北京大學(xué)集成電路工藝流程簡(jiǎn)介(文件)
【正文】 濺射到晶片上蒸發(fā)原理圖集成電路工藝240。集成電路工藝主要分為哪幾大類，每一類中包括哪些主要工藝，并簡(jiǎn)述各工藝的主要作用240。推阱?退火驅(qū)入?去掉 N阱區(qū)的氧化層240。形成 N管源漏區(qū)?光刻，利用光刻膠將 PMOS區(qū)保護(hù)起來(lái)?離子注入磷或砷，形成 N管源漏區(qū)240。形成第一層金屬?淀積金屬層，如 AlSi、 AlSiCu合金等?光刻第一層金屬版，定義出連線圖形?反應(yīng)離子刻蝕金屬層，形成互連圖形240。 形成鈍化層? 在低溫條件下 (小于 300℃ )淀積氮化硅? 光刻鈍化版? 刻蝕氮化硅，形成鈍化圖形240。生長(zhǎng) n型外延層?利用 HF腐蝕掉硅片表面的氧化層?將硅片放入外延爐中進(jìn)行外延，外延層的厚度和摻雜濃度一般由器件的用途決定240。形成基區(qū)?光刻 3版 (基區(qū)版 )，利用光刻膠將收集區(qū)遮擋住，暴露出基區(qū)?基區(qū)離子注入硼240。合金： 使 Al與接觸孔中的硅形成良好的歐姆接觸，一般是在 450℃ 、 N2H2氣氛下處理 20～ 30分鐘240。絕緣介質(zhì)隔離240。目前，互連線已經(jīng)占到芯片總面積的70～ 80% ；且連線的寬度越來(lái)越窄，電流密度迅速增加240。前工序?圖形轉(zhuǎn)換技術(shù)：主要包括光刻、刻蝕等技術(shù)?薄膜制備技術(shù)：主要包括外延、氧化、化學(xué)氣相淀積、物理氣相淀積 (如濺射、蒸發(fā) ) 等?摻雜技術(shù)：主要包括擴(kuò)散和離子注入等技術(shù) 集成電路工藝小結(jié)240。寫一篇對(duì)本課程感想的小論文240。 05:09:2805:09:2805:092/1/2023 5:09:28 AM240。 05:09:2805:09:2805:09Monday, February 01, 2023240。 01 二月 20235:09:28 上午 05:09:28二月 21240。 1行動(dòng)出成果，工作出財(cái)富。 沒(méi)有失敗，只有暫時(shí)停止成功！。 1成功就是日復(fù)一日那一點(diǎn)點(diǎn)小小努力的積累。 1不知香積寺，數(shù)里入云峰。 1楚塞三湘接，荊門九派通。 2023/2/1 5:09:2805:09:2801 February 2023240。 二月 21二月 21Monday, February 01, 2023240。 二月 2105:09:2805:09Feb2101Feb21240。勝人者有力，自勝者強(qiáng)。 1最具挑戰(zhàn)性的挑戰(zhàn)莫過(guò)于提升自我。 1一個(gè)人即使已登上頂峰，也仍要自強(qiáng)不息。 1業(yè)余生活要有意義，不要越軌。 1意志堅(jiān)強(qiáng)的人能把世界放在手中像泥塊一樣任意揉捏。 05:09:2805:09:2805:09Monday, February 01, 2023240。 05:09:2805:09:2805:092/1/2023 5:09:28 AM240。 5:09:28 上午 5:09 上午 05:09:28二月 21240。 二月 215:09 上午 二月 2105:09February 01, 2023240。 1意志堅(jiān)強(qiáng)的人能把世界放在手中像泥塊一樣任意揉捏。 1世間成事，不求其絕對(duì)圓滿，留一份不足，可得無(wú)限完美。 很多事情努力了未必有結(jié)果，但是不努力卻什么改變也沒(méi)有。 1做前，能夠環(huán)視四周；做時(shí)，你只能或者最好沿著以腳為起點(diǎn)的射線向前。 。 二月 21二月 2105:09:2805:09:28February 01, 2023240。 二月 2105:09:2805:09Feb2101Feb21240。 二月 21二月 21Monday, February 01, 2023240。輔助工序?超凈廠房技術(shù)?超純水、高純氣體制備技術(shù)?光刻掩膜版制備技術(shù)?材料準(zhǔn)備技術(shù)作 業(yè)240。柵結(jié)構(gòu)材料?Al二氧化硅結(jié)構(gòu)?多晶硅 二氧化硅結(jié)構(gòu)?難熔金屬硅化物 /多晶硅 二氧化硅結(jié)構(gòu)240。Al是目前集成電路工藝中最常用的金屬互連材料 , 但 Al連線也存在一些比較嚴(yán)重的問(wèn)題
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