進而判斷非金屬性。【詳解】(1)①現(xiàn)有硝酸、碳酸鈣、澄清石灰水、硅酸鈉溶液，選擇試劑用題中裝置證明：酸性：HNO3H2CO3H2SiO3，根據(jù)強酸制弱酸可知，A中試劑是硝酸、B中物質(zhì)是碳酸鈣；②硝酸和碳酸鈣反應(yīng)生成二氧化碳，二氧化碳通入硅酸鈉溶液生成硅酸沉淀，裝置C中離子反應(yīng)是：CO2+SiO32+H2O＝H2SiO3↓+CO32；③硝酸易揮發(fā)，硝酸進入C中與硅酸鈉反應(yīng)生成硅酸，所以不能確定C中反應(yīng)物是二氧化碳還是硝酸，故該實驗方案中明顯不合理之處是：硝酸易揮發(fā)，硝酸進入C中與硅酸鈉反應(yīng)生成硅酸；(2)①利用題中裝置證明氯氣氧化性強于碘單質(zhì)的氧化性，C中發(fā)生的是氯氣和碘離子的反應(yīng)，生成碘單質(zhì)，碘單質(zhì)遇淀粉變藍，所以C中加入碘化鉀溶液；② C中發(fā)生的是氯氣和碘離子的反應(yīng)，離子方程式為：2I+Cl2═I2+2Cl；③生成的氯氣有毒，需要尾氣吸收處理，該實驗裝置的明顯不足是沒有尾氣處理裝置，改進的方法是在C后增加裝有氫氧化鈉溶液的尾氣吸收裝置；(3)如果C中裝氫硫酸(H2S溶液)，A 中裝濃鹽酸，B中裝高錳酸鉀粉末，反應(yīng)開始后觀察到的現(xiàn)象是C中產(chǎn)生淡黃色沉淀，C中反應(yīng)的化學方程式為：Cl2+H2S═S↓+2HCl，說明氯氣氧化硫化氫為硫單質(zhì)，在氧化還原反應(yīng)中，氧化劑的氧化性大于氧化產(chǎn)物的氧化性，因此能判斷氯的非金屬性比硫強。15．粗硅中含有鐵和錫（Sn）等雜質(zhì)，粗硅與氯氣反應(yīng)可生成SiCl4，SiCl4經(jīng)提純后用氫氣還原可得高純硅。實驗室用下列裝置模擬制備SiCl4。已知：SiCl4的熔點是70℃，℃，易與水反應(yīng)；Sn Cl4的熔點是33℃，沸點是114℃回答下列問題：（1）儀器a的名稱是_______；裝置A燒瓶中發(fā)生反應(yīng)的離子方程式是____________。（2）裝置C中盛放的試劑是_____________，作用是___________________；玻璃管b的作用是_______________________。（3）裝置E的燒杯中盛放冰水的目的是______________________。（4）裝置F中堿石灰的作用是____________________________。（5）裝置E燒瓶中得到的SiCl4中溶有少量的雜質(zhì)FeCl3和SiCl4，可以通過___________方法提純?！敬鸢浮糠忠郝┒? MnO2+ 4H＋+2Cl－Mn2＋+2H2O+ Cl2↑ 濃硫酸 干燥氯氣 調(diào)節(jié)裝置內(nèi)外壓強平衡 冷凝并收集SiCl4 吸收多余的Cl2，防止外界水蒸氣進入E的燒瓶中 蒸餾 【解析】【分析】制備四氯化硅的原料為Cl2和Si。A裝置為Cl2的制備裝置，B、C裝置為除雜裝置。先用B除去HCl，再用C（濃H2SO4）除去H2O蒸氣。Cl2通入粗硅中反應(yīng)，用冷水將產(chǎn)生SiCl4冷凝即可，以此解答?！驹斀狻浚?）依據(jù)儀器a形狀可知a為：分液漏斗；裝置A燒瓶中二氧化錳和濃鹽酸在加熱的條件下生成氯氣，方程式為：MnO2+ 4H＋+2Cl－Mn2＋+2H2O+ Cl2↑；（2）生成的氯氣中混有水蒸氣，需要通過濃硫酸除去，裝置C中盛放的試劑是濃硫酸；作用是干燥氯氣；玻璃管b的作用是調(diào)節(jié)裝置內(nèi)外壓強平衡；（3）D中氯氣和粗硅反應(yīng)生成SiCl4氣體，裝置E放在冰水中可以冷凝并收集SiCl4；（4）氯氣有毒需要除去多余的氯氣，同時也要避免空氣中的水蒸氣進入裝置中，則裝置F中堿石灰的作用是吸收多余的Cl2，防止外界水蒸氣進入E的燒瓶中；（5）已知：SiCl4的熔點是70℃，℃，易與水反應(yīng)；SnCl4的熔點是33℃，沸點是114℃，三種沸點差別很大，可以用蒸餾的方法進行提純。