鈑金產(chǎn)品結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)資料(doc26)-經(jīng)營管理-資料下載頁
2025-08-05 16:30本頁面
【導(dǎo)讀】層和有機(jī)化學(xué)薄膜層.有機(jī)化學(xué)薄膜層能表面抗指紋和白銹，抗腐蝕及有較佳的烤漆性.板片鍍鋅法(剪切好的鋼板浸在鍍槽中，鍍好后會(huì)有鋅花.膜厚---含鍍鋅層，烙酸鹽層及有機(jī)化學(xué)薄膜層，最小之膜厚需以上.5%的鹽水，用含鹽的水汽充滿箱子，試片垂直倒掛在箱子中48小時(shí)。層面6mm范圍有生銹情況可以忽略。由于鋅是一種高活性金屬，在烤漆前需要適當(dāng)?shù)幕瘜W(xué)轉(zhuǎn)化處理如磷酸鹽處理。磷酸鹽處理劑有兩種，一種是處理鐵的，一種是處理鋅的。采用弱堿，有機(jī)溶劑及中性乳液或洗滌劑，避免用酸或強(qiáng)堿脫脂劑。聚合作用或硫化作用后，熱硬化塑料就會(huì)保持穩(wěn)定而不能回到原料狀態(tài).硫化作用后，熱硬化塑料是所有塑料中最堅(jiān)硬的。型周期延長及噴嘴溢料等.噴嘴信道最小口徑為,長度宜盡量短，可變電阻器控制精度稍嫌不足，所以在噴嘴外壁應(yīng)裝設(shè)電偶作溫度控制。邊溢口及潛伏式溢口，建議其長度為.一般模仁材料以采用P20或H13材質(zhì)居多.
【正文】 bination） ,故造成電荷累積 . 兩接觸材料（非導(dǎo)電體）之間的相對電介常數(shù)（ Dielectric Constant）越大， 越容易帶靜電。 Triboelectric Table 當(dāng)材料的表面電阻大于 109 ohms/square 時(shí)， 較容易帶靜電 . 0 ohms/square~106 ohms/square 導(dǎo)體 106 ohms/square~109 ohms/square 非靜電材質(zhì) 109 ohms/square~ ∞ 易引起靜電材質(zhì) 防靜電材料之表面電阻值 導(dǎo)電 PE FOAM 104~106 ohms/square 抗靜電袋 108~1012 ohms/square 抗靜電材質(zhì) 10~108 ohmscm 2. 空氣中的相對濕度越低， 物體越容易帶靜電 中國最龐大的下資料庫 (整理 . 版權(quán)歸原作者所有 ) 中國最大的資料庫下載 ESD 的參數(shù)特性 1. 電容 ESD 的基本關(guān)系式 ： V=Q/C Q 為物體所帶的靜電量， 當(dāng) Q 固定時(shí)， 帶靜電物體的電容越低， 所釋放的 ESD 電壓越高。 通常女人的電容比男人高， 一般人體的電容介于 80pfd~500pfd 之間 . 2. 電壓 ESD 所釋放的電壓， 時(shí)造成 IC 組件故障的主要原因之一。 人體通常因摩擦所造成的靜電放電電壓介于 10~15kV, 所能產(chǎn)生的 ESD 電壓最高不超過35~40kV 的上限。 人體所能感應(yīng)的 ESD 電壓下限為 3~4kV 3. 能量 W=1/2 *CV2 典型的 ESD 能量約在 17 milijoules, 即當(dāng) C=150 pfd, V=15kV 時(shí) W=1/2 * 150 *1012 * (15 * 103)2 =17 * 103 joules (焦耳 ) 4. 極性 物體所帶的靜電有正負(fù)之分， 當(dāng)某極性促使該組件趨向 Reverse Bias 時(shí)， 則該組件較易被破壞 . 5. RISE TIME ( tr ) 中國最龐大的下資料庫 (整理 . 版權(quán)歸原作者所有 ) 中國最大的資料庫下載 RISE TIMEESD 起始脈沖 (PULSE)10%到 90%ESD 電流的尖峰值所須的時(shí)間 . Duration ESD 起始脈沖 50%到落下脈沖 50%之間所經(jīng)過的的時(shí)間 使用尖銳的工具放電， 產(chǎn)生的 ESD Rise time 最短， 而電流最大 . ESD 產(chǎn)生可分為五個(gè)階段進(jìn)行 : 1. 先期電暈放電（ Corona Discharge） , 產(chǎn)生 RF 輻射波 . 2. 先期電場放電（ Prediscahrge EField） 3. 電場放電崩潰（ Collapse） 4. 磁場放電 (Discharge HField) 5. 電流釋出， 并產(chǎn)生瞬時(shí)電壓（ Transient Voltage） 82 電子裝備之 ESD 問題 1. 直接放電到電子組件 由電壓導(dǎo)致的破壞 (1) 以 MOS（ Metal Oxide Semiconductar） DEVICE 為主 (2) 當(dāng) ESD 電壓超過氧化層（如 SiO2）的 Breakdown Voltage 時(shí)， 即造成組件破壞 . (3) 由電場引起 由電流導(dǎo)致的破壞 (1) 以 BIPOLAR ( Schottky , TTL) DEVICE 為主 中國最龐大的下資料庫 (整理 . 版權(quán)歸原作者所有 ) 中國最大的資料庫下載 (2) 當(dāng) ESD 電流達(dá)到 2~5A 時(shí)， 因焦耳效應(yīng)產(chǎn)生的高熱（ I2t） , 將 IC JUNCTION 燒壞 . (3) 由磁場引起 2. 直接放電到電子設(shè)備外殼 當(dāng)帶靜電的人體接觸電子裝備的金屬外殼時(shí)， 若該裝備有接地， 則 ESD電流會(huì)直接流至地線， 否則有可能流經(jīng)電子組件再流至 GROUND, 造成組件的破壞。 由于 ESD 電流是經(jīng)由阻抗最低的路徑向地傳， 若是接地線的動(dòng)態(tài)阻抗比箱體到地面 /桌面的阻抗低， 則可能有箱體傳至地面， 此時(shí)可能對電子線路造成輻射干擾 . 3. 間接放電 間接放電 是指帶靜電體不是直接放電到所接觸的設(shè)備部門， 而是放電到臨近的金屬件， 使 ESD PILSE 造成電磁場輻射影響電子組件 . 83 ESD 防護(hù)設(shè)計(jì) 1. 組件層次 (Component Level) 2. 電路板層次 (PCB Level) 3. CABLING 層次 4. 箱體層次（ Housing Level） 中國最龐大的下資料庫 (整理 . 版權(quán)歸原作者所有 ) 中國最大的資料庫下載 其中 1， 2 項(xiàng)和機(jī)構(gòu)設(shè)計(jì)無關(guān) 1. cabling 層次 對于箱體內(nèi)部的 Flat Cable 和 Power Cable, 要注意 1. 避免使用過長的 Cable. 2. 為了防止感應(yīng) ESD Noise, 必須避免讓 Cable 太靠近外殼的接縫處 . 3. 避免使 cable 與金屬外殼內(nèi)面接觸， 以免當(dāng)外殼承受 ESD 時(shí)， 對 Cable 造成干擾 . 4. 對 Cable 做屏蔽（ Shielding）處理 2. 箱體層次 最應(yīng)該注意的是外殼的屏蔽（ Shielding）和接地 (Grounding). 在 Shielding 方面， ESD 和 EMI 的要求完全相同， ESD 必須注意的是： 1. 凡是可從外部接觸到的金屬件（如 Switch），都必須與外殼相連， 不可Floating, 以避免： (1) 使 ESD 電流流經(jīng) PCB. (2) 因電荷飽和產(chǎn)生二次放電或輻射干擾。 過長的螺絲， 以免 ESD 對內(nèi)部造成輻射干擾 . 3. 在塑料外殼的縫隙設(shè)計(jì)上， 應(yīng)盡量拉長縫隙長度， 以免 ESD 放電或造成ESD 輻射 中國最龐大的下資料庫 (整理 . 版權(quán)歸原作者所有 ) 中國最大的資料庫下載 4.
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