(1)gan外延生長流程(編輯修改稿)
2025-03-08 12:11 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 寶石襯底 (430μm) GaN緩沖層 30nm 1150℃ 退火 GaN外延生長流程 ㈣ 長 GaN單晶 將爐溫控制至 1160℃ ,在 GaN緩沖層上生長一層 GaN單晶 。 藍(lán)寶石襯底 (430μm) GaN單晶 GaN外延生長流程 ㈤ 長 N型 GaN 將爐溫控制至 1160℃ ,長 GaN 的同時摻 Si(濃度 5X108/cm3),時間 1小時，厚度 。 藍(lán)寶石襯底 (430μm) N型 GaN ?㈥ 長多量子阱 MQW 爐溫降至 750℃ ,先長一層 InGaN(2nm),接著把溫度升高到 1160 ℃ ，長一層 GaN (14nm),連續(xù)長 8個 InGaN和 GaN勢阱勢壘 pair(16nm)，整個 MQW厚度 120nm.調(diào)整摻 In的濃度可調(diào)整波長，用時約 80min. 藍(lán)寶石襯底 (430μm) MQW多量子阱 GaN外延生長流程 GaN外延生長流程 ?多量子阱結(jié)構(gòu) ?量子阱為 LED的發(fā)光區(qū) GaN勢壘 140A InGaN勢阱 20A 1200A 1個 pair GaN外延生長流程 ?㈦ 長 P型 GaN ⒈ 爐溫升至 930℃ ,長 GaN的同時摻 Mg(濃度 5X1019/cm3),長200nm厚 ,時間 20min。 ⒉長接觸層 爐溫降至 800℃ ,長GaN的同時摻 Mg(濃度1020/cm3),長 15nm厚 ,時間 2min。 ⒊激活 在 N2氣氛下，將爐溫降至 600℃ ,加熱 20min,打破 Mg－H鍵 ,激活 Mg的導(dǎo)電性。 ⒋降溫 爐溫降至 150℃ ，時間 30min。 藍(lán)寶石襯底 (430μm) GNa N－ GaN P型 GaN 藍(lán)寶石基板 緩衝層 氮化鎵 NType氮化鎵 矽摻雜 (氮化鎵 /氮化銦鎵 )x5淺井結(jié)構(gòu) (氮化鎵 /氮化銦鎵 )x8量子井結(jié)構(gòu) PType氮化鋁鎵 電流阻擋層 PType氮化鎵 鎂摻雜 PType氮化銦鎵 金屬接觸層 外延 結(jié)構(gòu)示意圖 藍(lán)寶石基板 磊晶前 磊晶後 In GaN:Mg sapphire GaN buffer NGaN In GaN well GaN barrier PGaN:Mg AlGa
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