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正文內(nèi)容

基于集成驅(qū)動電路的igbt驅(qū)動電路設(shè)計(編輯修改稿)

2025-08-14 09:36 本頁面
 

【文章內(nèi)容簡介】 的 6腳通過快速恢復(fù)二極管接至 IGBT 的 C極,檢測 IGBT 的集射之間的通態(tài)電壓降的高低來判斷 IGBT 的過流情況加以保護 。5V 電壓基準部分由 R10,VZ2,C5組成,為 IGBT驅(qū)動提供一 5V 反偏壓。 日本 FUJI 公司的 EXB 841 芯片具有單電源、正負偏壓、過流檢測、保護、軟關(guān)斷等主要特性,是一種比較典型的驅(qū)動電路。其功能比較完善,在國內(nèi)得到了廣泛應(yīng)用。 EXB 841 的控制原理 EXB 841 工作原理如圖 所示(圖中 V1G即為 IGBT 管,下圖同; V1S為光耦I(lǐng)S01)。 本科生課程設(shè)計(論文) 6 圖 EXB 841 的工作原理圖 (1). 正常開通過程 當 EXB 841 輸入端腳 14 和腳 15 有 10mA 的電流流過時,光耦 IS01 導(dǎo)通, A點電位迅速下降至 0V, V1和 V2截止; V2截止使 D 點電位上升至 20V, V4導(dǎo)通, V5截止, EXB 841 通過 V4及柵極電阻 Rg向 IGBT 提供電流使之迅速導(dǎo)通。 (2). 正常關(guān)斷過程 控制電路使 EXB 841 輸入端腳 14 和腳 15 無電流流過,光耦 IS01 不通, A點電位上升使 V1和 V2導(dǎo)通; V2導(dǎo)通使 V4截止、 V5導(dǎo)通, IGBT 柵極電荷通過 V5迅速放電,使 EXB 841 的腳 3電位迅速下降至 0V(相對 EXB 841 腳 1低 5V),使 IGBT可靠關(guān)斷。 (3). 保護動作 IGBT 已正常導(dǎo)通,則 V1和 V2截止, V4導(dǎo)通, V5截止, B點和 C點電位穩(wěn)定在8V 左右, VZ1不被擊穿, V3截止, E 點電位保持為 20V,二極管 VD6截止。若此時發(fā)生短路, IGBT 承受大電流而退飽和, uce上升很多,二極管 VD7截止,則 EXB 841的腳 6“懸空”, B點和 C 點電位開始由 8V上升;當上升至 13V 時, Vz1被擊穿, 本科生課程設(shè)計(論文) 7 V3導(dǎo)通, C4通過 R7和 V3放電, E點電位逐步下降,二極管 VD6導(dǎo)通時 D 點電位也逐步下降,使 EXB 841 的腳 3電位也逐步下降,緩慢關(guān)斷 IGBT。 B 點和 C 點電位由 8V 上升到 13V 的時間可用下式求得: ( 31) 式 31中 t= s;τ 1為 R3和 C2的充電時間常數(shù) , τ 1=R3C2。 ( 32) C3與 R7組成的放電時間常數(shù)為 τ 2=C3R7=(μ s) ( 33) E 點由 20V 下降到 的時間由下式求得: , t= s ( 34) 此時慢關(guān)斷過程結(jié)束, IGBT 柵極上所受偏壓為 0V,這種狀態(tài)一直持續(xù)到控制信號使光耦 ISO1 截止, IGBT 柵極所受偏壓由慢關(guān)斷時的 0V 迅速下降到 5V,IGBT 完全關(guān)斷。 V1導(dǎo)通 C2迅速放電, V3截止, 20V 電源通過 R9對 C4充電, RC 充電時間常數(shù)為τ 3=C4R9=(μ s),則 E 點由 充至 19V 的時間可用下式求得: ,t=135μ s ( 35) 則 E 點恢復(fù)到正常狀態(tài)需 135μ s,至此 EXB 841 恢復(fù)到正常狀態(tài),可以進行正常的驅(qū)動。 EXB 841 存在的不足與改進 (1).EXB 841 存在的不足 ① .過流保護閥值太高。 由 EXB841 實現(xiàn)過流保護的過程可知, EXB841 判定過流的主要依據(jù)是 6腳電壓。 6腳電壓 U6不僅和 Uce有關(guān),還和二極管 V7的導(dǎo)通電壓 Ud及 Ue有關(guān), V7在 ~ V 時即可開通,故過流保護閾值 Uceo=UUdUe== ( 36) 通常 IGBT 在通過額定電流時導(dǎo)通壓降 Uce為 ,當 Uce=Uceo = V 時。IGBT 已嚴重過流,對應(yīng)電流約為額定電流的 2~ 3倍,因此,應(yīng)降低 Uceo。 ② .存在保護盲區(qū)。一般大功率 IGBT 的導(dǎo)通時間 ton 在 1us 左右。實際上,IGBT 導(dǎo)通時尾部電壓下降是較慢的,實驗表明,當工作電壓較高時, Uce下降 至 本科生課程設(shè)計(論文) 8 飽合導(dǎo)通壓降約需 4~ 5 s,而過流檢測的延遲時間約為 s。因此,在 IGBT開通過程中,若過流保護動作閾值太高,會出現(xiàn)虛假過流。為了識別真假過流, 5腳的過流故障輸出信號應(yīng)延時 5us,以便外部保護電路對真正的過流進行保護,在 EXB841 完成內(nèi)部軟關(guān)斷后再封鎖外加 PWM 信號。 ③ .軟關(guān)斷保護不可靠。過流保護后,在 10μ s 內(nèi)驅(qū)動信號緩降至零。因為存在盲區(qū)時間。同時還有較長的軟關(guān)斷時間,這就導(dǎo)致不可靠,使保護效果變差。 ④ .負偏壓不足。 EXB841 為了防止較高 dv/dt 引起 IGBT 誤動作設(shè)置了負柵壓,實際負柵壓值一般不到 5V。在大功率臭氧電源等具有較大電磁干擾的全橋逆變應(yīng)用中,電磁干擾使 負柵壓信號中存在隨工作電流增大而增大的干擾尖鋒脈沖,其值可超過 6V,甚至達到 89 V,能導(dǎo)致截止的 IGBT 誤導(dǎo)通,造成橋臂直通。 ⑤ .過電流保護無自鎖功能。在出現(xiàn)過流時, EXB841 將正常的驅(qū)動信號變成一系列降幅脈沖實現(xiàn) IGBT 的軟關(guān)斷,并在 5腳輸出故障指示信號,但不能封鎖輸入的 PWM 控制信號。因 5 腳輸出信號無鎖存功能,須在發(fā)生真正的過流時,用觸發(fā)器鎖定故障輸出信號,用外部電路實現(xiàn)對系統(tǒng)的保護和停機。 (2). 改進措施 針對以上不足,可以考慮采取一些有效的措施,從而解決以上問題。以下結(jié)合設(shè)計的具體電路 進行說明。 本科生課程設(shè)計(論文) 9 第 4章 基于 EXB 841 驅(qū)動電路設(shè)計、優(yōu)化 本文基于 EXB 841 設(shè)計 IGBT 的驅(qū)動電路如圖 所示,圖中上半部分是利用EXB 841 構(gòu)成的 IGBT 的驅(qū)動電路,下半部分是由 NE 555 定時器構(gòu)成的以實現(xiàn)對IGBT 過流時封鎖故障信號的電路。 IGBT 驅(qū)動電路及故障信號封鎖電路設(shè)計 驅(qū)動電路中 Vz5起保護作用。避免 EXB 841 的 6腳承受過電壓,通過 VD1檢測是否過電流,接 VZ3的目的是為了改變 EXB 模塊過流保護起控點,以降低過高的保護闕值從而解決過流保護閥值太高的問題。 R1和 C1及 VZ4接在 +20V 電源上保證穩(wěn)定的電壓。 VZ1和 VZ2避免柵極和射極出現(xiàn)過電壓, Rge是
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