【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 高；② 表面電阻率及體電阻率高： ?s1012Ω/□， ?v；③ 耐離子轟擊； ④ 擊穿強(qiáng)度高： E(810) 106v/m； ⑤ 與介質(zhì)層的膨脹系數(shù)相近；⑥ 放電延遲?。虎?易于制備。 46新型顯示技術(shù)新型顯示技術(shù)? 材料 :可供選擇的保護(hù)膜材料有：（ 1）堿金屬氧化物（ CsO）： 優(yōu)點(diǎn)是使 PDP工作電壓低，缺點(diǎn)是 CsO在空氣中極不穩(wěn)定，難以制備保護(hù)膜。（ 2）堿土金屬（ Ⅱ A族）氧化物： BaO， MgO，CaO， SrO工作電壓低，且提高了 PDP的工作穩(wěn)定性，但它們?cè)诳諝庵械姆€(wěn)定性也較差。（ 3） Ⅲ B及 Ⅳ 族氧化物： Al2O3， SiO2， TiO2，ZrO2， HfO2等，工作穩(wěn)定性好，但工作電壓高。 47新型顯示技術(shù)新型顯示技術(shù)（ 4） La系金屬氧化物： La2O CeO2等，工作電壓低，工作穩(wěn)定，但放電延時(shí)大。 以上材料中， MgO薄膜不僅具有很強(qiáng)的抗濺射能力，而且有很高的二次電子發(fā)射系數(shù)，有利于提高 PDP的壽命和降低 PDP的工作電壓； MgO薄膜最適合作為 PDP的介質(zhì)保護(hù)薄膜。 48新型顯示技術(shù)新型顯示技術(shù)MgO晶體的性質(zhì)MgO是一種面心立方晶體，其晶格常數(shù)為 ，主要以 (111)、 (200)、 (220)三種晶面取向存在。 MgO的禁帶寬度為 ， 逸出功為 。(1)物理特性：熔點(diǎn)為 2827℃ ， 折射率為 ，對(duì)紫外區(qū)強(qiáng)烈的吸收，對(duì)可見(jiàn)光區(qū)透明，介電常數(shù)為 9~10，表面電阻率 ρs1012Ω/口，體電阻率高 ρv=1011~49新型顯示技術(shù)新型顯示技術(shù)(2)化學(xué)性質(zhì)在室溫下空氣中發(fā)生以下反應(yīng)：在高溫下將發(fā)生以下反應(yīng)：50新型顯示技術(shù)新型顯示技術(shù)（六）障壁? 作用 :① 保證兩塊基板間的放電間隙，確保一定的放電空間；② 防止相鄰單元間的光電串?dāng)_。? 技術(shù)要求 : 對(duì)障壁的要求是高度一致(偏差在 ?5?m以內(nèi) )，形狀均勻。障壁寬度應(yīng)盡可能窄，以增大單元的開(kāi)口率，提高器件亮度。51新型顯示技術(shù)新型顯示技術(shù)? 障壁材料 :低熔點(diǎn)玻璃漿料（七）熒光粉層將 VUV轉(zhuǎn)變?yōu)榭梢?jiàn)光，實(shí)現(xiàn)彩色顯示。 要求 : 發(fā)光效率高，色彩飽和度高，厚度均勻 .（八）放電氣體用于產(chǎn)生真空紫外輻射（ VUV）。 彩色 ACPDP制作工藝前基板制作工 序后基板制作工 序基板玻璃檢查、清洗透明電極（ ITO）制作匯流電極制作透明介質(zhì)層制作封接邊制作介質(zhì)保護(hù)膜制作基板玻璃檢查、打孔基板玻璃檢查、清洗尋址電極制作介質(zhì)層制作障壁制作熒光粉層制作總裝工序前后基板對(duì)位、封接排氣、充氣老 練驅(qū)動(dòng)線路裝配53新型顯示技術(shù)新型顯示技術(shù)絲網(wǎng)印刷原理示意圖1.絲網(wǎng)印版（ a.網(wǎng)框 ,b.絲網(wǎng)上非圖文部分 (簡(jiǎn)稱版膜 ),c.絲網(wǎng)上圖文部分） , 2. 刮板 , 3.漿料 ,4.基板絲網(wǎng)印刷的工藝流程： 絲印制版 ?絲網(wǎng)印刷 ?漿料烘干 ?漿料燒結(jié) 用絲網(wǎng)印刷法制作 PDP的各個(gè)部件，其質(zhì)量取決于多種因素：（ 1）漿料方面 漿料的性質(zhì)、成分、顆粒度及均勻性、載體材料、粘度及觸變性等。abc 123454新型顯示技術(shù)新型顯示技術(shù)（ 2）基板方面 基板材料、尺寸精度、平整度和光潔度等。（ 3）刮板方面 刮板材料的種類、硬度、形狀等。（ 4）絲網(wǎng)方面 絲網(wǎng)材料的種類、性質(zhì)、絲網(wǎng)目數(shù)、絲網(wǎng)線徑、絲網(wǎng)張力、版膜的種類、框架平整度、框架與網(wǎng)線夾角等。（ 5）印刷方式方面 印刷接觸角、印刷壓力、印刷速度、印刷間隙等；在印刷環(huán)境條件方面，有溫度、濕度和清潔度等。（ 6）其他方面 干燥時(shí)間和溫度以及燒結(jié)工藝等。55新型顯示技術(shù)新型顯示技術(shù)印刷工藝的優(yōu)點(diǎn)： 具有設(shè)備低價(jià)，工藝簡(jiǎn)易，生產(chǎn)率高、成本低等優(yōu)點(diǎn)。主要用來(lái)制造匯流電極、尋址電極、介質(zhì)層、熒光粉層、障壁、封接層等部件。缺點(diǎn)： 與光刻技術(shù)相比，印刷工藝的缺點(diǎn)是精度較差，分辨率不易做高。 56新型顯示技術(shù)新型顯示技術(shù) 光刻工藝：掩模板的制造、圖形從掩模板至待刻蝕材料的轉(zhuǎn)移?；迩疤幚砜刮g劑涂 覆待刻蝕材料涂覆掩模對(duì)準(zhǔn)曝光顯影、堅(jiān)膜刻 蝕去 膠掩模制作掩模圖形設(shè)計(jì)掩模原圖主 掩 模工作掩模57新型顯示技術(shù)新型顯示技術(shù)影響圖形加工精度主要因素：掩模板的質(zhì)量和精度、抗蝕劑的性能、圖形的形成方法及裝置精度、位置的對(duì)準(zhǔn)方法及精度、刻蝕方法等。光刻工藝的特點(diǎn)：能夠?qū)崿F(xiàn)大面積、高精度的圖形，且工藝成熟。如用來(lái)制作 PDP絲網(wǎng)印刷漏印版，以及 PDP的 ITO電極、 CrCuCr電極等部件。58新型顯示技術(shù)新型顯示技術(shù)浮法工藝過(guò)程：玻璃板制造工藝59新型顯示技術(shù)新型顯示技術(shù)前基板的關(guān)鍵制造工藝(一 )透明電極的制作ITO連續(xù)薄膜的形成：磁控濺射鍍 ITO膜的特點(diǎn) :高速（沉積速度高）、低溫（靶和基板的溫度都較低）、低損傷（基板表面受高能電子轟擊損傷小）。60新型顯示技術(shù)新型顯示技術(shù)光刻出 ITO電極圖形：61新型顯示技術(shù)新型顯示技術(shù)(二 )匯流電極的制作 富士通公司采用 CrCuCr薄膜材料制作匯流電極。底層 Cr用來(lái)增加電極和玻璃基板的附著力，頂層 Cr用來(lái)防止 Cu的氧化， Cu是電極導(dǎo)電的主體。 Cr和Cu薄膜用濺射法制作。 特點(diǎn)：圖形精細(xì)準(zhǔn)確，邊緣整齊導(dǎo)電性能優(yōu)良，但其制作工藝復(fù)雜，成本較高。 62新型顯示技術(shù)新型顯示技術(shù)采用厚膜技術(shù)制作匯流電極的方法：（ 1）絲網(wǎng)印刷法 把金屬漿料印刷在透明 ITO膜的邊緣上，再經(jīng)高溫?zé)Y(jié)而成。這是厚膜技術(shù)中普遍采用的制作方法，最常用的金屬漿料是 Ag漿料。（ 2）厚膜光刻技術(shù) 使用的材料是光敏 Ag漿料（主要由顆粒極細(xì)的 Ag粉和感光樹(shù)脂構(gòu)成），用絲網(wǎng)印刷的方法形成幾微米厚的連續(xù)膜層，