emi相關(guān)pcb布局布線規(guī)則(編輯修改稿)
2025-01-18 02:35 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 rger芯片，背光芯片， 5V升壓芯片需要放置屏蔽殼內(nèi) ? 供各個(gè)功能模塊使用的電源芯片需要就近放置在模塊電源端，注意電源走線避開(kāi)射頻區(qū)域 ? 電感器件不要靠近并排擺放，形成互感 ? 電容、電感擺放要靠近芯片管腳并有利于電源的單點(diǎn)接地。 電源布局 菊花鏈和星形走線 電源布局 LDO器件布局 LDO器件布局 LDO器件布局 DCDC器件布局 ? 保持通路在 Vin、 Vout之間， Cin、 Cout接地很短，以降低噪音和干擾； ? R和 C的反饋成份必須保持靠近 VFB反饋腳，以防噪音； ? 大面積地直接聯(lián)接 2腳和 Cin、 Cout的負(fù)端 DCDC器件布局 SW vs L1 距離 4mm Cout vs L1 距離 4mm SW、 Vin、 Vout、 GND 的線必須粗短 高速器件布局 ? DDR,SDRAM ,NAND FLASH 靠近 CPU放置，相對(duì)集中在屏蔽殼內(nèi)擺放，并注意 CPU的 Memory出線方向，減少線長(zhǎng)和交叉線數(shù)量。 ? 相鄰層是完整地鏡像 ? 屏的插座應(yīng)順著 CPU出線的方向，中間的 RC濾波器件盡量放在 CPU側(cè) ? 高速器件 (MCP , CPU ,屏的插座 )遠(yuǎn)離天線及模塊 如果高速器件離 RF模塊和天線較近 (200mils以?xún)?nèi) )，請(qǐng)將信號(hào)的過(guò)孔 (尤其是 SDRAM的時(shí)鐘 SDCLK)遠(yuǎn)離 RF模塊和天線，遠(yuǎn)離 1/2芯片長(zhǎng)度 ,如果無(wú)法避免 ,在背面露銅用于貼屏蔽貼 . 高速器件布局 低頻的最小電阻路徑和高頻的最小電感路徑 高速器件布局 左邊的是電容在芯片 Pin與 Via之間 ,環(huán)路較小 ,右邊的是 Via在 power Pin與電容之間 ,增大了環(huán)路大小 ,去藕效果較差 ,應(yīng)避免 射頻模塊布局 RF模塊和天線不要正
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