微帶不連續(xù)性電路(編輯修改稿)
2025-08-31 16:14 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 示了典型的分布。雖然式子（13）不能說(shuō)明分布沿45°角對(duì)稱，但是這個(gè)區(qū)域的離散分布的確是這樣的，所以在運(yùn)算過(guò)程中要利用這個(gè)對(duì)稱所帶來(lái)的便利條件。微帶線的T字型接口：對(duì)于實(shí)驗(yàn)者比較簡(jiǎn)單的一項(xiàng)工作內(nèi)容就是得到T字型接口的等效電路。微帶線的T字型接口連同這個(gè)模型如圖(3)所示。當(dāng)分流電容計(jì)數(shù)到結(jié)點(diǎn)處有電荷剩余或者不 圖（2） 圖（3）足時(shí)，傳輸線的長(zhǎng)度可以調(diào)節(jié)起主要作用的主線和根線之間的關(guān)系。殘余電動(dòng)勢(shì)會(huì)引起T字型結(jié)點(diǎn)處電荷的剩余或不足，是由于T字型結(jié)構(gòu)各個(gè)臂上的三個(gè)類微帶電荷分布接近終端平面的原因。為了估測(cè)殘余電動(dòng)勢(shì)，選取一個(gè)寬高比為w2∕h，平行于x軸，對(duì)應(yīng)電勢(shì)12?∞2Px的電荷分布12σ∞2Px‘，由式子（1）給出。再得到一個(gè)在x=w1處電極突然反向，對(duì)應(yīng)于12?ω12Pz電勢(shì)分布的電流分布12σ∞2Px’ ，由式子（2）給出。這兩個(gè)分布的疊加形成一個(gè)寬高比為ω2∕h的類微帶電荷分布，在區(qū)間x∈ω1，∞內(nèi)為12?∞2Px+?ω12Px。類似地，同樣可以得到，在點(diǎn)y==。式子（1）和（2）的電動(dòng)勢(shì)分別是?∞1Pv。這三項(xiàng)疊加就會(huì)在兩個(gè)間隔y。對(duì)應(yīng)的電動(dòng)勢(shì)為?∞1Py+。兩個(gè)得到的分布疊加以后，靠近終端平面的T1，T2和T3的T型結(jié)構(gòu)的臂上會(huì)出現(xiàn)類微帶的電荷分布。所以，在這種情況下參與電動(dòng)勢(shì)為：?xTP=?∞12?∞2Px+?ω12Px+?∞1Py+12?1。(15) 圖（4）這里剩余電荷滿足的積分公式是：?xTP=σxTP‘GTP；P’dP39。. (16)在式子（16）里，參與電動(dòng)勢(shì)和剩余電荷在遠(yuǎn)間斷點(diǎn)的無(wú)限遠(yuǎn)處都降為零，所以只考慮區(qū)域是有限的情況。這里格林公式里的GTP；P‘和式子12里的GbendP；P’是相同的。但是這里的fTn=2n2+xx‘h2+yy’h21∕2+2n2+xx‘h2+y+y’h21∕2 （17）T字型連接點(diǎn)的電容滿足：CT=σxTP‘dP’ 。 （18）圖4顯示了絕緣基片的εr=，主線的w1∕h=，基線w2∕h=（4）所示。微帶線的十字型接口：對(duì)于微帶線的十字型接口，僅有的出版數(shù)據(jù)資料是來(lái)自Stinehelter的實(shí)驗(yàn)。他采用了傳輸損耗測(cè)量，在T字型接點(diǎn)的情況下,取兩個(gè)挨著放置的四分之一波長(zhǎng)的短路根線，這樣就能決定根線的導(dǎo)電長(zhǎng)度，這樣兩個(gè)十字接口間的實(shí)際距離就是應(yīng)該注意的了。十字型接口如圖5（a）所示，電路模型如圖5（b）所示,這兩組圖就是由上面實(shí)驗(yàn)得到的結(jié)果。十字接點(diǎn)附近的并聯(lián)電容影響著電荷的剩余或者是不足。 圖（5）和上面的兩類間斷點(diǎn)一樣，殘余電動(dòng)勢(shì)也是來(lái)自于十字型接口的四個(gè)臂的電荷的類微帶分布引起的，四個(gè)角就指的是T1，T2，T3和T4。為了得到這樣一個(gè)分布，首先需要一個(gè)無(wú)限的寬和高的比是ω2∕h類微電荷分布。同樣需要x=ω1∕2和x=ω1∕2極性相反的兩個(gè)電荷分布12σ∞2Px‘。與此相對(duì)應(yīng)的
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