12高密度互連積層多層板工藝(編輯修改稿)
2025-03-02 19:29 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 1） 介質(zhì)絕緣材料的選擇必須滿足基板的功能特性要求，具有高的 Tg，低的介電常數(shù)。v（ 2） 選擇與環(huán)氧樹脂特性相匹配的導(dǎo)電膠。v（ 3） 合理的制作模板網(wǎng)孔尺寸和形狀，確保堵塞的導(dǎo)電膠能形成凸出的半圓形狀。v（ 4） 合理選擇導(dǎo)電膠中金屬顆粒以及最佳化樹脂體系，以確保形成一種具有低粘度的導(dǎo)電膠對高密度導(dǎo)通孔進行堵塞與實際為 “零 ”收縮材料。v（ 5） 提高表面的平整度，選擇好的研磨工藝LOGOv2. 實現(xiàn)此種工藝必須解決的技術(shù)問題 （ 1）層間的連接材料 選擇導(dǎo)電膠，它是不含溶劑而由銅粉、環(huán)氧樹脂和固化劑混合而成。 （ 2）內(nèi)通孔的加工工藝 采用脈沖振動型二氧化碳CO2激光加工而成 （ 3）半固化片 是無紡布在耐高溫環(huán)氧樹脂中浸漬而成的基板材料。LOGOv3. 與常規(guī)多層板加工程序比較v(1)制造工序減少一半（生產(chǎn)六層板工序而言），既適用于多品種小批量也適用于量產(chǎn)化的大生產(chǎn)。v(2)組合簡單，因為它的組合全部都由銅箔形成，可制作更高密度電路圖形，而且表面平整性好，有助于裝聯(lián)性能的提高。LOGO技術(shù)規(guī)格 基本尺寸基板厚度 (mm)內(nèi)通孔直徑 (μm)焊盤直徑 (μm)導(dǎo)體最小間寬 (μm)導(dǎo)體最小間隙 (μm)四層 ；六層 1503606090表 1211 ALIVH技術(shù)規(guī)格LOGOv ALIVH基本規(guī)格和特性v根據(jù)所采用器件的特性和封裝技術(shù)，使用的基材具有低熱膨脹系數(shù)、低介電常數(shù)、耐高溫、高剛性和輕量等特征， ALIVH的介電常數(shù)、密度和熱膨脹系數(shù)小，玻璃化溫度高。LOGOv基于標(biāo)準(zhǔn)型 ALIVH結(jié)構(gòu)的設(shè)計特征 :v從 ALIVH結(jié)構(gòu)分析全層設(shè)有 IVH（內(nèi)層導(dǎo)通孔）構(gòu)造，導(dǎo)通孔設(shè)置層無限制；v從 ALIVH結(jié)構(gòu)分析全層均一規(guī)格，無其它不同的導(dǎo)通孔種類，與鄰近層導(dǎo)通孔的位置無限制；v導(dǎo)通孔上的焊盤可與元器件安裝焊盤共用。LOGO 甚高密度 ALIVHB制造工藝v隨著電子設(shè)備的小型化、輕量化、高性能化，對各種各式封裝板的要求也就越加嚴(yán)格。平整度要更高，表面絕緣層厚度更薄。就連基板本身的熱膨脹系數(shù)也要接近裸芯片的技術(shù)要求，使封裝元器件的可靠性有了保證。這就是 21世紀(jì)開發(fā)與研制的新工藝 —ALIVH － FB。LOGO圖1212 ALIVH－FB制造工藝流程示意圖LOGOLOGOLOGO B2it（ Buried Bump Interconnection Technology）積層多層板工藝vB2it技術(shù)是把印制電路技術(shù)與厚膜技術(shù)結(jié)合起來的一種甚高密度化互連技術(shù)，它比 ALIVH技術(shù)更進一步，不僅不需要印制電路過程的孔化、電鍍銅等，而且也不需要數(shù)控鉆孔、激光蝕孔或其它成孔方法（如光致成孔、等離子體成孔、噴沙成孔等），因此高密度互連積層電路采用 B2it技術(shù)是印制電路技術(shù)的一個重大變革，使印制電路的生產(chǎn)過程簡化，獲得很高密度，明顯降低成本，可用于生產(chǎn)MCM的基板和芯片級（ CSP）組裝上。LOGOv 該工藝就是采用一種嵌入式凸塊而形成的很高密度的互連技術(shù)，而與傳統(tǒng)的互連技術(shù)是采用金屬化孔來實現(xiàn)的不同，其主要區(qū)別它是通過導(dǎo)電膠形成導(dǎo)電凸塊穿透半固化片連接兩面銅箔的表面來實現(xiàn)的一種新穎的工藝方法。其工藝流程如圖 1213所示。LOGOv1. 主要工藝說明v 這種類型積層板的結(jié)構(gòu)類型制造難度較高，需認(rèn)真地進行結(jié)構(gòu)分析，從結(jié)構(gòu)的特性，找出帶有規(guī)律性的經(jīng)驗，以便更好的掌握制作技巧。v （ 1）根據(jù)結(jié)構(gòu)的特點，必須對所使用的原材料進行篩選，特別是提高電氣互連用的導(dǎo)電膠和帶有所要求的玻璃布制造網(wǎng)格尺寸的半固化片。v （ 2）根據(jù)結(jié)構(gòu)特點，要選擇的導(dǎo)電膠的樹脂材料的玻璃化溫度必須高于半固化片玻璃化溫度的 30～ 50℃ ，目的便于穿透已軟化的樹脂層。v （ 3）在確保導(dǎo)電凸塊與銅箔表面牢固結(jié)合的同時，要求導(dǎo)電凸塊的高度要均勻一致，嚴(yán)格地控制高度公差在規(guī)定的工藝范圍內(nèi)。LOGOv （ 4）嚴(yán)格選擇導(dǎo)電膠的種類，確保導(dǎo)電膠粘度的均勻性和最佳的觸變性，使網(wǎng)印的導(dǎo)電膠不流動、不偏移和不傾斜。v （ 5）通過精密的模板，導(dǎo)電膠網(wǎng)印在經(jīng)過處理的銅箔表面，經(jīng)烘干后形成導(dǎo)電凸塊，并嚴(yán)格控制導(dǎo)電凸塊的直徑在 ～ ，呈自然圓錐形，以順利地穿透軟化半固片層，與另一面已處理過的銅箔表面準(zhǔn)確的、緊密的結(jié)合。導(dǎo)電凸塊高度控制的工藝方法就是根據(jù)半固化片的厚度經(jīng)熱壓后的變化狀態(tài)，通過工藝試驗來確定適當(dāng)?shù)膶?dǎo)電凸塊的高度，然后進行模板材料厚度的選擇，以達到高度的均一性，確保經(jīng)熱壓后能全部均勻的與銅箔表面牢固接觸，形成可靠的 3層互連結(jié)構(gòu)。LOGOv （ 6）此種類型結(jié)構(gòu)的印制板，層間互連是通過加壓、加熱迫使導(dǎo)電凸塊穿過半固化片樹脂層。關(guān)
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1