薄膜工藝技術(shù)(編輯修改稿)
2025-02-05 15:54 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 因？基本上會用鎢來作為半導(dǎo)體元件的金屬內(nèi)連線。原因？ 四： CVD方法及設(shè)備 一般而言，任何 CVD系統(tǒng)均包括一個(gè)反應(yīng)腔室，一組氣體傳輸系統(tǒng)，排氣系統(tǒng)及工藝控制系統(tǒng)等。 A. APCVD（工作特點(diǎn)，缺點(diǎn)？） B. LPCVD（比較普遍的原因） C. PECVD（占 CVD主流的原因：低壓和低溫） D. 下面主要介紹 LPCVD和 PECVD E. 1： LPCVD ? 結(jié)構(gòu) (畫圖） ? 工作原理及壓力 2： PECVD ? 工作原理：能夠低溫反應(yīng)的原因 ? 結(jié)構(gòu) 3： LPCVD和 PECVD沉積膜差別 一般的， PECVD主要用來沉積介電材料膜。而 LPCVD則都可進(jìn)行沉積（本公司也不例外）。 對于介電材料膜區(qū)別： ① SIO2：主要是臺階覆蓋性區(qū)別（ IMD）。 ② SN： ? LPCVD用 SIH2CL2為主的反應(yīng)物（因?yàn)橐?SIH4為主的反應(yīng)物沉積的 SN均勻性較差）；此法沉積的 SN膜成分單純，一般用在 SIO2 層之刻蝕或 FOX的掩模上。而 PECVD 是以SIH4為主的反應(yīng)物，成分不如 LP的單純。 原因？ ? 應(yīng)力： LPCVD法沉積的 SN應(yīng)力非常大，故 LPCVD沉積的SN不宜超過一定的范圍，以免發(fā)生龜裂。由于 PECVD可以憑借 RF功率的調(diào)整，來控制離子對沉積膜的轟擊，使SN應(yīng)力下降。所以用作保護(hù)層的 SN可以沉積的比較厚（ PECVD沉積的），以便抵擋外來的水氣、堿金屬離子及機(jī)械性的創(chuàng)傷。這可以說是以 PECVD法進(jìn)行薄膜沉積時(shí)除了反應(yīng)溫度的另外一個(gè)主要優(yōu)點(diǎn)。 五：薄膜技術(shù)的發(fā)展和應(yīng)用 隨著集成電路的規(guī)模越來越大，尺寸越來越小，電路功能越來越強(qiáng)大，今后的 CVD發(fā)展將集中在如何沉積新的材料，如何使用新的沉積技術(shù)以及如何改善沉積膜的階梯覆蓋能力。 當(dāng)然，薄膜技術(shù)并不僅僅局限于半導(dǎo)體
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