數(shù)控系統(tǒng)結(jié)構(gòu)、故障分析與維修維護(hù)(編輯修改稿)
2025-01-21 19:56 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 ● 方式 3 按存儲(chǔ)數(shù)據(jù)上電啟動(dòng) 以高速閃存 FLASH ROM 內(nèi)的備份數(shù)據(jù)啟動(dòng)。啟動(dòng)時(shí)，備份數(shù)據(jù)寫(xiě)入靜態(tài)存儲(chǔ)器的工作數(shù)據(jù)區(qū)后啟動(dòng)，啟動(dòng)完后顯示 04062已經(jīng)裝載備份數(shù)據(jù)報(bào)警，復(fù)位后可清除報(bào)警。 2023/1/21 西門(mén)子 802系列二種啟動(dòng)方法 ● 冷啟動(dòng) 即直接給系統(tǒng)加 DC24V電源的系統(tǒng)啟動(dòng)。冷啟動(dòng)的三種啟動(dòng)方式是通過(guò)系統(tǒng)啟動(dòng)菜單選擇的。 ● 熱啟動(dòng) 即系統(tǒng)在已啟動(dòng)運(yùn)行通過(guò)面板選擇的系統(tǒng)重新啟動(dòng)。熱啟動(dòng)的三種啟動(dòng)方式是通過(guò)系統(tǒng)軟鍵選擇的。 2023/1/21 注意！ 系統(tǒng)工作時(shí)是按靜態(tài)存儲(chǔ)器 SRAM區(qū)的數(shù)據(jù)進(jìn)行工作的，我們通常修改的機(jī)床數(shù)據(jù)和零件加工程序等都在SRAM區(qū)， SRAM區(qū)的數(shù)據(jù)若不進(jìn)行備份（數(shù)據(jù)保護(hù)）是不安全的， SRAM區(qū)中的數(shù)據(jù)有可能會(huì)丟失。 2023/1/21 機(jī)床數(shù)據(jù)如何保護(hù)？ 數(shù)據(jù)保護(hù)分為 機(jī)內(nèi)存儲(chǔ) 和 機(jī)外存儲(chǔ) 兩種 ◎ 機(jī)內(nèi)存儲(chǔ) 機(jī)內(nèi)存儲(chǔ)即將靜態(tài)存儲(chǔ)器 SRAM區(qū)已修改過(guò)的有用數(shù)據(jù)存放到高速閃存 FLASH ROM備份數(shù)據(jù)區(qū)保存 ◎ 機(jī)外存儲(chǔ) 機(jī)外存儲(chǔ)即將靜態(tài)存儲(chǔ)器 SRAM區(qū)數(shù)據(jù)通過(guò)RS232串行口傳輸至電腦保存 結(jié)束 2023/1/21 機(jī)內(nèi)存儲(chǔ) ?通常系統(tǒng)斷電后， SRAM區(qū)的數(shù)據(jù)由高能電容 C上的電壓進(jìn)行保持，可在斷電情況下保持?jǐn)?shù)據(jù)不少于 50小時(shí)（一般情況下可在７天左右）。對(duì)于長(zhǎng)期不通電的機(jī)床， SRAM區(qū)的數(shù)據(jù)將丟失。當(dāng)重新上電時(shí)，系統(tǒng)會(huì)根據(jù)電容上電壓的情況，在啟動(dòng)過(guò)程中自動(dòng)調(diào)用備份數(shù)據(jù)區(qū)上一次存儲(chǔ)的機(jī)床數(shù)據(jù)（方式 3啟動(dòng)），若沒(méi)有做過(guò)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)則在啟動(dòng)過(guò)程中自動(dòng)調(diào)用出廠數(shù)據(jù)區(qū)上數(shù)據(jù)（方式 1啟動(dòng)）。 ?機(jī)內(nèi)存儲(chǔ)即數(shù)據(jù)存儲(chǔ)功能是一種不需任何工具的方便快速的數(shù)據(jù)保護(hù)方法。 2023/1/21 機(jī)外存儲(chǔ) 機(jī)外存儲(chǔ)分 系列備份 和 分區(qū)備份 兩種 ◎ 系列備份 系列備份是將系統(tǒng)的所有數(shù)據(jù)都按照一定序列
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1