北京大學集成電路工藝流程簡介(編輯修改稿)
2025-02-10 22:25 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 00℃ 左右化學汽相淀積 (CVD)240。多晶硅的化學汽相淀積： 利用多晶硅替代金屬鋁作為 MOS器件的柵極是 MOS集成電路技術(shù)的重大突破之一，它比利用金屬鋁作為柵極的 MOS器件性能得到很大提高，而且采用多晶硅柵技術(shù)可以實現(xiàn)源漏區(qū)自對準離子注入，使 MOS集成電路的集成度得到很大提高。240。氮化硅的化學汽相淀積： 中等溫度 (780～820℃ )的 LPCVD或低溫 (300℃ ) PECVD方法淀積物理氣相淀積 (PVD)240。蒸發(fā)： 在真空系統(tǒng)中，金屬原子獲得足夠的能量后便可以脫離金屬表面的束縛成為蒸汽原子，淀積在晶片上。按照能量來源的不同，有燈絲加熱蒸發(fā)和電子束蒸發(fā)兩種240。濺射： 真空系統(tǒng)中充入惰性氣體，在高壓電場作用下，氣體放電形成的離子被強電場加速，轟擊靶材料，使靶原子逸出并被濺射到晶片上蒸發(fā)原理圖集成電路工藝240。圖形轉(zhuǎn)換：?光刻：接觸光刻、接近光刻、投影光刻、電子束光刻?刻蝕：干法刻蝕、濕法刻蝕240。摻雜：?離子注入 退火?擴散240。制膜：?氧化：干氧氧化、濕氧氧化等?CVD： APCVD、 LPCVD、 PECVD?PVD：蒸發(fā)、濺射作 業(yè)240。集成電路工藝主要分為哪幾大類，每一類中包括哪些主要工藝，并簡述各工藝的主要作用240。簡述光刻的工藝過程集成電路制造工藝集成電路制造工藝北京大學北京大學CMOS集成電路制造工藝240。形成 N阱?初始氧化?淀積氮化硅層?光刻 1版，定義出 N阱?反應離子刻蝕氮化硅層?N阱離子注入，注磷240。形成 P阱?去掉光刻膠?在 N阱區(qū)生長厚氧化層，其它區(qū)域被氮化硅層保護而不會被氧化?去掉氮化硅層? P阱離子注入，注硼240。推阱?退火驅(qū)入?去掉 N阱區(qū)的氧化層240。形成場隔離區(qū)?生長一層薄氧化層?淀積一層氮化硅?光刻場隔離區(qū)，非隔離區(qū)被光刻膠保護起來?反應離子刻蝕氮化硅?場區(qū)離子注入?熱生長厚的場氧化層?去掉氮化硅層240。形成多晶硅柵? 生長柵氧化層? 淀積多晶硅? 光刻多晶硅柵? 刻蝕多晶硅柵240。形成硅化物?淀積氧化層?反應離子刻蝕氧化層，形成側(cè)壁氧化層?淀積難熔金屬 Ti或 Co等?低溫退火，形成 C47相的 TiSi2或 CoSi?去掉氧化層上的沒有發(fā)生化學反應的 Ti或 Co?高溫退火，形成低阻穩(wěn)定的 TiSi2或 CoSi2240。形成 N管源漏區(qū)?光刻，利用光刻膠將 PMOS區(qū)保護起來?離子注入磷或砷，形成 N管源漏區(qū)240。形成 P管源漏區(qū)?光刻，利用光刻膠將 NMOS區(qū)保護起來?離子注入硼，形成 P管源漏區(qū)240。形成接觸孔? 化學氣相淀積磷硅玻璃層?退火和致密?光刻接觸孔版?反應離子刻蝕磷硅玻璃，形成接觸孔240。形成第一層金屬?淀積金屬鎢 (W) ，形成鎢塞240。形成第一層金屬?淀積金屬層，如 AlSi、 AlSiCu合金等?光刻第一層金屬版，定義出連線圖形?反應離子刻蝕金屬層，形成互連圖形240。形成穿通接觸孔?化學氣相淀積 PETEOS?通過化學機械拋光進行平坦化?光刻穿通接觸孔版?反應離子刻蝕絕緣層，形成穿通接觸孔240。形成第二層金屬?淀積金屬層，如 AlSi、 AlSiCu合金等?光刻第二層金屬版，定義出連線圖形?反應離子刻蝕，形成第二層金屬互連圖形240。合金240。 形成鈍化層? 在低溫條件下 (小于 300℃ )淀積氮化硅? 光刻鈍化版? 刻蝕氮化硅，形成鈍化圖形240。測試、封裝，完成集成電路的制造工藝240。CMOS集成電路一般采用 (100)晶向的硅材料AA雙極集成電路制造工藝240。制作埋層?初始氧化，熱生長厚度約為 500～ 1000nm的氧化
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