led芯片及其制備應用(編輯修改稿)
2025-01-19 01:06 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 可采用兩種接觸方式，分別是 L接觸(Laterialcontact，水平接觸 )和 V接觸 (Verticalcontact，垂直接觸 )。 17 2023年 1月 16日 V型電極 芯片結構通常為單電極結構；L型電極 的芯片結構通常為雙電極結構。 18 2023年 1月 16日 碳化硅襯底 (CREE公司專門采用 SiC材料作為襯底 )的 LED芯片， 電極是 V型電極，電流是縱向流動的 。 采用這種襯底制作的器件的 導電和導熱性能都非常好 ，有利于做成面積較大的大功率器件。碳化硅的熱導率為 490 W/(mK)，要比藍寶石襯底高出 10倍以上。 ③ 碳化硅襯底 19 2023年 1月 16日 襯底與外延膜的結構匹配 襯底與外延膜的熱膨脹系數(shù)匹配 襯底與外延膜的化學穩(wěn)定性匹配 材料制備的難易程度及成本的高低 20 2023年 1月 16日 半導體單晶生長及襯底片加工 清洗 (Cleaning) 拋光 (Polishing) 檢查 (Inspection) 晶棒成長 切片 (Slicing) 研磨 (Lapping) 21 2023年 1月 16日 原料 — 長晶 — 定向 — 掏棒 — 滾磨 — 晶棒 — 定向 — 切片 —研磨 — 倒角 — 拋光 — 清洗 — 基片 22 2023年 1月 16日 23 2023年 1月 16日 24 2023年 1月 16日 25 2023年 1月 16日 通過對高純原料熔融、化合物單晶生長、切割、磨片、拋光、真空包裝等工藝，制成外延生長用襯底片。包括單晶生長爐、拋光機 、變頻行星式球磨機 、晶體切割機等 高純原料 化合物單晶 外延用襯底片 26 2023年 1月 16日 基本工藝流程 27 2023年 1月 16日 四、 LED芯片的制備及應用 藍寶石 緩沖層 NGaN pGaN MQW 在半導體基片上形成一個與基片結晶軸同晶向的半導體薄層，稱為半導體外延生長技術，所形成的薄層稱為外延層 28 2023年 1月 16日 P、 N極的分離表現(xiàn)為元素摻雜度的不同 29 2023年 1月 16日 ? 依制程的不同，可分為 LPE(液相磊晶 )、 MOCVD(有機金屬氣相磊晶 )及 MBE(分子束磊晶 )。 ? LPE的技術較低
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