【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 N2I2時(shí)，儀表 G指零。調(diào)節(jié) R是為了實(shí)現(xiàn) I1與 I2達(dá)到同相位 電流比較式電橋原理接線 32 介損值 線圈 1及 2在電橋平衡時(shí)Cx=C0N2/N1 tgδ=ωR(C0+C) 平衡時(shí)線圈上基本無(wú)壓降，低壓臂的雜散電容基本上不起作用。電橋工作時(shí)不須多次反復(fù)平衡，一次儀表指零即可讀數(shù)，使用起來(lái)比較方便。 三個(gè)繞組的互感器為防止雜散磁場(chǎng)的影響，是精心屏蔽的?？偟恼f(shuō)來(lái)，它的靈敏度和準(zhǔn)確度均高于普通西林電橋 電流比較式電橋原理接線 33 局部放電的測(cè)量 測(cè)量局部放電的幾種方法 局部放電的脈沖電流測(cè)量法 脈沖電流法測(cè) PD的基本回路和檢測(cè)阻抗 脈沖電流法的測(cè)量?jī)x器及其校正 實(shí)施 PD測(cè)量的其它技術(shù)問(wèn)題 34 局部放電的概念： 簡(jiǎn)稱為 PDPartial Discharge，指由于電氣設(shè)備內(nèi)部絕緣里面存在的弱點(diǎn)，在一定外施電壓下發(fā)生的局部的重復(fù)擊穿和熄滅現(xiàn)象 局部放電的危害： 這種局部放電發(fā)生在一個(gè)或幾個(gè)絕緣內(nèi)部的氣隙或氣泡之中，因?yàn)樵谶@個(gè)很小的空間內(nèi)電場(chǎng)強(qiáng)度很大。它的放電能量很小，所以它的存在并不影響電氣設(shè)備的短時(shí)絕緣強(qiáng)度。但如一個(gè)電氣設(shè)備在運(yùn)行電壓下長(zhǎng)期存在局部放電現(xiàn)象，這些微弱的放電能量和由此產(chǎn)生的一些不良效應(yīng)，如不良化合物的產(chǎn)生，就可以慢慢地?fù)p壞絕緣，日積月累，最后可導(dǎo)致整個(gè)絕緣被擊穿，發(fā)生電氣設(shè)備的突發(fā)性故障 35 局部放電的特點(diǎn)： 當(dāng)介質(zhì)內(nèi)部發(fā)生局部放電時(shí)，伴隨著發(fā)生許多現(xiàn)象。有些屬于電的：如電脈沖的產(chǎn)生，介質(zhì)損耗的增大和電磁波放射；有些屬于非電的：如光、熱、噪音、氣體壓力的變化和化學(xué)變化。 局部放電的檢測(cè)： 這些現(xiàn)象都可以用來(lái)判斷局部放電是否存在，因此檢測(cè)的方法也可以分為電的和非電的兩類 36 測(cè)量局部放電的幾種方法 絕緣油的氣相色譜分析法： 這項(xiàng)試驗(yàn)是通過(guò)檢查電氣設(shè)備油樣內(nèi)所含的氣體組成的含量來(lái)判斷設(shè)備內(nèi)部的隱藏缺陷 超聲波探測(cè)法： 在電氣設(shè)備外壁放上由壓電元件和前置放大器組成的超聲波探測(cè)器，用以探測(cè)局部放電所造成的超聲波，從而了解有無(wú)局部放電的發(fā)生，粗測(cè)其強(qiáng)度和發(fā)生的部位 脈沖電流法： 測(cè) PD所形成的脈沖電流大小以判斷絕緣 PD的強(qiáng)弱程度，這種方法可以給出定量的結(jié)果，目前規(guī)程中已規(guī)定了定量的指標(biāo) 37 局部放電的脈沖電流測(cè)量法 局部放電的三電容模型 以三個(gè)電容來(lái)表征介質(zhì)內(nèi)部存在缺陷時(shí)的局部放電的機(jī)理 Cg： 氣泡的電容； Cb： 和 Cg相串聯(lián)部分的介質(zhì)電容； Cm： 其余大部分絕緣的電容 介質(zhì)內(nèi)部氣隙放電的三電容模型 (a)具有氣泡的介質(zhì)剖面 (b)等值電路 38 氣泡很小， Cg比 Cb大， Cm比 Cg大很多 電極間加上交流電壓 u，則 Cg上的電壓為 ug ug = uCb/(Cg+Cb) 介質(zhì)內(nèi)部氣隙放電的三電容模型 (a)具有氣泡的介質(zhì)剖面 (b)等值電路 39 局部放電機(jī)理 ug = uCb/(Cg+Cb) ug隨外加電壓 u升高，當(dāng) u上升到 Us瞬時(shí)值， ug到達(dá) Cg的放電電壓 Ug時(shí)， Cg氣隙放電。于是 Cg上的電壓一下子從 Ug 下降到 Ur，然后放電熄滅。 Ur叫做殘余電壓，它可以接近為零值，也可以為小于 Ug（均絕對(duì)值）的其它值 局部放電時(shí)氣隙中的電壓和電流的變化 40 局部放電時(shí)氣隙中的電壓和電流的變化 ug = uCb/(Cg+Cb) 放電火花一熄滅， Cg上的電壓將再次上升，由于此時(shí) Cg及Cb已經(jīng)有了一個(gè)初始的直流電壓，所以此后的 ug 值不能直接用上式來(lái)表達(dá)， ug 值與上式表達(dá)的值在絕對(duì)值上要小一個(gè)（ Ug－ Ur）值。外加電壓仍在上升， Cg上的電壓也順勢(shì)而上升，當(dāng)它再次升到 Ug時(shí)， Cg再次放電，電壓再次降到 Ur，放電再次熄滅 41 Cg上的電壓從 Ug突變?yōu)?Ur（均絕對(duì)值）的一瞬間，就是局部放電脈沖的形成的時(shí)刻，此時(shí)通過(guò) Cg有一脈沖電流，局部放電時(shí)氣泡中的電壓和電流的變化如圖所示 局部放電時(shí)氣隙中的電壓和電流的變化 42 介質(zhì)內(nèi)部氣隙放電的三電容模型 (a)具有氣泡的介質(zhì)剖面 (b)等值電路 當(dāng) Cg放電時(shí)， 放電總電容 Cg′ Cg′= Cg+[CmCb/(Cm+Cb)] Cg′ 上的電壓變化為 (Ug－ Ur)，故 一次脈沖放出的電荷△ qr △ qr = (Ug－ Ur)[Cg+CmCb/(Cm+Cb)] 當(dāng) Cm Cb， Cg Cb， Ur = 0時(shí)，△ qr≈UgCg 43 △ qr = (Ug－ Ur)[Cg+CmCb/(Cm+Cb)] 在實(shí)際試驗(yàn)時(shí)，式中所表達(dá)的各個(gè)量，都是無(wú)法實(shí)測(cè)得到的。所以要尋求其它能反映局部放電的量來(lái)測(cè)量。外施電壓是作用在 Cm上的，當(dāng) Cg上的電壓變動(dòng) (UgUr)時(shí)，會(huì)造成外施電壓的變化量△ U應(yīng)為 △ U = Cb（ UgUr) /（ Cm+Cb) 介質(zhì)內(nèi)部氣隙放電的三電容模型 (a)具有氣泡的介質(zhì)剖面 (b)等值電路 44 △ qr = (Ug－ Ur)[Cg+CmCb/(Cm+Cb)] △ U = Cb（ UgUr) /（ Cm+Cb) 由此兩式得 △ U=Cb△ qr/（ CgCm+CgCb+CmCb） △ U是總電容上的電壓變化量，與它相應(yīng)的電荷變化量為△ q △ q＝△ U{Cm+[CbCg/(Cb+Cg)]} 把△ U 式代入上式△ q ，可得 △ q＝△ qrCb/（ Cg+ Cb） 介質(zhì)內(nèi)部氣隙放電的三電容模型 (a)具有氣泡的介質(zhì)剖面 (b)等值電路 45 △ q＝△ qrCb/（ Cg+ Cb） 真實(shí)放電量： △ qr，是無(wú)法測(cè)量的； 而△ q＝△ U{Cm+[CbCg/(Cb+Cg)]} 式中所表達(dá)的△ U及 {Cm+[CbCg/(Cb+Cg)]}量都是可以測(cè)得的，△ q也是可以測(cè)得的 視在放電量： △ q，它是局部放電試驗(yàn)中的重要參量，國(guó)際和國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)中，對(duì)于各類高壓設(shè)備的視在放電量△ q的允許值均有所規(guī)定 從△ q＝△ qrCb/（ Cg+ Cb）式可見(jiàn)，△ q比真實(shí)放電量△ qr 小得多，它以 pC作為計(jì)量單位。其中 C代表電荷量庫(kù)侖 介質(zhì)內(nèi)部氣隙放電的三電容模型 (a)具有氣泡的介質(zhì)剖面 (b)等值電路 46 放電能量 表征局部放電的基本參數(shù)，除了視在放電量△ q外，還有一次脈沖放電能量 W W =△ qr(Ug