【文章內容簡介】 識的學習，還需要培養(yǎng)鍛煉我們的實踐能力、動手操作能力。建議發(fā)揮部分可以多給出幾個參考題目。另外感覺這門課很有價值，可以適當增加教學深度。七、參考文獻[1]路勇，[M].北京:中國鐵道出版社, 2016 [2]劉貴棟，電子電路的 Multisim 仿真實踐，哈爾濱工業(yè)大學出版社，2008第三篇：模電復習資料模擬電路復習提綱第一章 半導體二極管(如硅Si、鍺Ge)。、熱敏和摻雜特性。、負電荷的可移動的空穴和電子統(tǒng)稱為載流子。體現的是半導體的摻雜特性。*P型半導體: 在本征半導體中摻入微量的三價元素（多子是空穴，少子是電子）。*N型半導體: 在本征半導體中摻入微量的五價元素（多子是電子，少子是空穴）。*載流子的濃度多子濃度決定于雜質濃度，少子濃度與溫度有關。*體電阻通常把雜質半導體自身的電阻稱為體電阻。*轉型通過改變摻雜濃度，一種雜質半導體可以改型為另外一種雜質半導體。* ~，~。* PN結的單向導電性正偏導通，反偏截止。*單向導電性正向導通，反向截止。*二極管伏安特性同ＰＮ結。*~，~。*。，分析二極管兩端電位的高低: 若 V陽 V陰(正偏)，二極管導通(短路)。若 V陽 該式與伏安特性曲線 的交點叫靜態(tài)工作點Q。08自動化一班306雄霸天下模擬電路復習提綱2)等效電路法216。直流等效電路法*總的解題手段將二極管斷開，分析二極管兩端電位的高低: 若 V陽 V陰(正偏)，二極管導通(短路)。若 V陽 216。 微變等效電路法*穩(wěn)壓二極管的特性正常工作時處在PN結的反向擊穿區(qū)，所以穩(wěn)壓二極管在電路中要反向連接。第二章 三極管及其基本放大電路、類型及特點 。08自動化一班306雄霸天下模擬電路復習提綱，且摻雜濃度最低；發(fā)射區(qū)摻雜濃度很高，與基區(qū)接觸面積較小；集電區(qū)摻雜濃度較高，與基區(qū)接觸面積較大。 * 共發(fā)射極電流放大系數(表明三極管是電流控制器件 *輸入特性曲線同二極管。稱為穿透電流。* 輸出特性曲線(飽和管壓降，用UCES表示放大區(qū)發(fā)射結正偏，集電結反偏。截止區(qū)發(fā)射結反偏，集電結反偏。溫度升高，輸入特性曲線向左移動。溫度升高ICBO、ICEO、IC以及β均增加。（簡化）hie輸出端交流短路時的輸入電阻，常用rbe表示；hfe輸出端交流短路時的正向電流傳輸比，常用β表示；08自動化一班306雄霸天下模擬電路復習提綱、VCC、Rb、Rc、CC2的作用。、不失真、能傳輸。 *概念直流電流通的回路。*畫法電容視為開路。*作用確定靜態(tài)工作點*直流負載線由VCC=ICRC+UCE 確定的直線。*電路參數對靜態(tài)工作點的影響1）改變Rb ：Q點將沿直流負載線上下移動。2）改變Rc ：Q點在IBQ所在的那條輸出特性曲線上移動。3）改變VCC：直流負載線平移，Q點發(fā)生移動。 *概念交流電流流通的回路*畫法電容視為短路,理想直流電壓源視為短路。*作用分析信號被放大的過程。*交流負載線連接Q點和V CC’點 V CC’= UCEQ+ICQR L’的直線。（1）截止失真*產生原因Q點設置過低*失真現象NPN管削頂，PNP管削底。*消除方法減小Rb，提高Q。（2）飽和失真*產生原因Q點設置過高*失真現象NPN管削底，PNP管削頂。*消除方法增大Rb、減小Rc、增大VCC。（1）Uopp是指放大器最大不失真輸出電壓的峰峰值。（2）范圍08自動化一班306雄霸天下模擬電路復習提綱*當（UCEQ－UCES）＞（VCC’ － UCEQ）時，受截止失真限制，UOPP=2UOMAX=2ICQRL’。*當（UCEQ－UCES）＜（VCC’ － UCEQ）時，受飽和失真限制，UOPP=2UOMAX=2（UCEQ－UCES）。*當（UCEQ－UCES）＝（VCC’ － UCEQ），放大器將有最大的不失真輸出電壓。（1）靜態(tài)工作點的近似估算（2）Q點在放大區(qū)的條件欲使Q點不進入飽和區(qū)，應滿足RB＞βRc。* 放大倍數* 輸入電阻* 輸出電阻08自動化一班306雄霸天下模擬電路復習提綱放大電路的等效電路法 1．靜態(tài)分析2．動態(tài)分析 *電壓放大倍數在Re兩端并一電解電容Ce后輸入電阻在Re兩端并一電解電容Ce后* 輸出電阻 1．靜態(tài)分析08自動化一班306雄霸天下模擬電路復習提綱2．動態(tài)分析 * 電壓放大倍數* 輸入電阻* 輸出電阻* 電壓放大倍數為正，且略小于1，稱為射極跟隨器，簡稱射隨器。* 輸入電阻高，輸出電阻低。第三章場效應管及其基本放大電路（JFET）（可變電阻區(qū)、放大區(qū)、截止區(qū)、擊穿區(qū)）08自動化一班306雄霸天下模擬電路復習提綱轉移特性曲線UP截止電壓（MOSFET）分為增強型（EMOS）和耗盡型（DMOS）兩種。結構示意圖和電路符號*NEMOS的輸出特性曲線* NEMOS的轉移特性曲線式中，IDO是UGS=2UT時所對應的iD值。* NDMOS的輸出特性曲線08自動化一班306雄霸天下模擬電路復習提綱注意：uGS可正、可零、可負。轉移特性曲線上iD=0處的值是夾斷電壓UP，此曲線表示式與結型場效應管一致。 (表明場效應管是電壓控制器件)EMOS 的跨導gm * 靜態(tài)分析動態(tài)分析08自動化一班306雄霸天下模擬電路復習提綱若帶有Cs，則 * 靜態(tài)分析* 動態(tài)分析若源極帶有Cs，則 * 靜態(tài)分析或08自動化一班306雄霸天下模擬電路復習提綱* 動態(tài)分析第四章 多級放大電路；能有效地傳輸交流信號；體積小，成本低。但不便于集成，低頻特性差。，可以實現阻抗變換。體積大，成本高，無法采用集成工藝；不利于傳輸低頻和高頻信號。，便于集成。各級靜態(tài)工作點不獨立，互相有影響。存在“零點漂移”現象。*零點漂移當溫度變化或電源電壓改變時，靜態(tài)工作點也隨之變化，致使uo偏離初始值“零點”而作隨機變動。 1．中頻段(fL≤f≤fH)波特圖幅頻曲線是20lgAusm=常數，相頻曲線是φ=180o。08自動化一班306雄霸天下模擬電路復習提綱2．低頻段(f ≤fL)‘3．高頻段(f ≥fH)4．完整的基本共射放大電路的頻率特性08自動化一班306雄霸天下模擬電路復習提綱．下限頻率的估算2．上限頻率的估算響應08自動化一班306雄霸天下模擬電路復習提綱第五章 功率放大電路 導通角為360，ICQ大，管耗大，效率低。ICQ≈0，導通角為180，效率高，失真大。導通角為180~360，效率較高，失真較大。 216。 任意狀態(tài)：Uom≈Uim 216。 盡限狀態(tài)：Uom=VCCUCES 216。 理想狀態(tài)：Uom≈VCC oo Pc1m=08自動化一班306雄霸天下模擬電路復習提綱%在兩管交替時出現波形失真——交越失真(本質上是截止失真)。216。 甲乙類雙電源互補對稱功率放大器OCL利用二極管、三極管和電阻上的壓降產生偏置電壓。動態(tài)指標按乙類狀態(tài)估算。216。 甲乙類單電源互補對稱功率放大器OTL電容 C2 上靜態(tài)電壓為VCC/2，并且取代了OCL功放中的負電源VCC。動態(tài)指標按乙類狀態(tài)估算，只是用VCC/2代替。=β1β 2第六章 集成運算放大電路，以減小零漂。(或共源)放大電路，以提高放大倍數。，為各級提供合適的靜態(tài)電流。 當T↑→ iCiC2↑→ iEiE2 ↑→ uE↑→ uBEuBE2↓→ iBiB2↓→ iCiC2↓。Re對溫度漂移及各種共模信號有強烈的抑制作用，被稱為“共模反饋電阻”。2靜態(tài)分析 1)計算差放電路IC設UB≈0，則UE=－，得 2)計算差放電路UCE ? ? ? 雙端輸出時單端輸出時(設VT1集電極接RL)08自動化一班306雄霸天下模擬電路復習提綱對于VT1：對于VT2：1）差模電壓放大倍數? ? 雙端輸出單端輸出時從VT1單端輸出 ：從VT2單端輸出 ：2）差模輸入電阻3）差模輸出電阻? ? 雙端輸出：單端輸出:當uI在+Uim與Uim之間，運放工作在線性區(qū)域 ： * 開環(huán)電壓放大倍數 Aod→∞； * 差模輸入電阻 Rid→∞； * 輸出電阻 Ro→0； * 共模抑制比KCMR→∞； 1)運放工作在線性區(qū): * 電路特征——引入負反饋* 電路特點——“虛短”和“虛斷”:08自動化一班306雄霸天下模擬電路復習提綱“虛短”“虛斷”2)運放工作在非線性區(qū)* 電路特征——開環(huán)或引入正反饋* 電路特點——輸出電壓的兩種飽和狀態(tài):當u+u時，uo=+Uom當u+i+=i=0第七章 放大電路中的反饋＊開環(huán)放大倍數－－－Ａ ＊閉環(huán)放大倍數－－－Ａｆ ＊反饋深度－－－１＋ＡＦ ＊環(huán)路增益－－－ＡＦ：1．當ＡＦ＞０時，Ａｆ下降，這種反饋稱為負反饋。2．當ＡＦ＝０時，表明反饋效果為零。3．當ＡＦ＜０時，Ａｆ升高，這種反饋稱為正反饋。4．當ＡＦ＝－１時，Ａｆ→∞。放大器處于 “ 自激振蕩”