沉銅和板電工藝培訓(xùn)講義(編輯修改稿)
2024-10-23 23:49 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 g/L)； HCHO 57g/L，標(biāo)準(zhǔn)（6g/L)； 溫 度：2530℃ 處理時間：1218min（標(biāo)準(zhǔn)15min）,?,三、PTH各 藥水缸成份及其作用,（12）一、化學(xué)銅缸（需機(jī)械搖擺、空氣攪拌和循環(huán)過濾） 化學(xué)反應(yīng)方程式： 正反應(yīng)：Pd催化及堿性條件下，甲醛分離 （解）下（氧化）而產(chǎn)生甲酸根陰離子 HCHO+OH H2↑+HCOO（甲酸） 接著是銅離子被還原 Cu2++H2+2OH→Cu+2H2O,Pd,?,（12）二、化學(xué)銅缸（需機(jī)械搖擺、空氣攪拌和循環(huán)過濾） 最后，所鍍出的化學(xué)銅層又可作為自我催化的基地， Cu2+又在此已催化的基礎(chǔ)上被電子還原成金屬銅，如此不 斷，直至減弱 HCH+OH [HCH] → HCOH+H Cu2++2H → Cu ↓ 負(fù)反應(yīng)：,三、PTH各 藥水缸成份及其作用,催化,+,OH,O,?,（12）三、化學(xué)銅缸（需機(jī)械搖擺、空氣攪拌和循環(huán)過濾） ①2Cu2++HCHO+5OH → Cu2O↓+ HCOO+3H2O； ②“康尼查羅”反應(yīng) 2HCHO+NaOH → HCOONa+CH3OH生成甲酸、甲醇 ； ③甲醇可使 Cu2+ → Cu+ Cu2O → 2Cu++2OH Cu2O+H2O → Cu↓+ Cu2+ +2OH 2Cu+ → 2 Cu2++ Cu↓,氧化亞 銅沉淀,H2O4,三、PTH各 藥水缸成份及其作用,?,A、銅離子Cu2+濃度 化學(xué)鍍銅速率隨鍍液中Cu2+離子濃度增加加快，當(dāng)硫酸銅含量為10g/L以下時，幾乎是成正比例增加，當(dāng)硫酸銅含量超過12g/l以后化學(xué)鍍銅速率不再增加反而會造成副反應(yīng)增加，使化學(xué)鍍銅液不穩(wěn)定。 B、絡(luò)合劑 影響化學(xué)鍍銅速率最關(guān)鍵的因素是絡(luò)合劑的化學(xué)結(jié)構(gòu)。 C、還原劑濃度 甲醛在鍍液中含量的增加甲醛的還原電位升高，甲醛的濃度控制在意810ml/l。,四、影響化 學(xué)銅速率的因素,?,D、PH 化學(xué)鍍銅反應(yīng)在有一定的PH值條件下才能產(chǎn)生；由于不同的絡(luò)合劑對銅的絡(luò)合常數(shù)不同，而且絡(luò)合常數(shù)隨溶液的PH而變化，銅離子的氧化電位也有所差別，這種差別造成了化學(xué)鍍銅反應(yīng)所需要的PH值也不同。 PH值增加化學(xué)銅速率加快，在PH為12.5時沉積速率最快，而且化學(xué)鍍銅層外觀最好。 E、添加劑 （穩(wěn)定劑） 添加劑具有穩(wěn)定化學(xué)鍍銅液的作用。 F、溫度 提高化學(xué)鍍銅液的溫度可以提高化學(xué)鍍銅速率。 G、溶液攪拌 化學(xué)鍍銅過程中快速激烈的攪拌能提高沉積速率。,四、影響化 學(xué)銅速率的因素,?,五、沉銅常見問題 產(chǎn)生原因及解決方法,孔粗 產(chǎn)生原因： 鉆孔引起的，前工序漏波。 除膠過度引起。 銅缸沉積速度過快，使孔墻結(jié)銅渣。 解決方法： 控制來料，及時知會鉆孔工序作出改善。 調(diào)整除膠各缸參數(shù)，如除膠溫度，濃度，時間等是否在MEI要求范圍內(nèi)。 知會ME調(diào)整銅缸各參數(shù)達(dá)到最佳值。,?,五、沉銅常見問題 產(chǎn)生原因及解決方法,背光不良 產(chǎn)生原因： 鉆孔引起的焦體物被附在孔墻上。 沉銅拉各缸均有不同程度會產(chǎn)生背光不良 解決方法： 知會鉆孔工序改善。 知會ME跟拉人員及時處理，達(dá)到生產(chǎn)實際 生產(chǎn)要求。,?,五、沉銅常見問題 產(chǎn)生原因及解決方法,孔無銅 產(chǎn)生原因： 鉆孔鉆屑塞孔引起的孔無銅。 沉銅
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