第7章mems工藝(體硅微加工技術(shù))(編輯修改稿)
2025-03-12 20:51 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 高，故在一般微機電制程中不常使用。 system216。EPW [NH2(CH2)2NH2乙二胺， C6H4(OH2)2 (鄰苯二酚 )， H2O]216。特點：蒸 氣有毒，時效較差， P+選擇性好EDP腐蝕條件216。腐蝕溫度： 115℃ 左右216。反應(yīng)容器在甘油池內(nèi)加熱，加熱均勻；216。防止乙二胺揮發(fā)，冷凝回流；216。磁裝置攪拌，保證腐蝕液均勻；216。在反應(yīng)時通氮氣加以保護。216。掩膜層：用 SiO2，厚度 4000埃以上。 N2H4 （聯(lián)氨、無水肼）216。為有機、無色的水溶液，具有很強的毒性及揮發(fā)性，在 50oC以上就會揮發(fā)，故操作時需在良好裝置下及密閉容器中進行。216。其優(yōu)點包括相容于 IC制程，對于氧化硅 (SiO)及氮化硅 (SiN)等介電材料蝕刻率 低， Ti、 Al、 Cr、 Au及 Pt等金屬也無明顯蝕刻反應(yīng)， Ti和 Al是目前最常用的金屬材料，蝕刻時不需有其它的保護層，降低了制程的復(fù)雜性。 TMAH 216。 氫氧化四鉀銨為有機、無色之水溶液，原本為半導(dǎo)體制程中正膠的顯影液，但目前亦應(yīng)用于蝕刻制程中。216。 TMAH的毒性低為其最大優(yōu)點，對于 SiO及 SiN等介電材料蝕刻率低；對于 Ti和 Al有明顯的蝕刻，在蝕刻組件前需加入適當(dāng)?shù)墓璺勰档蛯︿X的蝕刻率，亦可加入酸來降低蝕刻液的 pH值，如酸與鋁會發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成硅鋁酸鹽，硅鋁酸鹽對蝕刻液有較好的抵抗能力，可以保護鋁材的電路。216。 TMAH的蝕刻反應(yīng)過程會因操作參數(shù)不同而有極大的差異，且長時間蝕刻蝕刻液亦不穩(wěn)定。此外，適用于硅微加工的高濃度 TMAH(15%)價格高昂，都是無法廣泛應(yīng)用的原因。 腐蝕設(shè)備硅和硅氧化物典型的腐蝕速率 影響腐蝕質(zhì)量因素216。晶格方向216。腐蝕溶液的選擇216。腐蝕溶液的濃度216。腐蝕時間216。操作溫度溫度216。攪拌方式Etching Bulk Silicon 216。車輪法來測量平面上不同晶向的腐蝕速率（有局限性）216。更準(zhǔn)確的反映腐蝕各向異性的是球形法（正相或負相）?111?面凹角停止?100?方向硅片的腐蝕特點(1) 溶液及配比影響各向異性腐蝕的主要因素(2) 溫度各向同性腐蝕216。 硅的各向同性腐蝕在半導(dǎo)體工藝中以及在微機械加工技術(shù)中有著極為廣泛的應(yīng)用。常用的腐蝕液為 HFHNO3加水或者乙酸系統(tǒng)。腐蝕機理為：216。首先是硝酸同硅發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成 SiO 2，然后有 HF將 SiO 2溶解。優(yōu)點：無尖角， 較低應(yīng)力刻蝕速度快可用光刻膠掩膜 目前主要的各向同性腐蝕液為： NHA和 HNWH：氫氟酸 (HF)N：硝酸 (HNO3)A：乙酸 (CH3COOH) W: Water三、自停止腐蝕技術(shù)216。機理：216。EPW和 KOH對硅的腐蝕在摻雜濃度小于 1?1019cm3時基本為常數(shù)，超過該濃度時，腐蝕速率與摻雜硼濃度的 4次方成反比，達到一定的濃度時，腐蝕速率很小，甚至可以認為腐蝕 “停止 ”。216。（ 1） 重摻雜自停止腐蝕 (KOH和 EDP： 5?1013/cm3)216。（ 2） (111)面停止216。（ 3） 時間控制216。（ 4） PN結(jié)自停止腐蝕216。（ 5）電化學(xué)自停止腐蝕重摻雜自停止腐蝕自停止腐蝕
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1