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正文內(nèi)容

國(guó)外集成電路命名方法(編輯修改稿)

2024-09-18 15:56 本頁面
 

【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 模擬單片;C:表示商業(yè)用的溫度范圍。H:TO5(TO~99,TO100,TO46);CD:CMOS數(shù)字;其中線性電路的1-、2-、3-J:低溫玻璃雙列直插(黑陶瓷);DA:數(shù)字對(duì)模擬;表示三種溫度,分別為:K:TO3(鋼的);DM:數(shù)字單片;(55~125)℃ KC:TO3(鋁的);LF:線性FET;(25~85)℃N:塑封雙列直插;LH:線性混合;(0~70)℃。P:TO202(D40,耐熱的);LM:線性單片;S:SGS型功率雙列直插;LP:線性低功耗;T:TO220型;LMC:CMOS線性;W:低溫玻璃扁平封裝(黑瓷扁平);LX:傳感器;Z:TO92型;MM:MOS單片;E:陶瓷芯片載體;TBA:線性單片;Q:塑料芯片載體;NMC:MOS存儲(chǔ)器。M:小引線封裝;L:陶瓷芯片載體。該公司同時(shí)生產(chǎn)其它廠家相同型號(hào)的產(chǎn)品。縮寫字符:PHIN 譯名:菲利浦公司(荷蘭)器件型號(hào)舉例說明MAB8400ADP系列 溫度范圍器件表示兩層意義封裝(用兩位符號(hào)表示)A:沒規(guī)定范圍 編號(hào)第一層表示改進(jìn)型;(用兩位符號(hào)表示)B:(0~70) 第二層表示封裝;第一位表示封裝形式:符號(hào)區(qū)別系列。C:(55~125)C:圓殼;C:圓殼封裝;2 .單片電路用兩D:(25~70)D:陶瓷雙列;D:雙列直插;符號(hào)表示。E:(25~85)F:扁平封裝;E:功率雙列(帶散熱片);第一符號(hào):F:(40~85)P:塑料雙列; F:扁平(兩邊引線);S:數(shù)字電路;G:(55~85)Q:四列封裝;G:扁平(四邊引線);T:模擬電路;如果器件是在別U:芯片。K:菱形(TO3系列);U:模擬/數(shù)字混合電路。的溫度范圍,可M:多列引線(雙、三、四第二符號(hào):不標(biāo),亦可標(biāo)A列除外);除H表示混合電路Q:四列直插;外,其它無規(guī)定;R:功率四列(外散熱片);S:?jiǎn)瘟兄辈澹槐硎尽?T:三列直插。MA:微計(jì)算機(jī)和CPU;第二位表示封裝材料:MB:位片式處理器;C:金屬陶瓷;MD:存儲(chǔ)器有關(guān)電路;G:玻璃陶瓷(陶瓷浸漬);ME:其它有關(guān)電路(接M:金屬;口,時(shí)鐘,外圍控P:塑料。制,傳感器等)。(半字符以防與前符號(hào)混淆)該公司同時(shí)生產(chǎn)與其它廠家相同型號(hào)的產(chǎn)品??s寫字符:PMI 譯名:精密單片公司(美)器件型號(hào)舉例說明DAC08EX器件系列器件電特性等級(jí)封裝ADC:A/D轉(zhuǎn)換器;編號(hào)H:6線圓殼TO78;AMP:測(cè)量放大器;J:8線圓殼TO99;BUF: 緩沖器(電壓跟隨器);K:10線圓殼TO100;CMP:電壓比較器; P:環(huán)氧樹脂雙列直插;DAC:D/A轉(zhuǎn)換器;Q:16線陶瓷雙列;DMX:信號(hào)分離器;R:20線陶瓷雙列;FLT:濾波器;RC:20線芯片載體;GAP:通用模擬信息處理器;T:28線陶瓷雙列;JAN:M38510產(chǎn)品;TC:28線芯片載體;MAT:對(duì)管;V:24線陶瓷雙列;MLT:乘法器;X:18線陶瓷雙列;MUX:多路轉(zhuǎn)換器;Y:14線陶瓷雙列;OP:精密運(yùn)算放大器; Z:8線陶瓷雙列;PKD:峰值檢波器;W:40線陶瓷雙列;PM:仿制的工業(yè)規(guī)范產(chǎn)品;L:10線密封扁平;REF:電壓基準(zhǔn);M:14線密封扁平;RPT:PCM線轉(zhuǎn)發(fā)器;N:24線密封扁平。SMP:采樣/保持放大器;SLC:用戶線接口電路;SW:模擬開關(guān);SSS:優(yōu)良的仿制提高規(guī)范產(chǎn)品。該公司并入ANA公司。縮寫字符:PRSC 譯名:特性半導(dǎo)體有限公司器件型號(hào)舉例說明P74FCTXXXXX首標(biāo)溫度產(chǎn)品系列器件封裝溫度范圍P:performance;74:(070)℃;編號(hào)P:塑料雙列;C:(070)℃;P4C:靜態(tài)存儲(chǔ)器;54:(55~125)J:J型小引線塑料M:(55~125)℃;9:適于特殊SRAM?!妗kp列(SOJ);MB:883C的B級(jí)。D:陶瓷雙列;C:側(cè)面銅焊雙列;L:芯片載體;S:小引線塑料雙列(SOIC);DW:600mil陶瓷雙列??s寫符號(hào):QSI 譯名:高級(jí)半導(dǎo)體公司器件型號(hào)舉例說明QS8XXXXXXXXX首標(biāo)器件編號(hào)速度封裝加工8XXX:SRAM;(存取時(shí)間)P:塑料雙列;沒標(biāo):標(biāo)準(zhǔn)工業(yè)用7XXX:FIFO。D:陶瓷雙列;(070)℃;L:陶瓷芯片載體;B:883的SO:小引線封裝雙列;(55~125)℃;Z:塑料單列(雙線)(ZIP);M:工業(yè)用Q:四面引線封裝(QSOP);(55~125)℃。V:(SOJ)J型小引線雙列。QSXXFCTXXXXX首標(biāo)溫度系列器件封裝加工54:(55~FCT:快編號(hào)P:塑料雙列;沒標(biāo):標(biāo)準(zhǔn)工業(yè)用125)℃;捷CMOS;D:陶瓷雙列;(0~70)℃;74:(0~70)℃。QST:快L:陶瓷芯片載體;B:883的速開關(guān)。SO:小引線雙列封裝;(55~125)℃;Z:塑料ZIP;M:工業(yè)用Q:QSOP。(55~125)℃??s寫字符:ZIL 譯名:吉?jiǎng)诟窆荆溃┢骷吞?hào)舉例說明Z8400BPS首標(biāo)器件編號(hào)速度封裝溫度范圍空白:C:陶瓷;E:(40~85)℃;;D:陶瓷浸漬;M:(55~125)℃A:4..0MHz;P:塑料;S:(0~70)℃。B:;Q:陶瓷四列;H:;R:陶瓷背的。L:低功耗的。縮寫字符:RCA 譯名:美國(guó)無線電公司(現(xiàn)為GE-RCA公司)器件型號(hào)舉例說明CD4070AD類型器件編號(hào)封裝CA:線性電路;A:改型,代替原型;D:陶瓷雙列(多層陶瓷);CD:CMOS數(shù)字電路;B:改型,代替A或E:塑料雙列;COM:CMOS LSI;原型;EM:變形的塑料雙列(有散熱板);COP:CMOS LSI;C:改型;F:陶瓷雙列,燒接密封;CMM:CMOS LSI;UB:不帶緩沖。H:芯片;MWS:CMOS LSI;J:三層陶瓷芯片載體;LM:線性電路;K:陶瓷扁平封裝;PA:門陣。L:?jiǎn)螌犹沾尚酒d體;M:TO220封裝(有散熱板);P:有散熱板的塑料雙列封裝;Q:四列塑料封裝;QM:變形的四列封裝S:TO5封裝(雙列型);T:TO5封裝(標(biāo)準(zhǔn)型);V1:TO5封裝(射線型引線);W:參差四列塑料封裝。該公司并入Harris公司??s寫符號(hào):SGL 譯名:硅通用公司(美)器件型號(hào)舉例說明SG108ATSGL器件編號(hào)說明封裝首標(biāo)A:改進(jìn)性能;F:扁平封裝;C:縮小溫度范圍。J:陶瓷雙列(1118線);K:菱形TO3;L:芯片載體;M:8線小型塑料雙列; N:塑料雙列(116線);P:TO220封裝;R:TO66(2線、9線金屬殼);T:TO型(399100、101型);W:16線帶散熱片的陶瓷雙列;Y:8線陶瓷雙列;S:大于15W的功率封裝??s寫字符:SGSI 譯名:意大利國(guó)家半導(dǎo)體公司器件型號(hào)舉例說明(采用歐洲共同體、PRO、ELECTRON的符號(hào))TDA1200XX(X/X)首標(biāo)器件編號(hào)封裝及封裝材料質(zhì)量等級(jí)首位字母表示:封裝:T:模擬電路;單字母表示:U:模擬/數(shù)字混合電路;C:圓殼;第二位字母表示:D:雙列直插;沒規(guī)定含義。E:功率雙列;雙字母表示:F:扁平封裝。FA~FZ、兩字母表示:GA~GZ:數(shù)字電路,系列有別。首位(表示封裝):?jiǎn)巫帜副硎荆篊:圓殼;S:?jiǎn)纹瑪?shù)字電路。D:雙列直插;另外的首標(biāo)含義:E:功率雙列(帶散熱板);
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