【總結(jié)】18/18
2025-08-03 05:35
【總結(jié)】1第1章電力電子器件電力電子器件概述不可控器件——二極管半控型器件——晶閘管典型全控型器件其他新型電力電子器件電力電子器件的驅(qū)動電力電子器件的保護(hù)電力電子器件的串聯(lián)和并聯(lián)使用本章小結(jié)及作業(yè)第1章電力電子器件
2025-05-14 22:17
【總結(jié)】短溝道效應(yīng)當(dāng)MOSFET的溝道長度L↓時,分立器件:集成電路:??????MmaxpgmonmD,,,,,fKRgI?但是隨著L的縮短,將有一系列在普通MOSFET中不明顯的現(xiàn)象在短溝道MOSFET中變得嚴(yán)重起來,這一系
2025-04-29 00:54
【總結(jié)】第一章電力電子器件電力電子器件(2)晶閘管?1.晶閘管的結(jié)構(gòu)與工作原理?2.晶閘管的基本特性?3.晶閘管的主要參數(shù)?4.晶閘管的派生器件1晶閘管的結(jié)構(gòu)與工作原理晶閘管(Thyristor)——硅晶體閘流管的簡稱又稱:可控硅整流器SCR,簡稱可控硅。晶閘管
2025-01-17 09:01
【總結(jié)】報告人:高大永熱電材料的發(fā)展現(xiàn)狀及應(yīng)用前言在當(dāng)今時代,環(huán)保和節(jié)能已經(jīng)成為時代的主題。如何開發(fā)新的綠色能源,如何更好的做到低功耗,如何更好的保護(hù)環(huán)境又不影響人類的發(fā)展,成為研究的重點。熱電轉(zhuǎn)化器件,因為具有環(huán)保、能源回收等多種優(yōu)點
2024-12-31 22:44
【總結(jié)】第五節(jié)其它新型電力電子器件?電力晶體管GTR?可關(guān)斷晶閘管GTO?功率場效應(yīng)晶體管MOSFET?絕緣柵雙極晶體管IGBT?靜電感應(yīng)晶體管SIT?靜電感應(yīng)晶閘管SITH?MOS晶閘管MCT?MOS晶體管MGT一、雙極型器件GTO、GTR、SITH1、電力晶體管G
2025-01-01 02:39
【總結(jié)】1-1第1章電力電子器件電力電子器件概述不可控器件——二極管半控型器件——晶閘管典型全控型器件其他新型電力電子器件電力電子器件的驅(qū)動電力電子器件的保護(hù)電力電子器件的串聯(lián)和并聯(lián)使用本章小結(jié)及作業(yè)1-2電子技術(shù)的基礎(chǔ)
【總結(jié)】 第1頁共8頁 關(guān)于電力電子器件分類與應(yīng)用思考 電力電子技術(shù)是以電力電子器件為基礎(chǔ)對電能進(jìn)行控制、轉(zhuǎn) 換和傳輸?shù)囊婚T技術(shù),是現(xiàn)代電子學(xué)的一個重要分支,包括電力 電子器件、變流電路和控制電路三...
2024-08-26 16:04
【總結(jié)】材料類型在光纖通信用的光器件的研究中,研究思路有三個方面:①積極尋找各種新型材料;②揭示新型材料的物理效應(yīng)與新的應(yīng)用途徑;③進(jìn)一步完善現(xiàn)有的微電子工藝。1半導(dǎo)體材料第五章光電子器件物理基礎(chǔ)(A)制造光纖通信用光器件:半導(dǎo)體材料、非半導(dǎo)體材料和其它材料。半導(dǎo)體材料:直接帶隙材料、間接帶隙材料直接帶隙材料:一個電子和一
2024-12-29 07:10
【總結(jié)】ModernPowerElectronicsTechnology姓名:學(xué)號:學(xué)院(系):自動化學(xué)院專業(yè):電氣工程題目:電力電子器件在感應(yīng)加熱電源中的應(yīng)用指導(dǎo)老師:20
2025-06-06 23:29
【總結(jié)】DOCUMENTNO:發(fā)行版本VERSION:頁數(shù)PAGINATION:69
2025-04-12 04:00
【總結(jié)】1、若某突變PN結(jié)的P型區(qū)的摻雜濃度為,則室溫下該區(qū)的平衡多子濃度pp0與平衡少子濃度np0分別為()和()。2、在PN結(jié)的空間電荷區(qū)中,P區(qū)一側(cè)帶(負(fù))電荷,N區(qū)一側(cè)帶(正)電荷。內(nèi)建電場的方向是從(N)區(qū)指向(P)區(qū)。[發(fā)生漂移運動,空穴向P區(qū),電子向N區(qū)]3、當(dāng)采用耗盡近似時,N型耗盡區(qū)中的泊松方程為()。由此方程可以看出,摻雜濃度越高,則內(nèi)建電場的斜率越(大)。4、PN結(jié)的摻
2025-04-17 01:15
【總結(jié)】MOSFET的直流參數(shù)與溫度特性MOSFET的直流參數(shù)1、閾電壓VT2、飽和漏極電流IDSS只適用于耗盡型MOSFET,表示當(dāng)VGS=0,VDSVDsat且恒定時的IDsat,即??22DSSGSTT22IVVV????
2025-08-05 19:44
【總結(jié)】高頻小信號電流電壓方程與等效電路高頻小信號電流電壓方程與等效電路推導(dǎo)步驟首先利用電荷控制方程得到“i~q”關(guān)系,然后再推導(dǎo)出“q~v”關(guān)系,兩者結(jié)合即可得到“i~v”方程。本節(jié)以均勻基區(qū)NPN管為例。(并推廣到高頻小信號)先列出一些推導(dǎo)中要用到的關(guān)系式:
2025-01-01 04:40
【總結(jié)】電流放大系數(shù)與頻率的關(guān)系電流放大系數(shù)與頻率的關(guān)系對高頻信號進(jìn)行放大時,首先用被稱為“偏置”或“工作點”的直流電壓或直流電流使晶體管工作在放大區(qū),然后把欲放大的高頻信號疊加在輸入端的直流偏置上。當(dāng)信號電壓的振幅遠(yuǎn)小于(kT/q)時,稱為小信號。這時晶體管內(nèi)與信號有關(guān)的各電壓、電流和電荷量,