sdram接口學習(編輯修改稿)
2025-08-21 19:17 本頁面
【文章內容簡介】 變?yōu)檫壿? 0，所以要預充電階段做數(shù)據重寫 part4SDRAM內部操作與工作時序 寫操作： 寫操作也在 tRCD 之后進行，但沒有 CL（數(shù)據信號由控制端發(fā)出，輸入時芯片無需做任何調校，只需直接傳到數(shù)據輸入寄存器中，然后由寫入驅動器進行對存儲電容的充電操作，因此數(shù)據可以與 CAS 同時發(fā)送 part4SDRAM內部操作與工作時序 tWR： Write Recovery Time。 =一個 TCK 數(shù)據不能即時地寫入存儲電容，因為選通三極管（如同讀操作）與電容的充電必須要有一段時間 part4SDRAM內部操作與工作時序 突發(fā)傳輸 ：是指在同一行中相鄰的存儲單元連續(xù)進行數(shù)據傳輸?shù)姆绞?，傳輸時只需指定起始列地址與突發(fā)長度，內存就會依次地自動對后面相應數(shù)量的存儲單元進行讀 /寫操作而不再需要控制器連續(xù)地提供列地址（不能減少數(shù)據輸出時間，但是可以節(jié)約內存控制資源） 突發(fā)長度 （ Burst Lengths，簡稱 BL）：連續(xù)傳輸所涉及到存儲單元（列）的數(shù)量。 BL值可以使是 全頁（ Full Page） Full Page： PBANK所包含的每個芯片內同一 LBANK中同一行的所有存儲單元 part4SDRAM內部操作與工作時序 非突發(fā)連續(xù)讀取模式 ： part4SDRAM內部操作與工作時序 突發(fā)連續(xù)讀取 ： part4SDRAM內部操作與工作時序 預充電 （ Precharge） ： LBank關閉現(xiàn)有的工作行，準備打開新行的操作就是預充電。 SDRAM尋址具有獨占性，一個 LBANK中只能有一行打開（ SAMP 只能為一行服務） 預充電的實質是：對工作行中的所有存儲體進行數(shù)據重寫 (，即使是沒有工作過的存儲體也會因行選通而使存儲電容受到干擾，所以也需 要 SAMP 進行讀后重寫 )，并對地址進行復位，同時釋放讀出放大器（ Sense Amplifier ,SAMP） ，以準備新的工作行 part4SDRAM內部操作與工作時序 tRAS（ Active to Precharge Command，行有效至預充電命令間隔周期）：至少要在行有效命令 5 個時鐘周期之后發(fā)出，最長間隔視芯片而異（基本在 120220ns左右），否則工作行的數(shù)據將有丟失的危險 tRP（ Precharge mand Period，預充電有效周期） 預充電控制 ：命令控制 /輔助設定 命令控制： A10決定讀寫之后是否自動預充電 輔助設定： A10決定著是對指定的
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