sdram接口學(xué)習(xí)(編輯修改稿)
2025-08-21 19:17 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 變?yōu)檫壿? 0，所以要預(yù)充電階段做數(shù)據(jù)重寫 part4SDRAM內(nèi)部操作與工作時(shí)序 寫操作： 寫操作也在 tRCD 之后進(jìn)行，但沒有 CL（數(shù)據(jù)信號(hào)由控制端發(fā)出，輸入時(shí)芯片無(wú)需做任何調(diào)校，只需直接傳到數(shù)據(jù)輸入寄存器中，然后由寫入驅(qū)動(dòng)器進(jìn)行對(duì)存儲(chǔ)電容的充電操作，因此數(shù)據(jù)可以與 CAS 同時(shí)發(fā)送 part4SDRAM內(nèi)部操作與工作時(shí)序 tWR： Write Recovery Time。 =一個(gè) TCK 數(shù)據(jù)不能即時(shí)地寫入存儲(chǔ)電容，因?yàn)檫x通三極管（如同讀操作）與電容的充電必須要有一段時(shí)間 part4SDRAM內(nèi)部操作與工作時(shí)序 突發(fā)傳輸 ：是指在同一行中相鄰的存儲(chǔ)單元連續(xù)進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)姆绞剑瑐鬏敃r(shí)只需指定起始列地址與突發(fā)長(zhǎng)度，內(nèi)存就會(huì)依次地自動(dòng)對(duì)后面相應(yīng)數(shù)量的存儲(chǔ)單元進(jìn)行讀 /寫操作而不再需要控制器連續(xù)地提供列地址（不能減少數(shù)據(jù)輸出時(shí)間，但是可以節(jié)約內(nèi)存控制資源） 突發(fā)長(zhǎng)度 （ Burst Lengths，簡(jiǎn)稱 BL）：連續(xù)傳輸所涉及到存儲(chǔ)單元（列）的數(shù)量。 BL值可以使是 全頁(yè)（ Full Page） Full Page： PBANK所包含的每個(gè)芯片內(nèi)同一 LBANK中同一行的所有存儲(chǔ)單元 part4SDRAM內(nèi)部操作與工作時(shí)序 非突發(fā)連續(xù)讀取模式 ： part4SDRAM內(nèi)部操作與工作時(shí)序 突發(fā)連續(xù)讀取 ： part4SDRAM內(nèi)部操作與工作時(shí)序 預(yù)充電 （ Precharge） ： LBank關(guān)閉現(xiàn)有的工作行，準(zhǔn)備打開新行的操作就是預(yù)充電。 SDRAM尋址具有獨(dú)占性，一個(gè) LBANK中只能有一行打開（ SAMP 只能為一行服務(wù)） 預(yù)充電的實(shí)質(zhì)是：對(duì)工作行中的所有存儲(chǔ)體進(jìn)行數(shù)據(jù)重寫 (，即使是沒有工作過(guò)的存儲(chǔ)體也會(huì)因行選通而使存儲(chǔ)電容受到干擾，所以也需 要 SAMP 進(jìn)行讀后重寫 )，并對(duì)地址進(jìn)行復(fù)位，同時(shí)釋放讀出放大器（ Sense Amplifier ,SAMP） ，以準(zhǔn)備新的工作行 part4SDRAM內(nèi)部操作與工作時(shí)序 tRAS（ Active to Precharge Command，行有效至預(yù)充電命令間隔周期）：至少要在行有效命令 5 個(gè)時(shí)鐘周期之后發(fā)出，最長(zhǎng)間隔視芯片而異（基本在 120220ns左右），否則工作行的數(shù)據(jù)將有丟失的危險(xiǎn) tRP（ Precharge mand Period，預(yù)充電有效周期） 預(yù)充電控制 ：命令控制 /輔助設(shè)定 命令控制： A10決定讀寫之后是否自動(dòng)預(yù)充電 輔助設(shè)定： A10決定著是對(duì)指定的
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