電子元器件失效性分析報(bào)告(編輯修改稿)
2024-08-30 05:50 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 PDF created with pdfFactory Pro trial version 失效機(jī)理的內(nèi)容l 失效模式與材料、設(shè)計(jì)、工藝的關(guān)系l 失效模式與環(huán)境應(yīng)力的關(guān)系環(huán)境應(yīng)力包括：過(guò)電、溫度、濕度、機(jī)械應(yīng)力、靜電、重復(fù)應(yīng)力l 失效模式與時(shí)間的關(guān)系PDF created with pdfFactory Pro trial version 水汽對(duì)電子元器件的影響l 電參數(shù)漂移l 外引線腐蝕l 金屬化腐蝕l 金屬半導(dǎo)體接觸退化PDF created with pdfFactory Pro trial version 輻射對(duì)電子元器件的影響l 參數(shù)漂移、軟失效l 例：n溝道MOS器件閾值電壓減小PDF created with pdfFactory Pro trial version 失效應(yīng)力與失效模式的相關(guān)性l 過(guò)電：pn結(jié)燒毀、電源內(nèi)引線燒毀、電源金屬化燒毀l 靜電：MOS器件氧化層擊穿、輸入保護(hù)電路潛在損傷或燒毀l 熱：鍵合失效、AlSi互溶、pn結(jié)漏電l 熱電：金屬電遷移、歐姆接觸退化l 高低溫：芯片斷裂、芯片粘接失效l 低溫：芯片斷裂PDF created with pdfFactory Pro trial version 失效發(fā)生期與失效機(jī)理的關(guān)系l 早期失效：設(shè)計(jì)失誤、工藝缺陷、材料缺陷、篩選不充分l 隨機(jī)失效：靜電損傷、過(guò)電損傷l 磨損失效：元器件老化l 隨機(jī)失效有突發(fā)性和明顯性l 早期失效、磨損失效有時(shí)間性和隱蔽性PDF created with pdfFactory Pro trial version 第四講失效分析技術(shù)PDF created with pdfFactory Pro trial version 失效分析的作用l 確定引起失效的責(zé)任方（用應(yīng)力－強(qiáng)度模型說(shuō)明）l 確定失效原因l 為實(shí)施整改措施提供確鑿的證據(jù)PDF created with pdfFactory Pro trial version 舉例說(shuō)明：失效分析的概念和作用l 某EPROM 使用后無(wú)讀寫功能l 失效模式：電源對(duì)地的待機(jī)電流下降l 失效部位：部分電源內(nèi)引線熔斷l(xiāng) 失效機(jī)理：閂鎖效應(yīng)l 確定失效責(zé)任方：模擬試驗(yàn)l 改進(jìn)措施建議：改善供電電網(wǎng)，加保護(hù)電路PDF created with pdfFactory Pro trial version 失效分析的受益者l 元器件廠：獲得改進(jìn)產(chǎn)品設(shè)計(jì)和工藝的依據(jù)l 整機(jī)廠：獲得索賠、改變?cè)骷┴浬?、改進(jìn)電路設(shè)計(jì)、改進(jìn)電路板制造工藝、提高測(cè)試技術(shù)、設(shè)計(jì)保護(hù)電路的依據(jù)l 整機(jī)用戶：獲得改進(jìn)操作環(huán)境和操作規(guī)程的依據(jù)l 提高產(chǎn)品成品率和可靠性，樹立企業(yè)形象，提高產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力PDF created with pdfFactory Pro trial version 失效分析技術(shù)的延伸l 進(jìn)貨分析的作用：選擇優(yōu)質(zhì)的供貨渠道，防止假冒偽劣元器件進(jìn)入整機(jī)生產(chǎn)線l 良品分析的作用：學(xué)習(xí)先進(jìn)技術(shù)的捷徑l 破壞性物理分析（DPA）：失效前的物理分析PDF created with pdfFactory Pro trial version 失效分析的一般程序l 收集失效現(xiàn)場(chǎng)數(shù)據(jù)l 電測(cè)并確定失效模式l 非破壞檢查l 打開封裝l 鏡檢l 通電并進(jìn)行失效定位l 對(duì)失效部位進(jìn)行物理化學(xué)分析，確定失效機(jī)理l 綜合分析，確定失效原因，提出糾正措施PDF created with pdfFactory Pro trial version 收集失效現(xiàn)場(chǎng)數(shù)據(jù)l 作用：根據(jù)失效現(xiàn)場(chǎng)數(shù)據(jù)估計(jì)失效原因和失效責(zé)任方根據(jù)失效環(huán)境：潮濕、輻射根據(jù)失效應(yīng)力：過(guò)電、靜電、高溫、低溫、高低溫根據(jù)失效發(fā)生期:早期、隨機(jī)、磨損l 失效現(xiàn)場(chǎng)數(shù)據(jù)的內(nèi)容PDF created with pdfFactory Pro trial version 水汽對(duì)電子元器件的影響l 電參數(shù)漂移l 外引線腐蝕l 金屬化腐蝕l 金屬半導(dǎo)體接觸退化PDF created with pdfFactory Pro trial version 輻射對(duì)電子元器件的影響l 參數(shù)漂移、軟失效l 例：n溝道MOS器件閾值電壓減小PDF created with pdfFactory Pro trial version 失效應(yīng)力與失效模式的相關(guān)性l 過(guò)電：pn結(jié)燒毀、電源內(nèi)引線燒毀、電源金屬化燒毀l 靜電：MOS器件氧化層擊穿、輸入保護(hù)電路潛在損傷或燒毀l 熱：鍵合失效、AlSi互溶、pn結(jié)漏電l 熱電：金屬電遷移、歐姆接觸退化l 高低溫：芯片斷裂、芯片粘接失效l 低溫：芯片斷裂PDF created with pdfFactory Pro trial version 失效發(fā)生期與失效機(jī)理的關(guān)系l 早期失效：設(shè)計(jì)失誤、工藝缺陷、材料缺陷、篩選不充分l 隨機(jī)失效：靜電損傷、過(guò)電損傷l 磨損失效：元器件老化l 隨機(jī)失效有突發(fā)性和明顯性l 早期失效、磨損失效有時(shí)間性和隱蔽性PDF created with pdfFactory Pro trial version 失效發(fā)生期與失效率失效率
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