led芯片制造(劉軍林)(編輯修改稿)
2025-04-18 00:24 本頁面
【文章內容簡介】 ion) 以 SiO2生長為例說明反應過程 生長使用 SiH4 和 NO2 (笑氣 ) e* + SiH4 → SiH 2 + 2H + e e* + N2O → N 2 + O + e SiH2 + 3O → SiO 2 + H2O RIE (Reactive Ion Etching) ICP (Induced Coupled Plasma) 以 CF4刻蝕 SiO2為例說明 刻蝕包括化學過程和物理過程，化學過程是指反應氣體與被刻蝕物質的化學反應，物理過程是指離子在電場作用下對被刻蝕物質的物理轟擊 e* + CF4 → CF 3 + F + e 4F + SiO2(s) → SiF 4(g) + 2O 等離子去膠機 – BONDING 壓力 /溫度 壓頭 石墨 外延片與基板 硅襯底 400μ GaN外延層 粘貼面 金層 雙面鍍金基板 200μ 動畫 –去 Si襯底 N型層 化學腐蝕 硅腐蝕液 硅襯底 硅襯底 芯片制造工藝流程 外延片 P型接觸層蒸發(fā)合金 粘結層蒸發(fā) 粘結層光刻 襯底轉移 （ 1） BONDING BONDING 前
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