3d封裝技術(shù)解決芯片封裝日益縮小的挑戰(zhàn)(編輯修改稿)
2025-08-10 20:25 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 還將繼續(xù)推進(jìn)這一廣泛應(yīng)用的技術(shù)，他們認(rèn)為其成本比TSV技術(shù)低。三星最近采用引線鍵合技術(shù)將16個(gè)NAND裸片封裝在一個(gè)MCP模塊內(nèi)，最高密度達(dá)到了16G字節(jié)?！罢l(shuí)也不要知道引線鍵合技術(shù)能走多遠(yuǎn)，” 三星存儲(chǔ)器事業(yè)部互連產(chǎn)品和技術(shù)組總工程師Dongho Lee這樣說(shuō)。* l1 o。 i! l S3 U: a為克服引線鍵合凸點(diǎn)的局限，Tessera提出了一種微接觸芯片級(jí)封裝(CSP)，縮小高密度面陣列CSP產(chǎn)品封裝引腳間距。該封裝采用鎳/覆金銅凸點(diǎn)，可以將CSP以SMT形式裝配到板子上。(BGA)封裝的300μm凸點(diǎn)直徑比較, 這種微接觸凸點(diǎn)的直徑可以縮小到只有200μm(圖2)。7 e$ i$ f0 I( D( X/ {1 H Akita Elpida存儲(chǔ)器公司稱其開(kāi)發(fā)出了世界上密度最大的MCP模塊。為此，該公司將單個(gè)裸片限制到30納米厚，并開(kāi)發(fā)了處理如此薄裸片的設(shè)備。Akita隨后使用40μm低環(huán)路引線鍵合，并設(shè)計(jì)了一種不會(huì)干擾機(jī)械裝配的注入樹(shù)脂的方法。+ h。 O ?* V8 I! a, X 采用倒裝芯片技術(shù)替代引線鍵合的情況越來(lái)越多。倒裝芯片技術(shù)將裸片朝下與采用BGA技術(shù)或其它導(dǎo)電凸點(diǎn)的PCB或基底相連,這樣不僅能取掉引線鍵合，同時(shí)也能提高信號(hào)速率并降低總尺寸限制。 h% R: ^3 D2 r3 F y, g. |/ KFreescale半導(dǎo)體公司的重分布芯片封裝(RCP)方法將倒裝芯片技術(shù)更向前推進(jìn)了一步(圖3)。它是一種PoP，因?yàn)槭菢?biāo)準(zhǔn)I/O引腳布局，靈活性非常大。RCP方法的頂層可以是任何ASIC，如存儲(chǔ)器、應(yīng)用處理器、藍(lán)牙模塊或相機(jī)模塊。: W$ T。 E: P。 y% z* w39。 @7 `39。 o 據(jù)Freescale稱，與SiP和普通PoP方法相比，RCP能提供最佳的封裝特性組合。該公司在其移動(dòng)極限融合(MXC)平臺(tái)上采用了RCP技術(shù)，有一個(gè)單核調(diào)制解調(diào)器、一個(gè)共享內(nèi)存子系統(tǒng)、一個(gè)射頻功率放大器以及功率管理功能。這樣，就可以選擇將整個(gè)GSM(Groupe Sp233。cial Mobile) EDGE(增強(qiáng)數(shù)據(jù)率GSM演進(jìn))或3G無(wú)線設(shè)備置于25美分硬幣大小的封裝內(nèi)。5 @6 G. v X4 m0 g C。 pTessera的MicroPILR PoP技術(shù)可適合大量移動(dòng)消費(fèi)類設(shè)備的芯片陣列及電路板應(yīng)用，可以使封裝封裝的連線短至100μm，(圖4)?？v向高度不到180μm，直徑可以逐漸降低到40～375μm之間。相比之下，焊球直徑在350～500μm之間。6 Db) {2 a5 z% C, Z Samsung電子通過(guò)其Fusion(融合)計(jì)劃尋求開(kāi)發(fā)“真正” 的3D電路。該計(jì)劃在去年12月的“IE
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