薄膜生長的理論模型與montecarlo模擬(編輯修改稿)
2025-08-28 13:59 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 低 最近鄰 優(yōu)先級高 次近鄰 優(yōu)先級低 最近鄰 優(yōu)先級高 核 最近鄰 優(yōu)先級高 次近鄰 優(yōu)先級低 最近鄰 優(yōu)先級高 次近鄰 優(yōu)先級低 編程實現(xiàn)－－三維 ?70 70 500立方體格子 ?最近鄰－－五個格點 ?次近鄰－－八個格點 ?其余算法都是從二維推廣到三維 開 始成 核 位 置 被 占 據(jù) ？設(shè) 定 初 始 值初 始 化 矩 陣縮 放 坐 標(biāo) 并 移 動 坐 標(biāo)在 襯 底 隨 機 生 成 一 個 核隨 機 生 成 運 動 粒 子Y e sN o運 動 粒 子 的 最 近 鄰 是 否 被 占 據(jù) ?運 動 粒 子 的 次 近 鄰 是 否 被 占 據(jù) ?N o在 次 近 鄰 成 核Y e s在 最 近 鄰 成 核Y e s判 斷 是 否 到 運 動 步 數(shù) ？N oN o由 于 能 量 減 少 到 0 ， 粒 子 在 襯 底 上 單 獨 成 核Y e s運 動二維程序運行模擬結(jié)果 1 ? 10萬粒子運行 1000步 1萬粒子運行 1000步 二維程序運行模擬結(jié)果 2 10萬粒子運行 1萬步 1萬粒子運行 1萬步 二維程
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