04微機接口-第四章(編輯修改稿)
2025-08-31 07:41 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 儲矩陣，地址譯碼采用單譯碼方式，它通過對所選定的某字線置成低電平來選擇讀取的字。位于矩陣交叉點并與位線和被選字線相連的二極管導(dǎo)通，使該位線上輸出電位為低電平，結(jié)果輸出為“ 0”，否則為“ 1”。 R R R R VCC 1 2 3 4 字線 位 4 位 3 位 2 位 1 輸出數(shù)據(jù)數(shù) 圖 二極管 ROM 二極管 ROM陣列 4 3 2 1 位 字 1 2 3 4 0 0 0 0 1 0 1 1 0 1 0 1 1 0 1 1 用 MOS三極 管取代二極管便構(gòu)成了 MOS ROM陣列 字線 1 字線 2 字線 3 字線 4 字 地 址 譯 碼 器 VDD D4 D3 D2 D1 A1 A0 00 01 10 11 位線1 位線2 位線3 位線4 4 3 2 1 位 字 1 2 3 4 0 0 1 0 1 1 0 1 1 1 1 0 0 1 0 0 D4 D3 D2 D1 圖 MOS管 ROM陣列 從二極管 ROM和 MOS ROM的介紹可知，這種存儲矩陣的內(nèi)容完全取決于芯片制造過程，而一旦制造好以后，用戶是無法變更的。 復(fù)合譯碼結(jié)構(gòu) 如圖 1024 1位的 MOS ROM電路。 10條地址信號線分成兩組，分別經(jīng)過 X和 Y譯碼，各產(chǎn)生 32條選擇線。 X譯碼輸出選中某一行，但這一行中，哪一個能輸出與 I/O電路相連，還取決于 Y譯碼輸出，故每次只選中一個單元。 A5 A6 A7 A8 A9 A0 A1 A2 A3 A4 VCC …… … 圖 復(fù)合譯碼的 MOS ROM電路 雙極型 ROM電路 雙極型 ROM的速度比 MOS ROM快，它的取數(shù)時間約為幾十 ns，可用于速度要求較高的微機系統(tǒng)中。圖 型 ROM的結(jié)構(gòu)圖，容量為 256 4位。 A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 圖 一種雙極型 ROM的結(jié)構(gòu)圖 存儲單元的工作原理仍為當某一行被選中時，連到存儲管子的基極信號為“ 1”，各列若有管子與此選擇線相連，則管子導(dǎo)通，輸出為“ 0”，在輸出電路中經(jīng)過反相，實際輸出為“ 1”；若沒有管子與此選擇線相連，則存儲矩陣輸出為“ 1”，經(jīng)過輸出電路反相，輸出為“ 0”。 特點： (1) 出廠時里面沒有信息。 (2) 用戶根據(jù)自己需要對其進行設(shè)置 (編程 )。 (3) 只能使用一次，一旦進行了編程不能擦除其內(nèi)信息。 二、可編程 ROM (PROM) 可編程 ROM（ PROM） 是一種 允許用戶編程一次的 ROM， 其存儲單元通常用二極管或三極管實現(xiàn) 。 圖 串接了一個可熔金屬絲 ， 出廠時 ， 所有存儲單元的熔絲都是完好的 。 編程時 ， 通過字線選中某個晶體管 。 若準備寫入 1， 則向位線送高電平 ， 此時管子截止 ， 熔絲將被保留；若準備寫入 0， 則向位線送低電平 ， 此時管子導(dǎo)通 ， 控制電流使熔絲燒斷 ， 不可能再恢復(fù) ， 故只能進行一次編程 。 圖 熔絲式 PROM的基本存儲結(jié)構(gòu) 特點： (1) 可以多次修改擦除。 (2) EPROM通過紫外線光源擦除 (編程后，窗口應(yīng)貼上不透光膠紙 )。 (3) E2PROM電可擦除。 三、可擦除、可編程 ROM（ EPROM） 在實際工作中 ， 一個新設(shè)計的程序往往需要經(jīng)歷調(diào)試 、 修改過程 ， 如果將這個程序?qū)懺?ROM和PROM中 ， 就很不方便了 。 EPROM是一種 可以多次進行擦除和重寫的 ROM。 圖 EPROM的基本存儲電路和 FAMOS結(jié)構(gòu) P P S D SIO2 SIO2 +++ N基底 源極 漏極 多晶硅浮置柵 字選線 浮置柵 場效應(yīng)管 位線 (a) EPROM的基本存儲結(jié)構(gòu) (b) 浮置柵雪崩注入型場效應(yīng)管結(jié)構(gòu) 典型的 EPRAM芯片 常 用 的 典 型 EPROM 芯 片 有 ： 2716（ 2K 8） 、 2732（ 4K 8） 、 2764（ 8K 8） 、27128（ 16K 8） 、 27256（ 32K 8） 、 27512（ 64K 8） 等 。 Intel2764 芯 片 是 一 塊 8K 8bit 的EPROM芯片 ， 如圖所示： 允許輸出和片選邏輯 CE A0~A12 Y譯碼 X譯碼 輸出緩沖 Y門 8K?8位 存儲矩陣 … OE 數(shù)據(jù)輸出 ... 2764結(jié)構(gòu)框圖 VCC PGE NC A8 A9 A11 OE A10 CE D7 D6 D5 D4 D3 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 15 2764 VPP A12 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 D0 D1 D2 GND 封裝及引腳 2764封裝圖 ? A0～ A12 地址輸入， 213=8192=8K ? D0～ D7 雙向數(shù)據(jù)線 ? VPP 編程電壓輸入端 ? OE 輸出允許信號 ? CE 片選信號 ? PGE 編程脈沖輸入端，讀 PGE=1 操作方式 讀 輸出禁止 備用 (功率下降 ) 編程禁止 編程 Intel 編程 校驗 Intel 標識符 CE OE PGM A9 Vpp Vcc 輸出 L L H H L L L L L H X X H H L L H H X X L L H H X
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