【文章內(nèi)容簡介】 即三星256Kbit*16=4Mb內(nèi)存。 　　 三星SDRAM內(nèi)存芯片編號例如KM416S16230AG10表示：KM表示三星內(nèi)存；4代表RAM種類（4=DRAM）；16代表內(nèi)存芯片組成x16（4 = x8 = x16 = x16）；S代表SDRAM；16代表內(nèi)存芯片密度16Mbit（1 = 1M、2 = 2M、4 = 4M、8 = 8M、16 = 16M）；2代表刷新（0 = 4K、1 = 2K、2 = 8K）；3表示內(nèi)存排數(shù)（2=2排、3=4排）；0代表內(nèi)存接口（0=LVTTL、1=SSTL）；A代表內(nèi)存版本（空白=第1代、A=第2代、B=第3代）；G代表電源供應(yīng)（G=自動刷新、F=低電壓自動刷新）；10代表最高頻率（7 = 7ns[143MHz]、8 = 8ns[125 MHz]、10 = 10ns[100 MHz]、H = 100 MHz @ CAS值為L = 100 MHz @ CAS值為3 ）。三星的容量需要自己計算一下，方法是用S后的數(shù)字乘S前的數(shù)字，得到的結(jié)果即為容量，即三星16M*16=256Mbit SDRAM內(nèi)存芯片，刷新為8K，內(nèi)存Banks為3，內(nèi)存接口LVTTL，第2代內(nèi)存，自動刷新，速度是10ns(100 MHz)。 　　 三星PC133標(biāo)準(zhǔn)SDRAM內(nèi)存芯片格式如下： 　　 Unbuffered型：KMM3 xx s xxxx BT/BTS/ATSGA 　　Registered型：KMM3 90 s xxxx BTI/ATIGA 　　 三星DDR同步DRAM內(nèi)存芯片編號例如KM416H4030T表示：KM表示三星內(nèi)存；4代表RAM種類（4=DRAM）；16表示內(nèi)存芯片組成x16（4=x8=x16=x132=x32）；H代表內(nèi)存電壓（H=DDR SDRAM[]、L=DDR SDRAM[]）；4代表內(nèi)存密度4Mbit（4 =4M、8 = 8M、16 = 16M、32 = 32M、64 = 64M、12 = 128M、25 = 256M、51 = 512M、1G = 1G、2G = 2G、4G = 4G）；0代表刷新（0 = 64m/4K []、1 = 32m/2K []、2 = 128m/8K[]、3 = 64m/8K[]、4 = 128m/16K[]）；3表示內(nèi)存排數(shù)（3=4排、4=8排）；0代表接口電壓（0=混合接口LVTTL+SSTL_3()、1=SSTL_2()）；T表示封裝類型（T=66針TSOP II、B=BGA、C=微型BGA(CSP)）；Z代表速度133MHz（5 = 5ns, 200MHz (400Mbps)、6 = 6ns, 166MHz (333Mbps)、Y = , 150MHz (300Mbps)、Z = , 133MHz (266Mbps)、8 = 8ns, 125MHz (250Mbps)、0 = 10ns, 100MHz (200Mbps)）。即三星4Mbit*16=64Mbit內(nèi)存芯片， DDR SDRAM，刷新時間0 = 64m/4K ()，內(nèi)存芯片排數(shù)為4排（兩面各兩排），接口電壓LVTTL+SSTL_3()，封裝類型66針TSOP II，速度133MHZ。 　　三星RAMBUS DRAM內(nèi)存芯片編號例如KM418RD8C表示：KM表示三星內(nèi)存；4代表RAM種類（4=DRAM）；18代表內(nèi)存芯片組成x18（16 = x118 = x18）；RD表示產(chǎn)品類型（RD=Direct RAMBUS DRAM）；8代表內(nèi)存芯片密度8M（4 = 4M、8 = 8M、16 = 16M）；C代表封裝類型（C = 微型BGA、D =微型BGA [逆轉(zhuǎn)CSP]、W = WLCSP）；80代表速度（60 = 600Mbps、80 = 800Mbps）。即三星8M*18bit=144M，BGA封裝，速度800Mbps。 （6）Micron（美光）　　 Micron公司是世界上知名內(nèi)存生產(chǎn)商之一（如右圖Micron PC143 SDRAM內(nèi)存條），其SDRAM芯片編號格式為：MT48 ab cdMef Ag TGhi j 　　 其中MT代表Micron的產(chǎn)品；48代表產(chǎn)品家族（48=SDRAM、4=DRAM、46=DDR SDRAM、6=Rambus）；ab代表處理工藝（C=5V Vcc CMOS，LC= Vdd CMOS，V= Vdd CMOS）；cdMef設(shè)備號碼（深度*寬度），無字母=Bits，K=Kilobits（KB），M=Megabits（MB），G=Gigabits（GB）Mricron的容量=cd*ef；ef表示數(shù)據(jù)位寬(132分別代表4位、8位、16位和32位)；Ag代表Write Recovery［Twr］(A2=Twr=2clk)；TG代表封裝（TG=TSOPII封裝，DJ=SOJ，DW=寬型SOJ，F(xiàn)=54針4行FBGA，F(xiàn)B=60針8*16 FBGA，F(xiàn)C=60針11*13 FBGA，F(xiàn)P=反轉(zhuǎn)芯片封裝，F(xiàn)Q=反轉(zhuǎn)芯片密封，F(xiàn)1=62針2行FBGA，F(xiàn)2=84針2行FBGA，LF=90針FBGA，LG=TQFP，R1=62針2行微型FBGA，R2=84針2行微型FBGA，U=μ BGA）；j代表功耗（L=低耗，空白=普通）；hj代表速度，分成以下四類： （A）、DRAM 4=40ns，5=50ns，6=60ns，7=70ns SDRAM，x32 DDR SDRAM（時鐘率 @ CL3） 15=66MHz，12=83MHz，10+=100MHz，8x+=125MHz，75+=133MHz，7x+=143MHz，65=150MHz，6=167MHz，55=183MHz，5=200MHz DDR SDRAM（x4，x8，x16）時鐘率 @ CL= 8+=125MHz，75+=133MHz，7+=143MHz （B）、Rambus（時鐘率） 4D=400MHz 40ns，4C=400MHz 45ns，4B=400MHz 50ns，3C=356MHz 45ns，3B=356MHz 50ns，3M=300MHz 53ns +的含義 8E支持PC66和PC100（CL2和CL3） 75支持PC6PC100（CL2和CL3）、PC133（CL=3） 7支持PC6PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2和CL3） 7E支持PC6PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2+和CL3） （C）、DDR SDRAM 8支持PC200（CL2） 75支持PC200（CL2）和PC266B（CL=） 7支持PC200（CL2），PC266B（CL2），PC266A（CL=）。 例如MT 48 LC 16M8 A2 TG 75 L _ ES表示美光的SDRAM，16M8=16*8MB=128MB，133MHz 其它還有如：黑金剛——Kingbox 宇瞻——Apacer 英飛凌——Infineon 金士頓——Kingston 記憶科技—— Ramaxel 星存——StarRam 威剛—— ADATA 金士泰——Kingstek 主要內(nèi)存顆粒生產(chǎn)商：三星(SAMSUNG)、現(xiàn)代(Hynix)、英飛凌(Infi neon)、美光(Micron)、勤茂(TwinMOS)、南亞(NANYA)、華邦(Winbond)茂矽(MOSEL)（7）其它內(nèi)存芯片編號 　　 NEC的內(nèi)存芯片編號例如μPD4564841G5A809JF表示：μPD4代表NEC的產(chǎn)品；5代表SDRAM；64代表容量64MB；8表示數(shù)據(jù)位寬（132分別代表4位、8位、16位、32位，當(dāng)數(shù)據(jù)位寬為16位和32位時，使用兩位）；4代表Bank數(shù)（3或4代表4個Bank，在16位和32位時代表2個Bank；2代表2個Bank）；1代表LVTTL（如為16位和32位的芯片，則為兩位，第2位雙重含義，如1代表2個Bank和LVTTL，3代表4個Bank和LVTTL）；G5為TSOPII封裝；A80代表速度：在CL=3時可工作在125MHZ下，在100MHZ時CL可設(shè)為2（80=8ns［125MHz CL 3］，10=10ns［PC100 CL 3］，10B=10ns較10慢，Tac為7，不完全符合PC100規(guī)范，12=12ns，70=[PC133]，75=[PC133]）；JF代表封裝外型（NF=44pinTSOPII；JF=54pin TSOPII；JH=86pin TSOPII）。 　　 HITACHI的內(nèi)存芯片編號例如HM5264805F B60表示：HM代表日立的產(chǎn)品；52是SDRAM類型（51=EDO DRAM，52=SDRAM）；64代表容量64MB；80表示數(shù)據(jù)位寬（80、16分別代表4位、8位、16位）；5F表示是第幾個版本的內(nèi)核（現(xiàn)在至少已排到F了）；空白表示功耗（L=低功耗，空白=普通）；TT為TSOII封裝；B60代表速度（75=［133MHz］，80=8ns［125MHz］，A60=10ns［PC100 CL2或3］，B60=10ns［PC100 CL3］即100MHZ時CL是3）。 　　 SIEMENS（西門子）內(nèi)存芯片編號格式為：HYB39S ab cd0 e T f gh 其中ab為容量，gh是速度（6=166MHz，7=143MHz，=133MHz，8=125MHz，8B=100MHz［CL3］，10=100MHz［PC66規(guī)格］）。 　　 TOSHIBA的內(nèi)存芯片編號例如TC59S6408BFTL80表示：TC代表是東芝的產(chǎn)品；59代表SDRAM（其后的S=普通SDRAM，R=Rambus SDRAM，W=DDR SDRAM）；64代表容量（64=64Mb，M7=128Mb）；08表示數(shù)據(jù)位寬（00132分別代表4位、8位、16位和32位）；B表示內(nèi)核的版本；FT為TSOPII封裝（FT后如有字母L=低功耗，空白=普通）；80代表速度（75=［133MHz］，80=8ns［125MHz］，10=10ns［100MHz CL=3］）。 　　IBM的內(nèi)存芯片編號例如IBM0316809CT3D10，其中IBM代表IBM的產(chǎn)品；03代表SDRAM；16代表容量16MB；80表示數(shù)據(jù)位寬（80、16分別代表16位）；C代表功耗（P=低功耗，C=普通）；D表示內(nèi)核的版本；10代表速度（68=［147MHz］，75A=［133MHz］，　260或222=10ns［PC100 CL2或3］，360或322=10ns［PC100 CL3］，B版的64Mbit芯片中，260和360在CL=3時的標(biāo)定速度為：135MHZ，10=10NS［100MHz］。 （二） 硬盤的技術(shù)規(guī)格 硬盤的分類按照結(jié)構(gòu)分為機(jī)械式硬盤（英文名：Hard Disc Drive，簡稱HDD，全名溫徹斯特式硬盤）和固態(tài)硬盤（SSD ：Solid State Disk，全名固態(tài)電子存儲芯片陣列） 硬盤的技術(shù)規(guī)格 轉(zhuǎn)速：硬盤通常是按每分鐘轉(zhuǎn)速(RPM，Revolutions Per Minute)計算：該指標(biāo)代表了硬盤主軸馬達(dá)（帶動磁盤）的轉(zhuǎn)速，比如5400 RPM就代表該硬盤中主軸轉(zhuǎn)速為每分鐘5400轉(zhuǎn)。目前主流筆記本硬盤轉(zhuǎn)速為5400R