集成電路封裝芯片互連技術(shù)研究畢業(yè)論(編輯修改稿)
2025-07-13 12:04 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 點(diǎn)發(fā)展 BGA、 PGA、CSP、 MCP、 SiP先進(jìn)封測技術(shù)，推動(dòng)多疊層多芯片 SiP、 300mm／新型 WLP、高性’ ~‘‘ ,CPU封裝、 MIS、高密度 TSV、汽車電子／ MEMS封裝、 BGA／ CSP、高功率高導(dǎo)熱低成本封測工藝技術(shù)的開發(fā) 。加強(qiáng)封測業(yè)的技術(shù)創(chuàng)新，重點(diǎn)支持 SiP關(guān)鍵技術(shù)，推進(jìn)超薄芯片封裝、超細(xì)節(jié)距封裝等封測工藝和設(shè)計(jì)技術(shù)開發(fā)，扶持 TSV、銅互連、 3D． SiP、傳感器封裝、 IGBT封裝及產(chǎn)業(yè)化。一些新型封裝材料和技術(shù)為創(chuàng)新型封裝設(shè)計(jì)鋪路領(lǐng)航，不斷改進(jìn)產(chǎn)品性能。例如，引線框架／功率 IC封裝使用的晶圓背部涂層技術(shù)、液態(tài)和粉末狀壓膜材料與壓膜技術(shù)、熱壓倒裝芯片 (極細(xì)節(jié)距倒裝芯片、 Su凸柱 ~1]Au凸點(diǎn)倒裝芯片的互聯(lián) )，可改進(jìn)焊接互連可靠性的環(huán)氧助焊技術(shù)、金屬化、芯片減薄及清洗、散熱及電路性能、嵌入式工藝、凸點(diǎn)技術(shù)等。在封裝劃片工藝及優(yōu) 化方面，用于低 K薄晶圓劃片的多束全切割激光技術(shù)可獲得很窄的劃片切形、極小的熱效應(yīng)區(qū)、很高的芯片強(qiáng)度值 (典型值 800MPa～ 1 000MPa)，同時(shí)還能保證很高的生產(chǎn)效率，將使其在劃片工藝中得到廣泛應(yīng)用。 第 2章 電子封裝工藝流程 隨著半導(dǎo)體器件封裝的小型化、片狀化、薄型化和焊球陣列化 ,對(duì)半導(dǎo)體封裝技術(shù)要求越來越高。由于封裝材料復(fù)雜性的不斷增加 ,半導(dǎo)體封裝技術(shù)也越來越復(fù)雜 ,封裝和工藝流程也越來越復(fù)雜。 大規(guī)模集成電路封裝工藝簡介所謂封裝就是指安裝半導(dǎo)體集成電路芯片用的外殼 ,通過芯片上的接點(diǎn)用導(dǎo)線連接到封裝外殼的引腳 上 ,這些引腳又通過印刷電路板上的導(dǎo)線與其他器件連接 ,它起著安裝、固定、密封 ,保護(hù)芯片及增強(qiáng)電熱性能等方面的作用。 以焊接技術(shù)為基礎(chǔ)的互連工藝以焊接技術(shù)為基礎(chǔ)的互連工藝普遍采用疊層型三維封裝結(jié)構(gòu) ,即把多個(gè)裸芯片或多芯片模塊 (MCM)沿 Z 軸層層疊裝、互連 ,組成三維封裝結(jié)構(gòu)。 疊層型三維封裝的優(yōu)點(diǎn)是工藝相對(duì)簡單 ,成本相對(duì)較低 ,關(guān)鍵是解決各層間的垂直互連問題。根據(jù)集成功率模塊的特殊性 ,主要利用焊接工藝將焊料凸點(diǎn)、金屬柱等焊接在芯片的電極引出端 ,并與任一基板或芯片互連。目前的技術(shù)方案包括焊料凸點(diǎn)互連 (SolderBall Interconnect)和金屬柱互連平行板結(jié)構(gòu) (Metal Posts Interconnected Parallel PlateStructuresMPIPPS)等 。 下面為具體的封裝工藝流程圖： 北華航天工業(yè)學(xué)院論文 第 3章 常見芯片互連方法 引線鍵合技術(shù)（ WB） 引線鍵合以工藝簡單 、 成本低廉 、 適合多種封裝形式 而在連接方式中占主導(dǎo)地位 。引線鍵合是以非常細(xì)小的金屬引線的兩端分別與芯片和管腳鍵合而形成電氣連接。引線鍵合前 ,先從金屬帶材上截取引線框架材料 (外引線 ) , 用熱壓法將高純 S i或 G e的半導(dǎo)體元件壓在引線框架上所選好的位置 , 并用導(dǎo)電樹脂如銀漿料在引線框架表面涂上一層或在其局部鍍上一層金 。 然后借助特殊的鍵合工具用金屬絲將半導(dǎo)體元件 (電路 )與引線框架鍵合起來 , 鍵合后的電路進(jìn)行保護(hù)性樹脂封裝引線鍵合有兩種基本形式 : 球鍵合與楔鍵合 。這兩種引線鍵合技術(shù)的基本步驟包括 : 形成第一焊點(diǎn) (通常在芯片表面 ), 形成 線弧 , 最后形成第二焊點(diǎn) (通常在引線框架 /基板上 )。兩種鍵合的不同之處在于 : 球鍵合中在每次焊接循環(huán)的開始會(huì)形成一個(gè)焊球 , 然后把這個(gè)球焊接到焊盤上形成第一焊點(diǎn) , 而楔鍵合則是將引線在加熱加壓和超
畢業(yè)設(shè)計(jì)相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1